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標(biāo)簽 > 村田
村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料,設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電,汽車(chē)相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等,都有村田公司的身影。
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型號(hào) | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 參考價(jià)格 |
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BCW33LT1G | 晶體管類(lèi)型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):32V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):300mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):420@2mA,5V; |
獲取價(jià)格
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NTRV4101PT1G | 類(lèi)型:P溝道;漏源電壓(Vdss):20V;連續(xù)漏極電流(Id):1.8A;功率(Pd):420mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@1.6A,4.5V; |
獲取價(jià)格
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NTR3A052PZT1G | 類(lèi)型:P溝道;漏源電壓(Vdss):20V;連續(xù)漏極電流(Id):3.6A;功率(Pd):860mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):47mΩ@3.5A,4.5V; |
獲取價(jià)格
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BVSS123LT1G | 類(lèi)型:-;漏源電壓(Vdss):-;連續(xù)漏極電流(Id):-;功率(Pd):-;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;閾值電壓(Vgs(th)@Id):-;柵極電荷(Qg@Vgs):-;輸入電容(Ciss@Vds):-;反向傳輸電容(Crss@Vds):-; |
獲取價(jià)格
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FDV305N | 類(lèi)型:-;漏源電壓(Vdss):-;連續(xù)漏極電流(Id):-;功率(Pd):-;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):-; |
獲取價(jià)格
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MMBT3416LT3G | 晶體管類(lèi)型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,3mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):75@2mA,4.5V;特征頻率(fT):-;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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SMMBT3906LT3G | 晶體管類(lèi)型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):200mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V; |
獲取價(jià)格
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BC847BLT3G | 晶體管類(lèi)型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;集電極截止電流(Icbo):15nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@100mA,5mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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MMBT4401LT3G | 晶體管類(lèi)型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;集電極截止電流(Icbo):-;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):750mV@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,1V;特征頻率(fT):250MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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SMMBT2222ALT3G | 晶體管類(lèi)型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V; |
獲取價(jià)格
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2N7002LT7G | 類(lèi)型:N溝道;漏源電壓(Vdss):60V;連續(xù)漏極電流(Id):115mA;功率(Pd):225mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@500mA,10V; |
獲取價(jià)格
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SBC817-25LT3G | 晶體管類(lèi)型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V; |
獲取價(jià)格
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SBC846BLT3G | 晶體管類(lèi)型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):65V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;集電極截止電流(Icbo):15nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@100mA,5mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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SMMBTA42LT3G | 晶體管類(lèi)型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):300V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@20mA,2mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):25@1mA,10V;特征頻率(fT):50MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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SMMBTA56LT3G | 晶體管類(lèi)型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V; |
獲取價(jià)格
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NTR1P02LT3G | 此類(lèi)小型表面貼裝 MOSFET 的 RDS(on) 可確保最小的功率損耗和節(jié)能,使得此類(lèi)器件適用于空間敏感型電源管理電路。這些 P 溝道小信號(hào) MOSFET 的典型應(yīng)用為 DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及便攜式和電池供電產(chǎn)品中的電源管理,如計(jì)算機(jī)、打印機(jī)、PCMCIA 卡、手機(jī)和無(wú)繩電話。 |
獲取價(jià)格
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SBC817-16LT3G | 晶體管類(lèi)型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V; |
獲取價(jià)格
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SMMBTA06LT3G | 晶體管類(lèi)型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V; |
獲取價(jià)格
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MMBFJ175LT3G | FET類(lèi)型:P溝道;柵源擊穿電壓(V(BR)GSS):30V;飽和漏源電流(Idss@Vds,Vgs=0):7mA@15V;漏源導(dǎo)通電阻(RDS(on)):125Ω;功率(Pd):225mW; |
獲取價(jià)格
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NSVMMBT5401LT3G | 晶體管類(lèi)型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):150V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):60@10mA,5V; |
獲取價(jià)格
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SBC807-16LT3G | 晶體管類(lèi)型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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FJV1845FMTF | 晶體管類(lèi)型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):120V;集電極電流(Ic):50mA;功率(Pd):300mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):300@1mA,6V; |
獲取價(jià)格
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MMBT5550LT3G | 晶體管類(lèi)型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):140V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):60@10mA,5V; |
獲取價(jià)格
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MMBTA05LT3G | 晶體管類(lèi)型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,10mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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BC849BLT1G | 晶體管類(lèi)型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):30V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;集電極截止電流(Icbo):15nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@100mA,5mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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SMMBT2222ALT1G | 晶體管類(lèi)型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;集電極截止電流(Icbo):10nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):40@500mA,10V;特征頻率(fT):300MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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NVD5C684NLT4G | 適用于緊湊和高效設(shè)計(jì)的汽車(chē)用功率 MOSFET,安裝在 DPAK 封裝中且具有較高的熱性能。AEC-Q101 認(rèn)證 MOSFET 且具備生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序(PPAP) 功能,適用于汽車(chē)應(yīng)用。 |
獲取價(jià)格
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FDC5614P | 類(lèi)型:P溝道;漏源電壓(Vdss):60V;連續(xù)漏極電流(Id):3A;功率(Pd):1.6W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ@3A,10V; |
獲取價(jià)格
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NTGD4167CT1G | 類(lèi)型:-;漏源電壓(Vdss):-;連續(xù)漏極電流(Id):-;功率(Pd):-;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;閾值電壓(Vgs(th)@Id):-;柵極電荷(Qg@Vgs):-;輸入電容(Ciss@Vds):-;反向傳輸電容(Crss@Vds):-; |
獲取價(jià)格
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FDC6401N | 類(lèi)型:2個(gè)N溝道;漏源電壓(Vdss):20V;連續(xù)漏極電流(Id):3A;功率(Pd):700mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@4.5V,3A; |
獲取價(jià)格
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