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標(biāo)簽 > 柵極電壓
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IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度...
談起電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計,諸如碳化硅(SiC)等寬禁帶(WBG)技術(shù)是當(dāng)今進行器件選擇時的現(xiàn)實考慮。650V SiC MOSFET的推出使它們對于某些以前從...
2021-04-03 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器驅(qū)動器電壓 2446 0
1600V BIMOSFET晶體管的應(yīng)用及其直流電性能
本應(yīng)用筆記介紹了新的1600 V BIMOSFET晶體管,該晶體管已被新應(yīng)用取代。它介紹了BIMOSFET的許多應(yīng)用及其直流電性能。如今,有許多使用高壓...
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