MOS管的相關(guān)參數(shù)

MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)上的相關(guān)參數(shù)有很多，以MOS管VBZM7N60為例，下面一起來看一看，MOS管的數(shù)據(jù)手冊(cè)一般會(huì)包含哪些參數(shù)吧。

2023-09-27 標(biāo)簽：MOS管參數(shù)柵極 2625 0

PCB Layout時(shí)，MOS管柵極串聯(lián)電阻放哪兒？

前一段時(shí)間有個(gè)兄弟問了個(gè)問題，把我問住了，問題是這個(gè)： 如上圖，串聯(lián)的電阻R1到底是放在靠近IC端，還是靠近MOS端？（注意，圖中的L1是走線寄生電感，...

2023-09-26 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻MOS管Layout 1604 0

MOS管參數(shù)解讀

極限參數(shù)也叫絕對(duì)最大額定參數(shù)，MOS管在使用過程當(dāng)中，任何情況下都不能超過下圖的這些極限參數(shù)，否則MOS管有可能損壞。

2023-09-24 標(biāo)簽：元器件MOS管柵極 1.4萬 0

通過單片GaN集成提高性能，同時(shí)減小尺寸和成本

15 V 至 350 V 范圍內(nèi)的氮化鎵 （GaN） 異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)功率晶體管已被證明在功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和激光雷達(dá)脈沖光等應(yīng)用中在效率、尺寸、速度和成本...

2023-09-07 標(biāo)簽：emi雷達(dá)柵極 9961 0

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的振蕩問題解析

上一篇文章我們介紹過，為了使MOS管完全導(dǎo)通，需要盡量提高柵極的驅(qū)動(dòng)電流。那是不是柵極驅(qū)動(dòng)電流越大越好呢，即驅(qū)動(dòng)電路的內(nèi)阻越小越好？

2023-08-14 標(biāo)簽：pcbMOSFETMOS管 6959 0

伯納爾石墨和莫爾石墨的傳輸特性比較

由具有相對(duì)扭轉(zhuǎn)角的原子級(jí)薄范德瓦爾斯晶體堆積形成的莫爾圖案可以引起顯著的新的物理性質(zhì)。迄今為止，對(duì)莫爾材料的研究僅限于由不超過幾個(gè)范德瓦爾斯片組成的結(jié)構(gòu)...

2023-08-01 標(biāo)簽：晶體柵極石墨薄膜 747 0

晶閘管(可控硅)極性的判斷方法

在講晶閘管怎么測好壞之前，先給大家講一下晶閘管（可控硅）極性的判斷方法。

2023-07-11 標(biāo)簽：可控硅晶閘管極性 1.1萬 0

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)：平面結(jié)構(gòu)

功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor...

2023-06-28 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體柵極 4936 0

干貨！75例經(jīng)典電氣控制接線圖、電子元件工作原理圖

下圖所示是一感應(yīng)測電筆線路。它可方便地測出導(dǎo)線的斷芯位置。在用來測導(dǎo)線斷芯位置時(shí)，在導(dǎo)線一端接上220V的電源相線，然后用感應(yīng)測電筆的探頭柵極靠近被測導(dǎo)...

2023-06-12 標(biāo)簽：柵極電氣控制接線圖 3030 0

ASDM30N40AE 功率MOSFET — 優(yōu)質(zhì)性能，引領(lǐng)能效革命

隨著全球?qū)δ茉葱屎铜h(huán)保的重視不斷增加，電力管理和控制技術(shù)也在不斷發(fā)展。在這個(gè)變革的時(shí)代，ASDM30N40AE 功率MOSFET憑借其卓越的性能和創(chuàng)新...

2023-06-05 標(biāo)簽：柵極功率MOSFET 1275 0

MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用

摘要：柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關(guān)鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面，金屬和半導(dǎo)體的直接接觸會(huì)導(dǎo)致界面缺陷和固定電荷，這會(huì)降低氮化鎵高...

2023-05-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管柵極 1491 0

如何通過實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度更大限度地提高SiC牽引逆變器的效率

牽引逆變器是電動(dòng)汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級(jí)別可達(dá) 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動(dòng)汽車單次充電后的行駛里程...

2023-05-23 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車德州儀器柵極 1056 0

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用

常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。

2023-05-22 標(biāo)簽：MOSFET晶體管柵極 1355 0

氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關(guān)。之前...

2023-05-17 標(biāo)簽：柵極驅(qū)動(dòng)電路氮化鎵 1373 0

MOSFET米勒效應(yīng)詳解

米勒效應(yīng)（Miller effect）是在電子學(xué)中，反相放大電路中，輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由于放大器的放大作用，其等效到輸入端的電容值會(huì)擴(kuò)大...

2023-05-15 標(biāo)簽：放大器開關(guān)電路MOSFET 9771 0

自舉電路在高電壓柵極驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用

根據(jù)電容公式，i=C*du/dt，得知du/dt=i/C，故電容兩端電壓從0升到VDD時(shí)，取決于電流和電容的比值。容值一定時(shí)，電流越大，電壓上升越快；電...

2023-05-11 標(biāo)簽：二極管MOS管柵極 2242 0

N溝道場效應(yīng)管柵極(G極)電壓是否可以大于漏極(D極)電壓？

根據(jù)提問者的意思，N溝道場效應(yīng)管柵極（G極）電壓是否可以大于漏極（D極）電壓？為什么？

2023-05-09 標(biāo)簽：三極管場效應(yīng)管柵極 4967 0

測量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng)：一般測量方法

SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：...

2023-05-08 標(biāo)簽：MOSFET柵極SiC 1286 0

MOSFET柵極電路的常見作用

MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn)，因...

2023-05-04 標(biāo)簽：二極管pcbMOSFET 1480 0