通過單片GaN集成提高性能，同時減小尺寸和成本

15 V 至 350 V 范圍內(nèi)的氮化鎵 （GaN） 異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)功率晶體管已被證明在功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動和激光雷達(dá)脈沖光等應(yīng)用中在效率、尺寸、速度和成本...

2023-09-07 標(biāo)簽：emi雷達(dá)柵極 9821 0

MOSFET柵極驅(qū)動電路的振蕩問題解析

上一篇文章我們介紹過，為了使MOS管完全導(dǎo)通，需要盡量提高柵極的驅(qū)動電流。那是不是柵極驅(qū)動電流越大越好呢，即驅(qū)動電路的內(nèi)阻越小越好？

2023-08-14 標(biāo)簽：pcbMOSFETMOS管 6678 0

伯納爾石墨和莫爾石墨的傳輸特性比較

由具有相對扭轉(zhuǎn)角的原子級薄范德瓦爾斯晶體堆積形成的莫爾圖案可以引起顯著的新的物理性質(zhì)。迄今為止，對莫爾材料的研究僅限于由不超過幾個范德瓦爾斯片組成的結(jié)構(gòu)...

2023-08-01 標(biāo)簽：晶體柵極石墨薄膜 674 0

晶閘管(可控硅)極性的判斷方法

在講晶閘管怎么測好壞之前，先給大家講一下晶閘管（可控硅）極性的判斷方法。

2023-07-11 標(biāo)簽：可控硅晶閘管極性 1.0萬 0

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)：平面結(jié)構(gòu)

功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor...

2023-06-28 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體柵極 4747 0

干貨！75例經(jīng)典電氣控制接線圖、電子元件工作原理圖

下圖所示是一感應(yīng)測電筆線路。它可方便地測出導(dǎo)線的斷芯位置。在用來測導(dǎo)線斷芯位置時，在導(dǎo)線一端接上220V的電源相線，然后用感應(yīng)測電筆的探頭柵極靠近被測導(dǎo)...

2023-06-12 標(biāo)簽：柵極電氣控制接線圖 2647 0

ASDM30N40AE 功率MOSFET — 優(yōu)質(zhì)性能，引領(lǐng)能效革命

隨著全球?qū)δ茉葱屎铜h(huán)保的重視不斷增加，電力管理和控制技術(shù)也在不斷發(fā)展。在這個變革的時代，ASDM30N40AE 功率MOSFET憑借其卓越的性能和創(chuàng)新...

2023-06-05 標(biāo)簽：柵極功率MOSFET 1173 0

MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用

摘要：柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關(guān)鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面，金屬和半導(dǎo)體的直接接觸會導(dǎo)致界面缺陷和固定電荷，這會降低氮化鎵高...

2023-05-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管柵極 1343 0

如何通過實(shí)時可變柵極驅(qū)動強(qiáng)度更大限度地提高SiC牽引逆變器的效率

牽引逆變器是電動汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級別可達(dá) 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動汽車單次充電后的行駛里程...

2023-05-23 標(biāo)簽：電動汽車德州儀器柵極 940 0

MOSFET柵極驅(qū)動電路的應(yīng)用

常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動器件。

2023-05-22 標(biāo)簽：MOSFET晶體管柵極 1286 0

氮化鎵GaN驅(qū)動器PCB設(shè)計必須掌握的要點(diǎn)

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關(guān)。之前...

2023-05-17 標(biāo)簽：柵極驅(qū)動電路氮化鎵 1290 0

MOSFET米勒效應(yīng)詳解

米勒效應(yīng)（Miller effect）是在電子學(xué)中，反相放大電路中，輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由于放大器的放大作用，其等效到輸入端的電容值會擴(kuò)大...

2023-05-15 標(biāo)簽：放大器開關(guān)電路MOSFET 9366 0

自舉電路在高電壓柵極驅(qū)動電路中的應(yīng)用

根據(jù)電容公式，i=C*du/dt，得知du/dt=i/C，故電容兩端電壓從0升到VDD時，取決于電流和電容的比值。容值一定時，電流越大，電壓上升越快；電...

2023-05-11 標(biāo)簽：二極管MOS管柵極 2099 0

N溝道場效應(yīng)管柵極(G極)電壓是否可以大于漏極(D極)電壓？

根據(jù)提問者的意思，N溝道場效應(yīng)管柵極（G極）電壓是否可以大于漏極（D極）電壓？為什么？

2023-05-09 標(biāo)簽：三極管場效應(yīng)管柵極 4768 0

測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項(xiàng)：一般測量方法

SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：...

2023-05-08 標(biāo)簽：MOSFET柵極SiC 1219 0

MOSFET柵極電路的常見作用

MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動功率小、動態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn)，因...

2023-05-04 標(biāo)簽：二極管pcbMOSFET 1422 0

7種MOS管柵極驅(qū)動電路

首先說一下電源IC直接驅(qū)動，下圖是我們最常用的直接驅(qū)動方式，在這類方式中，我們由于驅(qū)動電路未做過多處理，因此我們進(jìn)行PCB LAYOUT時要盡量進(jìn)行優(yōu)化...

2023-04-28 標(biāo)簽：MOSFETMOS管柵極 1.1萬 0

一文詳解MOS電容器

MOSFET是工業(yè)上應(yīng)用最成功的固態(tài)器件，是構(gòu)成高集成度的基本單元，而MOS電容器是MOSFET的核心，理解該電容器的特性是理解MOSFET工作原理的基...

2023-04-17 標(biāo)簽：電容器MOSFETMOS 1.2萬 0

IGBT的柵極驅(qū)動設(shè)計

前面我們也聊到過IGBT的柵極驅(qū)動設(shè)計，雖然今天聊的可能有些重復(fù)，但是感覺人到中年，最討厭的就是記憶力不夠用，就當(dāng)回顧和加重記憶吧。

2023-04-06 標(biāo)簽：IGBT柵極驅(qū)動設(shè)計 3110 0