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標(biāo)簽 > 武漢新芯
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中國(guó) NAND Flash 制造的現(xiàn)況、發(fā)展與機(jī)會(huì)
2015 年 11 月 6 日中國(guó)同方國(guó)芯電子股份有限公司資產(chǎn)重整后,將成為紫光集團(tuán)下的子公司。此外,同方國(guó)芯也提出私募 800 億元人民幣增資案,主要...
2016-12-27 標(biāo)簽:中芯國(guó)際武漢新芯紫光集團(tuán) 3391 0
一文匯總中國(guó)大陸晶圓廠產(chǎn)能數(shù)據(jù)
今天這張最新最全的“中國(guó)大陸晶圓廠產(chǎn)能數(shù)據(jù)”表,反映了國(guó)內(nèi)IC制造業(yè)的整體情況和未來(lái)發(fā)展態(tài)勢(shì),這不僅體現(xiàn)了整個(gè)產(chǎn)業(yè)環(huán)境的狀況及其發(fā)展趨勢(shì),更是迎合了我國(guó)...
2015年主要原廠NAND Flash的市場(chǎng)份額
在IC設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試多個(gè)領(lǐng)域齊頭并進(jìn)的時(shí)候,中國(guó)半導(dǎo)體將觸角伸向了存儲(chǔ)領(lǐng)域,相信這是引致這次韓國(guó)成立半導(dǎo)體基金的主要誘因。
2016-11-03 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)技術(shù)武漢新芯 2578 0
紫光武漢新芯聯(lián)手組建的長(zhǎng)江存儲(chǔ)將面臨哪些挑戰(zhàn)?
長(zhǎng)江存儲(chǔ)未來(lái)將要面臨的挑戰(zhàn)仍然嚴(yán)峻,包括國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境,國(guó)內(nèi)的市場(chǎng)接受度等,特別是在存儲(chǔ)器產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)生產(chǎn)、專利技術(shù)的獲得以及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)等關(guān)乎企業(yè)未來(lái)成敗的幾...
2016-08-08 標(biāo)簽:武漢新芯紫光長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2256 0
武漢新芯被紫光收購(gòu)后將改名長(zhǎng)江存儲(chǔ)?
據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》報(bào)道,紫光集團(tuán)已經(jīng)收購(gòu)武漢新芯的部分股權(quán),而后者也將改名為長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)公司(Yangtze River Storage Technolo...
紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯,下個(gè)目標(biāo)還是美光?
據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》報(bào)道,清華紫光集團(tuán)將收購(gòu)武漢新芯的大部分股權(quán),新武漢新芯將改名長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)有限公司(Yangtze River Storage Tech...
2016-07-27 標(biāo)簽:美光DRAM芯片NAND Flash 6830 0
電子芯聞早報(bào):紫光收購(gòu)武漢新芯 小米發(fā)布會(huì)亮點(diǎn)搶先看
Analog Devices宣布將以148億美金收購(gòu)Linear,除了國(guó)外,據(jù)報(bào)道國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體頭紫光集團(tuán)已完成武漢新芯超過(guò)50%的股權(quán)收購(gòu)。蘋(píng)果也于今日凌...
2016-07-27 標(biāo)簽:武漢新芯紫光半導(dǎo)體收購(gòu) 2044 0
紫光攜手武漢新芯再跟美光談授權(quán)面臨的三大挑戰(zhàn)
業(yè)界傳出,清華紫光集團(tuán)有意拉武漢新芯,搶進(jìn)NAND Flash市場(chǎng),采取類似美光與臺(tái)DRAM大廠華亞科的合作模式,如此一來(lái),紫光也可搭上武漢新芯構(gòu)建新廠...
2016-07-12 標(biāo)簽:美光NAND Flash武漢新芯 1348 0
存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)低迷 美光將裁員中國(guó)芯或超車(chē)
據(jù)報(bào)道,內(nèi)存芯片制造商鎂光科技將裁員,而存儲(chǔ)芯片是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上價(jià)值量最高但我國(guó)最薄弱的一環(huán),在技術(shù)更新放緩的背景下,我們認(rèn)為大陸產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌?chǎng)可得、技術(shù)...
2016-07-01 標(biāo)簽:美光存儲(chǔ)器芯片武漢新芯 1319 0
中國(guó)存儲(chǔ)器3+1版圖初現(xiàn) 能否打破韓國(guó)廠商壟斷?
中科院微電子所研究員霍宗亮告訴記者,對(duì)新進(jìn)入的中國(guó)玩家,想切入DRAM和NAND閃存領(lǐng)域存有一線可能。DRAM制程工藝已快遇到物理上的極限,更新?lián)Q代越來(lái)...
中國(guó)“3+1”存儲(chǔ)器版圖初現(xiàn) 誰(shuí)能走到最后?
對(duì)中國(guó)大陸來(lái)說(shuō),今年可算是真正意義上的存儲(chǔ)器元年。武漢存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目啟動(dòng),與聯(lián)電合作的晉華集成電路項(xiàng)目落戶福建泉州晉江市,還有明確要做存儲(chǔ)器的合肥市和紫...
近日中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)最引人關(guān)注的爆炸性新聞是武漢新芯計(jì)劃2018年量產(chǎn)48層3D NAND,及它的投資240億美元的計(jì)劃。
紅色供應(yīng)鏈來(lái)勢(shì)洶洶,外界原本認(rèn)為,陸廠要到四五年后才能在存儲(chǔ)器搶下一席之地,不過(guò)有分析師預(yù)測(cè),陸廠研發(fā)腳步迅速,可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。
紫光/武漢新芯布局NAND Flash 中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)能閃耀
中國(guó)大陸廠商在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開(kāi)展,成為中國(guó)大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研...
2016-04-26 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器nand flash武漢新芯 1570 0
武漢新芯能拯救國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)?沒(méi)那么簡(jiǎn)單!
武漢新芯記憶體基地在3 月28 日正式啟動(dòng),瞄準(zhǔn)記憶體,目標(biāo)在2030 年成為月產(chǎn)能100 萬(wàn)片的半導(dǎo)體巨人,而一開(kāi)始武漢新芯鎖定的目標(biāo)是NAND Fl...
2016-04-18 標(biāo)簽:存儲(chǔ)NAND FLASH武漢新芯 4840 0
中國(guó)NAND Flash制造的現(xiàn)狀、發(fā)展與機(jī)會(huì)
紫光旗下同方國(guó)芯提出私募 800 億元人民幣的增資案,用于 Flash 產(chǎn)業(yè)。本篇報(bào)告分析中國(guó)和國(guó)際在 NAND 的現(xiàn)況和計(jì)畫(huà),討論中國(guó)在 NAND 的...
2016-04-18 標(biāo)簽:中芯國(guó)際NAND Flash武漢新芯 3700 0
存儲(chǔ)器上升為國(guó)家戰(zhàn)略后落地武漢新芯
在未來(lái)規(guī)劃中,這一存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目將被打造成湖北省調(diào)結(jié)構(gòu)、實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)型發(fā)展的千億高科技產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目。
2016-03-29 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器半導(dǎo)體芯片武漢新芯 1757 0
根據(jù)科技新報(bào)取得的消息,武漢新芯將建的為 NAND Flash 廠,而非市場(chǎng)謠傳的 DRAM 廠。
2016-03-22 標(biāo)簽:NAND半導(dǎo)體芯片武漢新芯 3616 0
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