氧化鎵器件介紹與仿真

本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過(guò)離子注入擴(kuò)散形成像硅和碳化硅的一些阱結(jié)構(gòu)，并且由于氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價(jià)帶無(wú)法有效進(jìn)行空穴傳導(dǎo)...

2023-11-27 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體氮化鎵 3318 0

氮化鎵的晶體學(xué)濕式化學(xué)蝕刻法

目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過(guò)干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生...

2023-11-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓晶圓蝕刻 875 0

Ni摻雜β-Ga2O3單晶的光、電特性研究

作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，Ga2O3禁帶寬度高達(dá)4.8 eV，理論擊穿場(chǎng)強(qiáng)為8 MV/cm，是繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料

2023-10-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體信號(hào)處理光譜儀 1821 0

氧化鎵功率器件研究成果

隨著電力電子技術(shù)在汽車電子、醫(yī)療器械、航空航天等領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的研究和發(fā)展也進(jìn)入了加速階段。

2023-08-24 標(biāo)簽：處理器功率二極管導(dǎo)通電阻 1330 0

氧化鎵薄膜外延與電子結(jié)構(gòu)研究

氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、可低成本制作大尺寸襯底等突出優(yōu)點(diǎn)。

2023-08-17 標(biāo)簽：接觸器半導(dǎo)體芯片DFT算法 1437 0

高耐壓氧化鎵功率器件研制進(jìn)展與思考

以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體禁帶寬度、化學(xué)穩(wěn)定性、擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，是國(guó)際半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。

2023-08-09 標(biāo)簽：二極管MOSFET電阻器 1020 0

氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-09 標(biāo)簽：二極管晶體管功率半導(dǎo)體 1019 0

氧化鎵缺陷、合金化電子結(jié)構(gòu)調(diào)控及日盲光電探測(cè)器研究

半導(dǎo)體材料是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的基石，Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導(dǎo)體，GaN、SiC等寬禁帶半導(dǎo)體前景廣闊。

2023-08-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光電探測(cè)器氧化鎵 1192 0

基于氧化鎵材料性能調(diào)控及高性能日盲紫外光電探測(cè)器的研究

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-07 標(biāo)簽：探測(cè)器晶體管光電探測(cè)器 1153 0

氧化鎵材料生長(zhǎng)與陣列探測(cè)器研究

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-04 標(biāo)簽：探測(cè)器半導(dǎo)體技術(shù)肖特基二極管 1212 0

基于ε-Ga2O3的日盲紫外探測(cè)器件研究

一種能夠在日光下工作而不受可見(jiàn)光干擾的紫外光探測(cè)器。日盲紫外探測(cè)器對(duì)可見(jiàn)光具有很低的響應(yīng)，在環(huán)境監(jiān)測(cè)、太陽(yáng)輻射測(cè)量、航天科學(xué)、太陽(yáng)能電池優(yōu)化和軍事應(yīng)用等...

2023-08-04 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池探測(cè)器MOCVD 2120 0

浪涌與雪崩高魯棒性氧化鎵功率二極管

反向雪崩擊穿和正向浪涌魯棒性是半導(dǎo)體功率器件在高電場(chǎng)和大電流密度等極端條件下非平衡載流子動(dòng)力學(xué)的基本特征，也是所有元器件在電動(dòng)汽車、軌道交通、電網(wǎng)和新能...

2023-07-30 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率二極管半導(dǎo)體 1808 0

氧化鎵異質(zhì)集成和異質(zhì)結(jié)功率晶體管研究

超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導(dǎo)體具有臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)高和可實(shí)現(xiàn)大尺寸單晶襯底等優(yōu)勢(shì)， 在功率電子和微波射 頻器件方面具有重要的研究?jī)r(jià)值和廣闊的應(yīng)用前景。

2023-07-27 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管肖特基二極管熱管理 2419 0

商務(wù)部/海關(guān)總署發(fā)布對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制

　　商務(wù)部 海關(guān)總署公告2023年第23號(hào) 關(guān)于對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制的公告

2023-07-04 標(biāo)簽：氮化鎵砷化鎵氧化鎵 401 0

中山大學(xué)王鋼教授團(tuán)隊(duì)在NiO/β-Ga?O?異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的研究進(jìn)展

該綜述總結(jié)了NiO/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的發(fā)展現(xiàn)狀，為之后設(shè)計(jì)高性能的NiO/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)器件提供了參考，對(duì)β-Ga2O3雙極型器...

2023-06-30 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體材料氧化鎵 2186 0

利用機(jī)器學(xué)習(xí)結(jié)合實(shí)驗(yàn)揭示非晶氧化鎵原子結(jié)構(gòu)與熱輸運(yùn)的關(guān)系

非晶(無(wú)定形)材料指原子排列缺乏長(zhǎng)程周期性的固體材料，普遍存在于自然界中，也是工業(yè)生產(chǎn)及日常生活中使用最為廣泛的一類材料。非晶氧化鎵具有超寬的禁帶寬度和...

2023-06-27 標(biāo)簽：熱管理原子機(jī)器學(xué)習(xí) 1277 0

氧化鎵（Ga2O3）溝槽二極管的相關(guān)研究進(jìn)展

Ga2O3技術(shù)成熟的一個(gè)主要障礙是器件過(guò)熱。對(duì)于Ga2O3溝槽器件，盡管與[010]溝槽側(cè)壁相比，[100]溝槽側(cè)壁的熱導(dǎo)率（kT[010]）更高，但具...

2023-06-21 標(biāo)簽：二極管氧化鎵 1357 0

氧化鎵薄膜外延及電子結(jié)構(gòu)研究

以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性，有著顯著的優(yōu)勢(shì)和巨大的發(fā)展?jié)摿Γ絹?lái)越得到...

2023-05-24 標(biāo)簽：石墨烯氧化鎵氮化硼 938 0