探討氧化鎵基肖特基勢(shì)壘二極管的研究結(jié)果

重點(diǎn)從器件工藝、結(jié)構(gòu)和邊緣終端技術(shù)等角度評(píng)述了優(yōu)化 Ga2O3基 SBD 性能的方法，并對(duì) Ga2O3基 SBD 的進(jìn)一步發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了展望。

2023-04-08 標(biāo)簽：二極管氧化鎵 1646 0

功率二極管和功率晶體管的國(guó)內(nèi)外研究總結(jié)

對(duì) Ga2O3外延材料、功率二極管和功率晶體管的國(guó)內(nèi)外最新研究進(jìn)行了概括總結(jié)，展望了Ga2O3在未來(lái)的應(yīng)用與發(fā)展前景。

2023-03-30 標(biāo)簽：功率器件氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 543 0

四代半導(dǎo)體的發(fā)展現(xiàn)狀，氧化鎵新進(jìn)展介紹

半導(dǎo)體內(nèi)部的價(jià)電子通常被共價(jià)鍵束縛，無(wú)法自由移動(dòng)，自然也就無(wú)法參與導(dǎo)電。所有價(jià)電子所處的能帶區(qū)域被稱為價(jià)帶，價(jià)電子在受到熱、光、電、磁等方式的激發(fā)時(shí)

2023-03-29 標(biāo)簽：晶體硅氧化鎵 2850 0

高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測(cè)器研究取得進(jìn)展

氧化鎵（Ga2O3）是一種新興寬禁帶半導(dǎo)體（禁帶寬度為4.9 eV），具有熱穩(wěn)定性好、禁帶寬度大、紫外吸收系數(shù)大、材料易加工等優(yōu)點(diǎn)，是日盲紫外探測(cè)理想的...

2023-03-28 標(biāo)簽：探測(cè)器紫外氧化鎵 6246 0

氧化鎵功率器件的研究新發(fā)展總結(jié)

相比于目前常見(jiàn)的寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN，Ga2O3的Baliga品質(zhì)因數(shù)更大、預(yù)期生長(zhǎng)成本更低，在高壓、大功率、高效率、小體積電子器件方面更具潛力。

2023-03-13 標(biāo)簽：功率二極管功率器件功率晶體管 626 0

一文讀懂氧化鎵（第四代半導(dǎo)體）

氧化鎵有5種同素異形體，分別為α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化鎵）最為穩(wěn)定，當(dāng)加熱至一定高溫時(shí)，其他亞穩(wěn)態(tài)均轉(zhuǎn)換為β相，在熔點(diǎn)1800℃...

2023-03-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體氧化鎵 1.2萬(wàn) 0

一文看懂氧化鎵的晶體結(jié)構(gòu)性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域

氧化鎵有5種同素異形體，分別為α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化鎵）最為穩(wěn)定，當(dāng)加熱至一定高溫時(shí)，其他亞穩(wěn)態(tài)均轉(zhuǎn)換為β相，在熔點(diǎn)1800℃...

2023-03-08 標(biāo)簽：碳化硅氧化鎵 4692 0

一文解析氧化鎵襯底的長(zhǎng)晶與外延工藝

氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價(jià)帶無(wú)法有效進(jìn)行空穴傳導(dǎo)，因此難以制造P型半導(dǎo)體。近期斯坦福、復(fù)旦等團(tuán)隊(duì)已在實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)了氧化鎵P型器件，預(yù)計(jì)將逐步導(dǎo)入產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

2023-02-27 標(biāo)簽：氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 2825 0

氧化鎵技術(shù)研究再獲新突破

Ga2O3與硅(Si)相比具有耐壓高、功耗低、大尺寸單晶比較容易制作等特點(diǎn)。因此，作為搭載于電動(dòng)汽車等的功率半導(dǎo)體材料的候補(bǔ)材料而備受矚目。

2023-02-24 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車氧化鎵 450 0

第四代寬禁帶半導(dǎo)體材料——氮化鎵

第一代半導(dǎo)體指硅(Si)、鍺(Ge)等元素半導(dǎo)體材料；第二代半導(dǎo)體指砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等具有較高遷移率的半導(dǎo)體材料

2023-02-23 標(biāo)簽：射頻器件氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 4997 0

氧化鎵的性能、應(yīng)用和成本 氧化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域

我國(guó)的氧化鎵襯底能夠小批量供應(yīng)，外延、器件環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程幾乎空白，研發(fā)主力軍和突出成果都在高校和科研院所當(dāng)中。

2023-02-22 標(biāo)簽：碳化硅氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 4308 0

在氧化鎵基日盲雪崩探測(cè)器研究領(lǐng)域取得新突破！

研究組在前期Ga?O?/ITO n-n型雪崩探測(cè)器件成果的基礎(chǔ)上（ACS Nano，2021，15：16654），經(jīng)過(guò)不斷探索，通過(guò)插入合適的寬帶隙材料...

2023-02-10 標(biāo)簽：晶格光電探測(cè)器氧化鎵 1321 0

北郵在氧化鎵基日盲雪崩探測(cè)器研究領(lǐng)域取得新突破

研究組在前期Ga?O?/ITO n-n型雪崩探測(cè)器件成果的基礎(chǔ)上（ACS Nano，2021，15：16654），經(jīng)過(guò)不斷探索，通過(guò)插入合適的寬帶隙材料...

2023-02-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光電探測(cè)器氧化鎵 1036 0

談?wù)劅衢T的氧化鎵

高效的超高壓功率轉(zhuǎn)換設(shè)備(電壓>20kv)需要比硅的能隙大得多的半導(dǎo)體。寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體碳化硅(SiC)已經(jīng)成熟成為電力電子的商業(yè)技術(shù)平臺(tái)，...

2022-11-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管氧化鎵 1110 0

使用導(dǎo)模法生長(zhǎng)4英寸β-Ga2O3 氧化鎵單晶性能分析

晶體生長(zhǎng)使用的原料為氧化鎵粉末，純度99.999%，采用中頻感應(yīng)加熱，銥金發(fā)熱體、銥金模具，銥 金坩堝周圍放置氧化鋯作為保溫材料。

2022-11-23 標(biāo)簽：二極管晶體氧化鎵 4075 0