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標(biāo)簽 > 氧化鎵
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在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域,氧化鎵器件憑借其獨(dú)特性能成為研究熱點(diǎn)。泰克中國(guó)區(qū)技術(shù)總監(jiān)張欣與香港科技大學(xué)電子及計(jì)算機(jī)工程教授黃文海教授,圍繞氧化鎵器件的研究現(xiàn)狀...
我國(guó)首發(fā)8英寸氧化鎵單晶,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎新突破!
2025年3月5日,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”)宣布,成功發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶。這一重大突破不僅標(biāo)志著我國(guó)在超寬...
氧化鎵襯底表面粗糙度和三維形貌,優(yōu)可測(cè)白光干涉儀檢測(cè)時(shí)長(zhǎng)縮短至秒級(jí)!
傳統(tǒng)AFM檢測(cè)氧化鎵表面三維形貌和粗糙度需要20分鐘左右,優(yōu)可測(cè)白光干涉儀檢測(cè)方案僅需3秒,百倍提升檢測(cè)效率!
中國(guó)第四代半導(dǎo)體技術(shù)獲重大突破:金剛石與氧化鎵實(shí)現(xiàn)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合
2025年2月13日凌晨,中國(guó)科技界迎來(lái)一則重磅消息:吉林大學(xué)劉冰冰教授團(tuán)隊(duì)聯(lián)合中山大學(xué)朱升財(cái)教授,在國(guó)際頂級(jí)期刊《Nature Materials》上...
第四代半導(dǎo)體新進(jìn)展:4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近氧化鎵領(lǐng)域又有了新的進(jìn)展。今年1月,鎵仁半導(dǎo)體宣布基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長(zhǎng)設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化,采用垂直布里奇曼(VB)法...
2025-02-17 標(biāo)簽:氧化鎵 957 0
鎵仁半導(dǎo)體成功實(shí)現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電摻雜
VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜 2025年1月,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”)基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長(zhǎng)設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化,采用...
關(guān)于超寬禁帶氧化鎵晶相異質(zhì)結(jié)的新研究
? ? 【研究 梗概 】 在科技的快速發(fā)展中,超寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸成為新一代電子與光電子器件的研究熱點(diǎn)。而在近日, 沙特阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)(KAUS...
2025-01-22 標(biāo)簽:異質(zhì)結(jié)氧化鎵 481 0
半導(dǎo)體所在基于氧化鎵的日盲紫外偏振光探測(cè)器方面取得新進(jìn)展
偏振光探測(cè)與成像技術(shù)在遙感成像、機(jī)器視覺(jué)、復(fù)雜背景目標(biāo)識(shí)別等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用,近年來(lái)在天體物理和海底地震波探測(cè)等方面也展現(xiàn)出豐富的信息獲取能力。在不同...
ACS AMI:通過(guò)襯底集成和器件封裝協(xié)同設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)具有極低器件熱阻的氧化鎵MOSFETs
原創(chuàng):Xoitec 異質(zhì)集成XOI技術(shù) 來(lái)源:上海微系統(tǒng)所,集成電路材料實(shí)驗(yàn)室,異質(zhì)集成XOI課題組 1 工作簡(jiǎn)介 超寬禁帶氧化鎵是實(shí)現(xiàn)超高壓、大功率、...
異質(zhì)集成氧化鎵:下一代高性能功率半導(dǎo)體器件的新基石
來(lái)源:悅智網(wǎng) ,作者羅拯東、韓根全等 功率半導(dǎo)體器件作為高效電能控制和轉(zhuǎn)換裝置的核心器件,從其誕生之初,便作為電力電子技術(shù)的“幕后英雄”持續(xù)推動(dòng)人類社會(huì)...
2024-10-21 標(biāo)簽:氧化鎵功率半導(dǎo)體器件異質(zhì)集成 797 0
蘇州邁姆思與杭州鎵仁簽訂先進(jìn)半導(dǎo)體氧化鎵晶圓鍵合領(lǐng)域戰(zhàn)略合作協(xié)議
來(lái)源:蘇州納米城 近日,蘇州納米城企業(yè)—蘇州邁姆思半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“邁姆思 ”)與杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“鎵仁”)于杭州簽訂戰(zhàn)略合...
北京銘鎵半導(dǎo)體引領(lǐng)氧化鎵材料創(chuàng)新,實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化新突破
北京順義園內(nèi)的北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料的開(kāi)發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面取得了顯著進(jìn)展,其技術(shù)已領(lǐng)先國(guó)際同類產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。
三菱電機(jī)總裁Kei Urushima表示,聯(lián)合開(kāi)發(fā)將以"從Coherent接收襯底,采用我們的技術(shù),然后將其返還給Coherent"...
2024-04-07 標(biāo)簽:三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體碳化硅 1030 0
我國(guó)實(shí)現(xiàn)6英寸氧化鎵襯底產(chǎn)業(yè)化新突破
氧化鎵因其優(yōu)異的性能和低成本的制造,成為目前最受關(guān)注的超寬禁帶半導(dǎo)體材料之一,被稱為第四代半導(dǎo)體材料。
2024-03-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氧化鎵 845 0
晶旭半導(dǎo)體獲睿悅控股集團(tuán)億元戰(zhàn)略投資
據(jù)睿悅投資官微消息,2月2日,深圳市睿悅投資控股集團(tuán)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“睿悅控股集團(tuán)”)與福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“晶旭半導(dǎo)體”)的戰(zhàn)略投資...
武漢大學(xué)袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運(yùn)領(lǐng)域最新研究進(jìn)展
近日,武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院袁超課題組和斯洛伐克科學(xué)院Filip Gucmann課題組合作,在國(guó)際權(quán)威期刊《Small》上發(fā)表了題為“Phase-Dep...
2023-12-25 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池二極管氧化鎵 2232 0
基于晶圓級(jí)高導(dǎo)熱異質(zhì)集成襯底實(shí)現(xiàn)最高截止頻率氧化鎵射頻器件
氧化鎵是超寬禁帶半導(dǎo)體材料的優(yōu)異代表,由于其禁帶寬度和擊穿場(chǎng)強(qiáng)遠(yuǎn)高于GaN,不僅可在更高場(chǎng)強(qiáng)、更高工作電壓下工作,大幅度提升輸出功率密度,還可以實(shí)現(xiàn)在高...
氧化鎵產(chǎn)業(yè)化更進(jìn)一步,本土初創(chuàng)企業(yè)成果涌現(xiàn)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)氧化鎵被認(rèn)為是在碳化硅和氮化鎵后的下一代半導(dǎo)體材料,而對(duì)于氧化鎵的重要性,去年8月美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局的文件中披露,將對(duì)...
2023-11-06 標(biāo)簽:氧化鎵 2650 0
北京鎵和首次發(fā)布4英寸面氧化鎵單晶襯底參數(shù)并實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)
近日,“第四屆海峽兩岸氧化鎵及其相關(guān)材料與器件研討會(huì)”在濟(jì)南召開(kāi)。大會(huì)技術(shù)委員會(huì)委員北京鎵和半導(dǎo)體有限公司創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)、南京郵電大學(xué)唐為華教授率領(lǐng)鎵和...
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