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標簽 > 氮化鎵電源
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氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC)開發(fā)的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)
氮化鎵(GaN)功率器件以離散形式已在電源充電器的應用領域得到廣泛采用。在電源轉換應用中,GaN高遷移率電子晶體管(HEMT)的諸多材料和器件優(yōu)勢也推動...
什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無機物,化學式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發(fā)光二極管...
CSBA系列通過采用低損耗金屬磁粉芯材料和優(yōu)化的線圈結構,進一步降低磁芯損耗和電阻損耗,從而提升氮化鎵電源的整體效率。例如,在數(shù)據(jù)中心服務器電源中,低損...
2025-02-20 標簽:開關穩(wěn)壓器氮化鎵電源 342 0
GaN加速商業(yè)化進程 國內GaN產業(yè)市場現(xiàn)狀及前景分析
氮化鎵(GaN)是一種由氮和鎵組成的半導體材料,因其禁帶寬度大于2.2eV,故又稱為寬禁帶半導體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是在藍色發(fā)光器件中具...
氮化鎵電源方案功率通常達到65W、100W、120W等,氮化鎵功率器件生產商英諾賽科推出INN650D260A氮化鎵200w電源方案設計3C+2A多口輸...
2023-08-08 標簽:氮化鎵電源 2706 0
氮化鎵在服務器電源領域愈發(fā)扮演著重要角色,今天,“行家說”將為大家?guī)?條該領域的內容服務,并為大家分析GaN備受數(shù)據(jù)中心青睞的原因。
Transphorm推出參考設計組合,加快USB-C PD氮化鎵電源適配器的開發(fā)
公司內部以及合作開發(fā)的七款設計工具可以為45W至140W的 適配器帶來高性能650V氮化鎵FET的優(yōu)勢 ? 加州戈利塔--(新聞稿)-- (美國商業(yè)資訊...
納微半導體發(fā)布全球首份氮化鎵可持續(xù)發(fā)展報告
今年2月,納微半導體發(fā)布了寬禁帶行業(yè)首份可持續(xù)發(fā)展報告。報告指出,每顆出貨的清潔、綠色氮化鎵功率芯片可節(jié)省 4 kg CO2排放,GaN有望節(jié)省高達 2...
國產氮化鎵快充重大突破,三大核心芯片實現(xiàn)自主可控,性能達到國際先進水準
充電頭網近日從供應鏈獲悉,國產氮化鎵快充研發(fā)取得重大突破,三大核心芯片實現(xiàn)自主可控,性能達到國際先進水準。 一、氮化鎵快充市場規(guī)模 氮化鎵(galliu...
氮化鎵功率器件在性能、效率、能耗、尺寸等多方面比市場主流的硅功率器件均有顯著數(shù)量級的提升。例如,相比主流的硅基MOSFET、IGBT,氮化鎵功率器件的開...
氮化鎵電源管理芯片市場將快速增長 據(jù)iSuppli公司,由于高端服務器、筆記本電腦、手機和有線通訊領域的快速增長,氮化鎵(GaN)電源管理半導體市
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