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標(biāo)簽 > 氮化鎵電源
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效率高達(dá)97.2%!港晟1kW圖騰柱無(wú)橋PFC+LLC氮化鎵電源方案解析
前言目前高功率電源設(shè)計(jì)面臨效率、散熱與體積的多重挑戰(zhàn),傳統(tǒng)升壓PFC+LLC方案雖成熟,但在效率(尤其低負(fù)載時(shí))和功率密度上已接近瓶頸,且復(fù)雜電路增加了...
氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC)開(kāi)發(fā)的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)
氮化鎵(GaN)功率器件以離散形式已在電源充電器的應(yīng)用領(lǐng)域得到廣泛采用。在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,GaN高遷移率電子晶體管(HEMT)的諸多材料和器件優(yōu)勢(shì)也推動(dòng)...
什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管...
全電壓!PD 20W氮化鎵電源方案認(rèn)證款:U8722BAS+U7612B
全電壓!PD20W氮化鎵電源方案認(rèn)證款:U8722BAS+U7612B上次給大家介紹了20W氮化鎵單電壓的應(yīng)用方案,立馬就有小伙伴發(fā)出了全電壓應(yīng)用方案的...
高頻低損耗大電流電感 氮化鎵電源方案設(shè)計(jì)理想之選
CSBA系列通過(guò)采用低損耗金屬磁粉芯材料和優(yōu)化的線圈結(jié)構(gòu),進(jìn)一步降低磁芯損耗和電阻損耗,從而提升氮化鎵電源的整體效率。例如,在數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源中,低損...
2025-02-20 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器氮化鎵電源 457 0
降本高壓下,鋰電核心裝備“應(yīng)對(duì)”與“出路”
降本高壓下,鋰電設(shè)備企業(yè)如何穿越漫漫周期?
2023-11-01 標(biāo)簽:鋰電池激光器物聯(lián)網(wǎng) 960 0
GaN加速商業(yè)化進(jìn)程 國(guó)內(nèi)GaN產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)現(xiàn)狀及前景分析
氮化鎵(GaN)是一種由氮和鎵組成的半導(dǎo)體材料,因其禁帶寬度大于2.2eV,故又稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是在藍(lán)色發(fā)光器件中具...
INN650D260A氮化鎵200w電源方案設(shè)計(jì)3C+2A
氮化鎵電源方案功率通常達(dá)到65W、100W、120W等,氮化鎵功率器件生產(chǎn)商英諾賽科推出INN650D260A氮化鎵200w電源方案設(shè)計(jì)3C+2A多口輸...
2023-08-08 標(biāo)簽:氮化鎵電源 2949 0
華為、浪潮力推GaN,萬(wàn)億級(jí)市場(chǎng)打開(kāi)
氮化鎵在服務(wù)器電源領(lǐng)域愈發(fā)扮演著重要角色,今天,“行家說(shuō)”將為大家?guī)?lái)3條該領(lǐng)域的內(nèi)容服務(wù),并為大家分析GaN備受數(shù)據(jù)中心青睞的原因。
2023-07-06 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)氮化鎵電源GaN 1202 0
Transphorm推出參考設(shè)計(jì)組合,加快USB-C PD氮化鎵電源適配器的開(kāi)發(fā)
公司內(nèi)部以及合作開(kāi)發(fā)的七款設(shè)計(jì)工具可以為45W至140W的 適配器帶來(lái)高性能650V氮化鎵FET的優(yōu)勢(shì) ? 加州戈利塔--(新聞稿)-- (美國(guó)商業(yè)資訊...
納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首份氮化鎵可持續(xù)發(fā)展報(bào)告
今年2月,納微半導(dǎo)體發(fā)布了寬禁帶行業(yè)首份可持續(xù)發(fā)展報(bào)告。報(bào)告指出,每顆出貨的清潔、綠色氮化鎵功率芯片可節(jié)省 4 kg CO2排放,GaN有望節(jié)省高達(dá) 2...
國(guó)產(chǎn)氮化鎵快充重大突破,三大核心芯片實(shí)現(xiàn)自主可控,性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水準(zhǔn)
充電頭網(wǎng)近日從供應(yīng)鏈獲悉,國(guó)產(chǎn)氮化鎵快充研發(fā)取得重大突破,三大核心芯片實(shí)現(xiàn)自主可控,性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水準(zhǔn)。 一、氮化鎵快充市場(chǎng)規(guī)模 氮化鎵(galliu...
氮化鎵功率器件在性能、效率、能耗、尺寸等多方面比市場(chǎng)主流的硅功率器件均有顯著數(shù)量級(jí)的提升。例如,相比主流的硅基MOSFET、IGBT,氮化鎵功率器件的開(kāi)...
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