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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵（GaN）是一種第三代半導(dǎo)體材料，與硅相比，它的禁帶寬度、擊穿場強(qiáng)、電子飽和速度都大大優(yōu)于硅，尤其在高頻和高速開關(guān)狀態(tài)下。由于其出色的電子移動性、...
高效氮化鎵電源設(shè)計方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設(shè)計中實現(xiàn)高效率
氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)，...
氮化鎵電源發(fā)熱嚴(yán)重嗎 氮化鎵電源優(yōu)缺點
相對于傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵電源在高功率工作時產(chǎn)生的熱量較少，因為氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導(dǎo)率。這意味著在相同功率輸出下，氮化鎵電源相對于傳統(tǒng)的硅...
2021年5月份，USB-IF協(xié)會正式發(fā)布了USB PD3.1快充標(biāo)準(zhǔn)，將最大充電功率提升至240W，同時新增28V、36V、48V三組固定輸出電壓檔位...
氮化鎵(GaN) 是一種寬禁帶的直接帶隙半導(dǎo)體，它有著很寬的直接帶隙，很高的擊穿場強(qiáng)，很高的熱導(dǎo)率和非常好的物理、化學(xué)穩(wěn)定性。正因其各方面都有著非常好的...
2023-07-27 標(biāo)簽：氮化鎵半導(dǎo)體芯片GaN技術(shù) 1960 0
氮化鎵（GaN）被認(rèn)為是自硅以來影響最大的半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品，該材料能夠在比傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料高得多的電壓下工作。更高的電壓意味著更高的效率，因此基于GaN的R...
來源：電子工程專輯 比碳化硅器件，氮化鎵功率器件在同時對效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場景中，將更有優(yōu)勢，比如氮化鎵基器件已成功規(guī)模應(yīng)用于快充領(lǐng)域。...
GaN技術(shù)可以提高雷達(dá)的性能和適用性，但也需要更多的測試和優(yōu)化，在雷達(dá)中的應(yīng)用有以下優(yōu)勢和劣勢： 優(yōu)勢： GaN提供更高的功率水平和更強(qiáng)的魯棒性，可以提...
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術(shù)之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。
針對氮化鎵的優(yōu)化KABRA工藝，可使產(chǎn)能提升近40%！
切割出片數(shù)量方面，以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例，在切割指定厚度為400微米的襯底時，KABRA工藝可切11片，相比之下出片數(shù)量增加了37.5%。
到2030年，10類關(guān)鍵核心產(chǎn)品可靠性水平達(dá)到國際先進(jìn)水平，可靠性標(biāo)準(zhǔn)引領(lǐng)作用充分彰顯，培育一批可靠性公共服務(wù)機(jī)構(gòu)和可靠性專業(yè)人才，我國制造業(yè)可靠性整體...
商務(wù)部/海關(guān)總署發(fā)布對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制
商務(wù)部 海關(guān)總署公告2023年第23號 關(guān)于對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制的公告
GaN開始為人所知是在光電LED市場，廣為人知則是在功率半導(dǎo)體的消費電子快充市場。但實際上，GaN最初在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的目標(biāo)據(jù)說是新能源汽車市場，而非消...
車規(guī)級氮化鎵（GaN）技術(shù)有何優(yōu)勢？
作為電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)之一，基于GaN的電能轉(zhuǎn)換技術(shù)在消費電子、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，這對提高電能的高效利用及實現(xiàn)節(jié)能減排起著關(guān)鍵作用。
2023-06-29 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵GaN 1314 0
三菱電機(jī)開發(fā)出首款可覆蓋3400MHz頻段的氮化鎵(GaN)功率放大器
News Releases 三菱電機(jī)采用單個GaN功率放大器實現(xiàn)4G、5G及Beyond 5G/6G通信系統(tǒng)寬帶運行 將有助于實現(xiàn)無線電單元共享和基站節(jié)...
拓爾微電子自有品牌65W 2C1A氮化鎵快充，內(nèi)置協(xié)議芯片和降壓轉(zhuǎn)換器均為自家解決方案——IM2403、IM2406、TMI2286D，支持多種快速充電...
45W氮化鎵快充全套方案！采用智融SW1123+SW1608+SW2303
因為使用了合封氮化鎵芯片，所以電路設(shè)計很簡潔，降低設(shè)計和加工成本，整套方案性價比不錯，且各輸入輸出電壓和各個負(fù)載段都擁有極佳的效率，峰值效率高達(dá)93.6...
作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。 氮化鎵技術(shù)，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，越來越多地...
目前，許多企業(yè)在SiC MOSFET的批量化制造生產(chǎn)方面遇到了難題，其中如何降低SiC/SiO?界面缺陷是最令人頭疼的問題。
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