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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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iCoupler技術(shù)為AC/DC設(shè)計中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來諸多優(yōu)勢
大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長，因此高效AC/DC電源對于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。但是，電力電子行業(yè)中的硅MOSF...
智融科技是國內(nèi)較早進(jìn)入高集成移動電源快充SOC芯片設(shè)計領(lǐng)域的公司之一，所推出的移動電源芯片具有接口支持多，協(xié)議支持全面，內(nèi)部集成開關(guān)管等控制邏輯，支持?jǐn)?shù)...
什么是氮化鎵半導(dǎo)體 氮化鎵半導(dǎo)體在產(chǎn)品上的具體應(yīng)用
氮化鎵元件一個很大的優(yōu)勢在于它極快的開關(guān)速度，它的柵極電容和輸出電容比硅基MOSFET小的多，同時由于沒有體二極管pn結(jié)，因此在硬開關(guān)中，沒有相關(guān)的反向...
SJ MOSFET的應(yīng)用及與SiC和GaN的比較
超結(jié)（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來，在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）...
工程師兩難之氮化鎵GaN還是碳化硅SiC？到底該pick誰？
作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕，氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界，特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導(dǎo)體，是因為...
第三代半導(dǎo)體（氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等）的崛起和發(fā)展推動了功率器件尤其是半導(dǎo)體器件不斷走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前進(jìn)，對封裝基板...
一種是通過生長碳化硅同質(zhì)外延，下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領(lǐng)域的導(dǎo)電型襯底，外延層上制造各類功率器件； 另一種是通過生長氮化鎵異質(zhì)外延...
氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域被廣泛使用。
拆解：公牛67W氮化鎵快充插座，采用智融SW3516P主控芯片！
看了一個拆解視頻。公牛67W氮化鎵快充移動插座。 采用黑色外殼，搭配銀色面板，更加適配現(xiàn)代裝飾風(fēng)格。插座配備了一個新國標(biāo)五孔插孔和一個新國標(biāo)兩孔插孔，并...
氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常...
MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用
摘要：柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關(guān)鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面，金屬和半導(dǎo)體的直接接觸會導(dǎo)致界面缺陷和固定電荷，這會降低氮化鎵高...
當(dāng)今市場上有許多晶體管選擇，它們將各種技術(shù)與不同的半導(dǎo)體材料相結(jié)合。因此，縮小哪一個最適合特定設(shè)計的范圍可能會令人困惑。在這些選擇中，GaN晶體管是，但...
RF LDMOS之于早期蜂窩網(wǎng)絡(luò)，氮化鎵（GaN）之于現(xiàn)代和高頻應(yīng)用。與砷化鎵（GaAs）和Si LDMOS相比，GaN長期以來一直具有難以超越的優(yōu)勢：
氮化鎵是在高頻應(yīng)用中實現(xiàn)高效運行的無可爭議的技術(shù)，例如 X 波段 （8–12 GHz） 的應(yīng)用。SiC器件上的GaN可以為這些應(yīng)用提供急需的高溫可靠性和...
深度拆解：納微NV6136A助力打造聯(lián)想超薄餅干65W氮化鎵充電器
同時充電器具有65W主流輸出功率，功率密度高達(dá)1.39W/cm3，并且兼容PD3.0、QC3.0以及PPS三大快充協(xié)議，成為快充界的“卷王擔(dān)當(dāng)”。下面來...
氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應(yīng)用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達(dá) 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達(dá) 3...
除了氮化鎵，快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域
氮化鎵 (GaN) 或碳化硅 (SiC) 器件也被成為第三代半導(dǎo)體，其禁帶寬度約是硅器件的3倍，擊穿場強約是硅器件的10倍，因而具有更高的耐壓能力以及更...
氮化鎵GaN驅(qū)動器PCB設(shè)計必須掌握的要點
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關(guān)。之前...
隨著第三代半導(dǎo)體材料的逐步應(yīng)用，對頻率要求更高，據(jù)我們了解理想頻率應(yīng)達(dá)到300KHz以上。對磁芯來說，您認(rèn)為頻率應(yīng)達(dá)到多少才會滿足需求？對磁芯的選材有什么要求？
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