氮化鎵功率器件分類 氮化鎵充電器為什么充電快

　氮化鎵功率器件可以分為三類：MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、IGBT（晶閘管）和JFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。

2023-02-19 標(biāo)簽：晶閘管IGBT功率器件 2483 0

找到你的高壓電源設(shè)計(jì)最佳平衡點(diǎn)

當(dāng) 750V 第 4 代 SiC FET 與第 3 代 650V 的比較令人吃驚——例如，6 毫歐器件顯示兩個(gè) R 的強(qiáng)度幾乎減半DS?品質(zhì)因數(shù)和體二極...

2023-02-17 標(biāo)簽：電源SiC氮化鎵 265 0

氮化鎵技術(shù)是誰(shuí)突破的技術(shù)

氮化鎵技術(shù)是誰(shuí)突破的技術(shù) 作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件，氮化鎵應(yīng)用范圍非常廣泛，氮化鎵在數(shù)據(jù)中心，新能源汽車等領(lǐng)域都有運(yùn)用。那么這么牛的氮化鎵技...

2023-02-16 標(biāo)簽：晶體氮化鎵GaN 4995 0

氮化鎵用途和性質(zhì)

氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，具有良好的電子特性，可以用于改善電子器件的性能。氮化鎵的主要用途是制造半導(dǎo)體器件，如晶體管、集成電路和光電器件。

2023-02-15 標(biāo)簽：晶體管半導(dǎo)體材料氮化鎵 3528 0

第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵的性能特征

　　GaN是一種無(wú)機(jī)物質(zhì)，其化學(xué)式為GaN，是氮和鎵的化合物，是自1990年以來(lái)常用于發(fā)光二極管的直接帶隙半導(dǎo)體。該化合物在結(jié)構(gòu)上類似于金雞石，具有高硬...

2023-02-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光器氮化鎵 2601 0

氮化鎵材料具有哪些優(yōu)勢(shì)

　　以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體即寬帶隙半導(dǎo)體，具有高頻、高效率、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)異性能，滿足了節(jié)能減排等國(guó)家重大戰(zhàn)略需求，智...

2023-02-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 6597 0

氮化鎵技術(shù)的壁壘是什么 氮化鎵晶體管工作原理

氮化鎵晶體管型號(hào)參數(shù)主要包括電壓限值、電流密度、功率密度、效率、溫度系數(shù)、漏電流、漏電壓、抗電磁干擾能力等。

2023-02-14 標(biāo)簽：晶圓晶體管氮化鎵 2275 0

氮化鎵外延片是什么 氮化鎵有哪些分類

氮化鎵外延片是一種由氮化鎵制成的薄片，它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。氮化鎵外延片具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造高精度的零件和...

2023-02-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電子器件氮化鎵 5039 0

什么是氮化鎵，氮化鎵有哪些好處

　　氮化鎵是一種無(wú)機(jī)化合物，它是一種稀有的金屬氮化物，具有高熔點(diǎn)、高硬度和良好的電學(xué)性能。它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件，也可以用于制造磁性...

2023-02-14 標(biāo)簽：晶體管電子器件氮化鎵 9338 0

氮化鎵屬于無(wú)機(jī)非金屬材料嗎

　　20世紀(jì)40年代后，傳統(tǒng)的鋁硅酸鹽材料被選為無(wú)機(jī)非金屬材料，與有機(jī)聚合物材料和金屬材料并列為三大材料之一。無(wú)機(jī)非金屬材料是由一些原始氮化合物和鹵素?zé)?..

2023-02-13 標(biāo)簽：氮化鎵GaN 4791 0

氮化鎵技術(shù)在電源應(yīng)用方面的優(yōu)勢(shì)

　GaN和SiC屬于高帶隙的第三代半導(dǎo)體材料，與第一代Si和第二代GaAs等前輩相比，它們?cè)谔匦陨暇哂型怀鰞?yōu)勢(shì)。由于大的帶隙和高的熱導(dǎo)率，GaN器件可以...

2023-02-13 標(biāo)簽：氮化鎵 1140 0

氮化鎵和碳化硅的對(duì)比

氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定...

2023-02-13 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅微電子器件 1.1萬(wàn) 0

氮化鎵屬于什么晶體，GaN材料具有哪些優(yōu)勢(shì)

　　氮化鎵（氮化鎵）是一種半導(dǎo)體材料，是一種用于制造光電子器件的高性能晶體。它的優(yōu)點(diǎn)是可以提供高功率、低成本、高性能和高可靠性的系統(tǒng)。與硅基解決方案相比...

2023-02-13 標(biāo)簽：晶體管電子器件氮化鎵 6063 0

氮化鎵技術(shù)概念股

氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常...

2023-02-13 標(biāo)簽：激光二極管半導(dǎo)體材料氮化鎵 3381 0