通過精密功率分析準(zhǔn)確量化磁芯損耗?

提供精確測量磁芯損耗的能力對于磁設(shè)計和熱設(shè)計具有重要意義。由于碳化硅和氮化鎵等能夠在越來越高的頻率下運行的新半導(dǎo)體技術(shù)的引入，該主題變得越來越重要。這些...

2022-08-09 標(biāo)簽：濾波器磁芯氮化鎵 3204 0

氮化鎵 (GaN) 技術(shù)：屬性、優(yōu)點、不同制造工藝及最新進展

本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術(shù) ：其屬性、優(yōu)點、不同制造工藝以及最新進展。這種更深入的探討有助于我們了解 ：為什么 GaN 能夠在當(dāng)今這個技術(shù)驅(qū)...

2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 2.0萬 0

碳化硅和氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)

晶體結(jié)構(gòu)是通過原子（或離子/分子）組的周期性分布來實現(xiàn)的。理想情況下，考慮到在空間坐標(biāo)中延伸到無窮大的晶體，周期性轉(zhuǎn)化為平移不變性（或平移對稱性）。因此...

2022-07-29 標(biāo)簽：晶體氮化鎵碳化硅 9301 0

GaN-on-Si功率技術(shù):器件和應(yīng)用

在過去幾年中，氮化鎵 (GaN) 在用于各種高功率應(yīng)用的半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力。與硅基半導(dǎo)體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅硬且穩(wěn)定的寬帶隙 (WB...

2022-07-29 標(biāo)簽：升壓轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 1673 0

使用GaN實現(xiàn)高功率密度和高效系統(tǒng)

氮化鎵是電力電子行業(yè)的熱門話題，因為它可以為電信電源等應(yīng)用提供高效設(shè)計；電動汽車充電；加熱，通風(fēng)和空調(diào); 電器；和消費電源適配器。在工業(yè)應(yīng)用中，氮化鎵取...

2022-07-29 標(biāo)簽：氮化鎵GaN柵極驅(qū)動器 1398 0

用于電機控制的GaN技術(shù)

基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有出色的電氣特性，是高壓和高開關(guān)頻率電機控制應(yīng)用中 MOSFET 和 IGBT 的有效...

2022-07-27 標(biāo)簽：電源電機控制氮化鎵 2562 0

GaN使硅變得容易

就像生活中的現(xiàn)實一樣，當(dāng)老年人離開年輕人的舞臺時，Silicon 正在鞠躬。氮化鎵 (GaN) 的出現(xiàn)和采用已成功地逐步淘汰了舊的可靠硅。四十多年來，隨...

2022-07-27 標(biāo)簽：MOSFET氮化鎵GaN 912 0

GaN改進了D類放大器

對于那些堅持使用經(jīng)典放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的人來說，他們的要求將集中在準(zhǔn)確的音頻再現(xiàn)上，而很少考慮解決方案的整體電氣效率。雖然這在家庭音頻環(huán)境中是完全合理的，但...

2022-07-27 標(biāo)簽：放大器MOSFET氮化鎵 1299 0

通過硅和GaN實現(xiàn)高性能電源設(shè)計

MasterGaN 將硅與 GaN 相結(jié)合，以加速創(chuàng)建下一代緊湊型高效電池充電器和電源適配器，適用于高達(dá) 400 W 的消費和工業(yè)應(yīng)用。通過使用 GaN...

2022-07-27 標(biāo)簽：電源晶體管氮化鎵 649 0

增強型GaN HEMT的漏極電流特性

已經(jīng)為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管 （HEMT）的增強模式開發(fā)了兩種不同的結(jié)構(gòu)。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體 （MIS） 結(jié)構(gòu)，2具有由電壓驅(qū)...

2022-07-25 標(biāo)簽：氮化鎵HEMT 4418 0

高效電源管理系統(tǒng)設(shè)計的發(fā)展趨勢

從智能手機和電動汽車 (EV) 到 EV 充電站和電信中心，電源管理已日益成為我們?nèi)粘Ｊ褂玫碾娮赢a(chǎn)品的關(guān)鍵因素。直到最近幾年，高效電源管理常常被其他設(shè)計...

2022-07-14 標(biāo)簽：電源管理emi氮化鎵 848 0

氮化鎵集成電路縮小電動自行車和無人機的電機驅(qū)動器

基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計EPC9173無論是在尺寸、性能、續(xù)航里程、精度和扭矩方面，優(yōu)化了電機系統(tǒng)且簡化設(shè)計和加快產(chǎn)品推出市場的時間。我們可以把這...

2022-06-06 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵電機驅(qū)動器 2773 0

采用LDR6282的PD協(xié)議芯片的充電+拓展+投屏三合一的Type-C適配器拆解

雙口DRP USB PD Controller LDR6282，順利通過了USB-IF的PD3.0認(rèn)證，TID: 2127。LDR6282芯片具有雙C口...

2022-05-13 標(biāo)簽：適配器擴展塢PD 7602 0

意法半導(dǎo)體首款氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器瞄準(zhǔn)下一代50W高能效電源設(shè)計

VIPERGAN50是意法半導(dǎo)體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓（9 V至23 V）下提供高達(dá)50?W功率的產(chǎn)品。這也是ST首款采用氮化鎵(Ga...

2022-05-12 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器意法半導(dǎo)體氮化鎵 5921 0

如何對氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進行干法刻蝕

氮化鎵作為一種寬帶隙半導(dǎo)體，已被用于制造發(fā)光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經(jīng)開發(fā)了幾種用于氮化鎵基材料的不同干蝕刻技術(shù)。電感耦合等離子體刻蝕因其優(yōu)...

2022-04-26 標(biāo)簽：發(fā)光二極管氮化鎵蝕刻 2391 0

現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 電源設(shè)計

為了擴大 GaN 在汽車、并網(wǎng)存儲和太陽能等新應(yīng)用中的應(yīng)用（圖 3），TI 正在展示其自己的對流冷卻、900V、5kW 雙向 AC/DC 平臺。 該平臺...

2022-04-22 標(biāo)簽：fpga氮化鎵GaN 5835 0

一種強有力的各向異性濕法化學(xué)刻蝕技術(shù)

我們展示了在c平面藍(lán)寶石上使用磷酸、熔融氫氧化鉀、氫氧化鉀和乙二醇中的氫氧化鈉生長的纖鋅巖氮化鎵的良好控制結(jié)晶蝕刻，蝕刻速率高達(dá)3.2mm/min。晶體...

2022-04-14 標(biāo)簽：工藝氮化鎵蝕刻 1611 0