氮化鎵(GaN)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用領(lǐng)域

氮化鎵 (GaN) 晶體管于 20 世紀(jì) 90 年代亮相，目前廣泛應(yīng)用于商業(yè)和國(guó)防領(lǐng)域，但工程應(yīng)用可能大相徑庭。不相信?可以理解。但在您閱讀本書(shū)之后，可...

2022-03-10 標(biāo)簽：射頻氮化鎵GaN 1.1萬(wàn) 0

GaN襯底制造過(guò)程中N面氮化鎵清洗工藝的研究報(bào)告

氮化鎵由于其寬的直接帶隙、高熱和化學(xué)穩(wěn)定性，已成為短波長(zhǎng)發(fā)射器（發(fā)光二極管和二極管激光器）和探測(cè)器等許多光電應(yīng)用的誘人半導(dǎo)體，以及高功率和高溫電子器件。...

2022-02-08 標(biāo)簽：氮化鎵CMPGaN 3930 0

射頻硅基氮化鎵：兩個(gè)世界的最佳選擇

在現(xiàn)代5G無(wú)線電架構(gòu)中部署的射頻功率放大器（PA）在滿足對(duì)更高性能和更低成本的明顯矛盾的需求方面起著重要作用。

2022-01-26 標(biāo)簽：射頻功率放大器無(wú)線電 4066 0

利用氮化鎵芯片組實(shí)現(xiàn)高效率、超緊湊的反激式電源

在傳統(tǒng)的有源鉗位設(shè)計(jì)中，初級(jí)MOSFET和有源鉗位開(kāi)關(guān)以互補(bǔ)方式進(jìn)行工作（因此這些鉗位電路被稱(chēng)為“互補(bǔ)模式有源鉗位”電路）。

2021-10-27 標(biāo)簽：變壓器MOSFET氮化鎵 1717 0

氮化鎵如何使更輕小的5G解決方案成為可能

隨著 5G 的推出，下一代蜂窩網(wǎng)絡(luò)有望提供三種非常重要的功能，進(jìn)而改變我們應(yīng)用無(wú)線技術(shù)的方式。

2021-09-15 標(biāo)簽：無(wú)線電氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)器 3919 0

氮化鎵充電器有什么優(yōu)點(diǎn)？拆解倍思120W氮化鎵充電器,從內(nèi)部來(lái)看這個(gè)充電器如何?

倍思120W氮化鎵充電器是一款120W氮化鎵 (GaN）+碳化硅（SiC) 充電器。 有2個(gè)USB Type-C輸出接口和1個(gè)USB Type-A輸出接...

2021-08-31 標(biāo)簽：充電器asic氮化鎵 1.2萬(wàn) 0

又是碳化硅（SiC)，它到底好在哪里？

碳化硅和氮化鎵技術(shù)的“甜區(qū)”在哪里？

2021-06-02 標(biāo)簽：MOSFET逆變器IGBT 3153 0

ROHM借助更合適的同步整流技術(shù)滿足市場(chǎng)需求

如果控制器的輸出和柵極之間存在不連續(xù)的情況，那么MOSFET將無(wú)法打開(kāi)，且電流會(huì)流過(guò)體二極管，從而導(dǎo)致MOSFET過(guò)熱。

2021-05-18 標(biāo)簽：MOSFET氮化鎵同步整流 1812 0

電機(jī)驅(qū)動(dòng)中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景

通過(guò)采用電子馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器或“電壓源逆變器”可實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的增強(qiáng)型控制，此類(lèi)驅(qū)動(dòng)器通常會(huì)產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來(lái)控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動(dòng)器采用...

2021-04-28 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件氮化鎵 2740 0

用氮化鎵消除激光雷達(dá)的障礙

激光雷達(dá)的全稱(chēng)是光檢測(cè)和測(cè)距，即通過(guò)光波段中的電磁輻射所進(jìn)行的（遠(yuǎn)程）檢測(cè)和測(cè)量。這種裝置采用了經(jīng)典、簡(jiǎn)單的雷達(dá)原理，不同的是它使用的是由激光脈沖所組成...

2021-04-14 標(biāo)簽：傳感器氮化鎵激光雷達(dá) 1339 0

【全套國(guó)產(chǎn)芯片】亞成微65W高功率密度氮化鎵快充參考設(shè)計(jì)評(píng)測(cè)

對(duì)亞成微 65W氮化鎵快充參考設(shè)計(jì)進(jìn)行溫升測(cè)試，在溫度約為25℃的恒溫箱內(nèi)以 功率持續(xù)輸出1小時(shí)，測(cè)得該方案正面最高溫度約為108℃，最高溫度點(diǎn)出現(xiàn)在變...

2021-04-02 標(biāo)簽：微控制器pcb氮化鎵 3263 0

GaN Charger推薦方案- HGN093N12S/SL高頻應(yīng)用MOSFET

選用本款HGN093N12S/SL產(chǎn)品， 可以讓客戶提高整機(jī)效率， 并且溫度也隨之下降， 效率提升之外， 整體表現(xiàn)與CP值都能有效提升。

2021-03-23 標(biāo)簽：MOSFETMOS管氮化鎵 3503 0