基于增強型氮化鎵（eGaN?技術）的電源轉(zhuǎn)換器設計

基于增強型氮化鎵（eGaN?技術）的電源轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點，其現(xiàn)有數(shù)據(jù)中心和集中于低至1VDC負載電壓的48 VDC輸入電壓所用的電信架構(gòu)解決方案。

2021-01-20 標簽：服務器電源轉(zhuǎn)換器氮化鎵 2848 0

一文解讀DC/DC轉(zhuǎn)換器的熱管理及熱分析

系統(tǒng)級熱設計對于DC / DC轉(zhuǎn)換器的電氣規(guī)格同樣重要。越來越多的分布式電源架構(gòu)（DPA）使用增加了熱設計的復雜性。

2021-01-20 標簽：熱敏電阻DC-DC轉(zhuǎn)換器氮化鎵 6397 0

什么是激光雷達 如何用氮化鎵消除激光雷達

在實際的激光雷達系統(tǒng)中，傳統(tǒng)的硅器件（例如MOSFET）無法為其激光驅(qū)動器實現(xiàn)提供必要的性能。為了增強控制，MOSFET的溝道必須很大，這會導致寄生電容...

2021-01-11 標簽：激光器氮化鎵adas 5518 0

基于GaN晶體管的特性測量交叉導通方案

驗證電源半橋拓撲是否正確交叉導通的常用方法是使用兩個探針同時驗證高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動信號之間的死區(qū)時間。

2021-01-08 標簽：開關電源晶體管氮化鎵 2715 0

線性S參數(shù)數(shù)據(jù)與非線性數(shù)據(jù)相結(jié)合的RF放大器模型結(jié)構(gòu)解析

傳統(tǒng)上，線性和非線性RF電路仿真占據(jù)了不同領域。為了仿真級聯(lián)小信號增益和損耗，RF設備設計人員傳統(tǒng)上一直廣泛使用S參數(shù)器件模型。由于缺乏數(shù)字形式的數(shù)據(jù)（...

2020-12-21 標簽：放大器氮化鎵模擬系統(tǒng) 3329 0

Qorvo是如何布局5G射頻 持續(xù)整合的自屏蔽模塊是未來趨勢

5G 使得通信行業(yè)迎來重大變革，通信頻段數(shù)量從 4G 時代開始就處于快速增長的狀態(tài)，其中射頻前端作為手機通信功能的核心組件，將直接受益。

2020-09-03 標簽：射頻emi氮化鎵 4653 0

利用氮化鎵場效應晶體管和LM5113半橋驅(qū)動器實現(xiàn)的功率及效率

但如何能夠產(chǎn)生所要求的快速變化、帶寬處于數(shù)十兆赫茲（MHz）范圍的供電電壓？我們可以通過不同的方法來實現(xiàn)。其中一個方法是使用如圖2所示的混合式線性放大器...

2020-08-26 標簽：驅(qū)動器晶體管氮化鎵 2951 0

氮化鎵GaN詳細對比分析 納微和英諾賽科氮化鎵GaN產(chǎn)品應用

作者：馬坤 （郵箱：kuner0806@163.com） 隨著中國芯GaN產(chǎn)品上市，引起了大家的關注，PD產(chǎn)品更是多姿多彩；納微GaN產(chǎn)品和英諾賽科Ga...

2020-05-12 標簽：氮化鎵GaN英諾賽科 2.6萬 2

東微半導體超級硅MOSFET系列產(chǎn)品，可取代了氮化鎵高能效要求

東微半導體的GreenMOS系列產(chǎn)品是國內(nèi)最早量產(chǎn)并進入工業(yè)級應用的高壓超級結(jié)產(chǎn)品系列，在國產(chǎn)品牌中占有領先地位，廣泛應用于充電樁模塊，通訊電源等大功率...

2020-04-22 標簽：mosfet半導體氮化鎵 6889 0

氮化鎵GaN充電器中同步整流的應用

整理了市面上發(fā)售的氮化鎵GaN 充電器產(chǎn)品。一波是采用PI的主控芯片，PI芯片集成了主控＋功率器件＋同步整流；一波是采用納微GaN產(chǎn)品（QR／ACF＋N...

2020-04-07 標簽：氮化鎵同步整流MPS 1.3萬 0

采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應用PCB layout

采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應用PCB layout 作者 ：馬坤 郵箱：kuner0806@163.com NV611X系列 半橋應用電路圖...

2020-03-24 標簽：pcb氮化鎵GaN 6828 0

采用NV611X系列氮化鎵（GaN）進行電源設計熱處理及PCB layout 注意事項

介紹 GaN功率集成電路提供超低電容，優(yōu)良的開關特性，低RDS（ON），封裝在一個小QFN封裝里。這些特性使GaN非常適合在高頻下工作，并支持高密度電源...

2020-03-20 標簽：Pcb充電器氮化鎵 5200 0