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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學性能，廣泛應用于電子、通訊、能源等領...
什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管...
氮化鎵充電器和普通充電器是兩種不同的充電設備，它們在充電速度、充電效率、體積大小、重量、安全性能等方面存在一些差異。下面我們將詳細介紹氮化鎵充電器和普通...
隨著科技的發(fā)展，電子產(chǎn)品已經(jīng)成為了我們生活中的必需品。而為了保持這些產(chǎn)品的正常運行，需要一種高效、快速、安全的充電方式。氮化鎵充電器就是一種基于氮化鎵半...
SIC比SI有什么優(yōu)勢？碳化硅優(yōu)勢的實際應用
SiC的導熱性大約是Si的三倍，并且將其他特性的所有優(yōu)點結(jié)合在一起。導熱率是指熱量從半導體結(jié)傳遞到外部環(huán)境的速度。這意味著SiC器件可以在高達200°C...
簡單來說，化成分容就是為了激活電池。通常離子電池經(jīng)過繁雜的工序，只是生成半成品電芯，還未完成激活就無法正常使用，因此需要化成分容設備激活內(nèi)部的活性物質(zhì)，...
以碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體可在功率轉(zhuǎn)換應用中實現(xiàn)更快的開關速度、更低的損耗和更高的功率密度。隨著功率半導體效率的提高，碳化...
新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE 技術在 GaN 材料...
使用寬帶隙技術最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度
提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預計這一趨勢將持續(xù)下去，從而實現(xiàn)新的市場、應用和產(chǎn)品。這篇博客向設計工程師介紹了意法半導體（ST）的電源解決方案...
南芯POWERQUARK?系列AC/DC轉(zhuǎn)換器解決方案
功率密度的大幅提升離不開第三代半導體的助力，氮化鎵是第三代半導體材料的典型代表，它可在更高的頻率下運行，且具有更快的開關速度和更低的功耗。2018年前后...
氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導體材料。 氮化鎵材料為第三代半導體材料的典...
廈門大學張保平教授課題組發(fā)表綠光GaN基VCSEL重要成果
近日，廈門大學電子科學與技術學院張保平教授等在氮化鎵垂直腔面發(fā)射激光器(GaN基VCSEL)方面取得新進展，相關成果以“Green Vertical-C...
硅材料的功率半導體器件已被廣泛應用于大功率開關中，如電源、電機控制、工廠自動化以及部分汽車電子器件。這些硅材料功率半導體器件都著重于減少功率損耗。在這些...
氮化鎵（GaN）功率器件在幾個關鍵性能指標上比硅（Si）具有優(yōu)勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場，能實現(xiàn)更薄的漂移層，同時在較高的擊穿電...
基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 開關是PI恒壓/恒流準諧振離線反激式開關IC產(chǎn)品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技術...
GaN近期為何這么火？如果再有人這么問你，你可以這樣回答：因為我們離不開電源。
基于D1A32 GaN器件設計的功放，在1.3-1.8GHz內(nèi), 飽和功率均大于46dBm,峰值效率均大于64%。 注: Pulse輸入,周期為1mS...
PFC開關管來自納微，型號NV6136C，這是一顆高集成的氮化鎵功率芯片，內(nèi)置驅(qū)動器以及高精度無損耗電流采樣電路，消除取樣電阻的損耗。NV6136C內(nèi)置...
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