測(cè)試

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測(cè)試英文名Test、Measure;中文拼音cè shì；由中文“測(cè)”與中文“試”兩個(gè)字組成的詞語(yǔ)。是動(dòng)詞、名詞。測(cè)試行為，一般發(fā)生于為檢測(cè)特定的目標(biāo)是否符合標(biāo)準(zhǔn)而采用專用的工具或者方法進(jìn)行驗(yàn)證，并最終得出特定的結(jié)果。

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) 測(cè)試選型

測(cè)試技術(shù)

什么是高低溫濕熱試驗(yàn)（THB）？

濕熱試驗(yàn)概述濕熱試驗(yàn)是環(huán)境工程領(lǐng)域中一種關(guān)鍵的測(cè)試方法，通過(guò)在控制的高溫和高濕環(huán)境下對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行暴露，以評(píng)估產(chǎn)品在實(shí)際使用中對(duì)潮濕環(huán)境的適應(yīng)性和耐久性。這...

2024-12-02 標(biāo)簽：測(cè)試恒定濕熱試驗(yàn)濕熱試驗(yàn) 1235 0

FIB測(cè)試技術(shù)

聚焦離子束（FocusedIonBeam，簡(jiǎn)稱FIB）技術(shù)是一種精密的微納加工手段，它通過(guò)將離子束聚焦到極高的精度，實(shí)現(xiàn)對(duì)材料的精確蝕刻和加工。FIB技...

2024-12-02 標(biāo)簽：測(cè)試 fib 離子束 743 0

Poly方塊電阻的測(cè)試條件

CMOS工藝平臺(tái)的Poly 方塊電阻有四種類型的電阻，它們分別是n型金屬硅化物 Poly 方塊電阻、P型金屬硅化物 Poly 方塊電阻、n 型非金屬硅化...

2024-11-29 標(biāo)簽：CMOS 電阻測(cè)試 1575 0

PW方塊電阻的測(cè)試條件

圖5-34所示為PW方塊電阻的版圖，圖5-35所示為它的剖面圖。PW方塊電阻是通過(guò)DNW 隔離襯底（P-sub），如果沒(méi)有DNW的隔離，這個(gè)PW 方塊電...

2024-11-29 標(biāo)簽：電阻測(cè)試 649 1

淺談WAT測(cè)試類型

雖然 WAT測(cè)試類型非常多，不過(guò)業(yè)界對(duì)于 WAT測(cè)試類型都有一個(gè)明確的要求，就是包括該工藝技術(shù)平臺(tái)所有的有源器件和無(wú)源器件的典型尺寸。芯片代工廠會(huì)依據(jù)這...

2024-11-27 標(biāo)簽：CMOS 測(cè)試工藝 1385 0

半導(dǎo)體快速溫變測(cè)試的溫度循環(huán)控制標(biāo)準(zhǔn)

半導(dǎo)體材料簡(jiǎn)介半導(dǎo)體材料是一類具有介于導(dǎo)體和絕緣體之間的導(dǎo)電能力（電阻率在1mΩ·cm到1GΩ·cm之間）的材料，廣泛應(yīng)用于制造半導(dǎo)體器件和集成電路。根...

2024-11-27 標(biāo)簽：測(cè)試半導(dǎo)體 IPC 561 0

輻射發(fā)射測(cè)試：深入解析TS-RadiMation套件多種操作方法（四）

Raditeq RadiMation?套件作為輻射發(fā)射測(cè)試的得力助手，支持多種測(cè)試方法。

2024-11-28 標(biāo)簽：測(cè)試天線輻射發(fā)射 479 0

一文詳解纖維器件電學(xué)測(cè)試方法

纖維器件是一種以纖維為基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)形態(tài)的功能性元件。

2024-11-26 標(biāo)簽：傳感器測(cè)試發(fā)光二極管 802 0

氣密測(cè)試解決方案---汽摩發(fā)動(dòng)機(jī)

應(yīng)用背景發(fā)動(dòng)機(jī)作為汽車和摩托車最關(guān)鍵的心臟部位，整體的安全性可想而知，作為汽車、摩托車發(fā)動(dòng)機(jī)最必要的一環(huán)---氣密性檢測(cè)也是各個(gè)發(fā)動(dòng)機(jī)生產(chǎn)廠家最為關(guān)注的...

2024-11-26 標(biāo)簽：發(fā)動(dòng)機(jī)測(cè)試摩托車 569 0

WAT晶圓接受測(cè)試簡(jiǎn)介

WAT是英文 Wafer Acceptance Test 的縮寫(xiě)，意思是晶圓接受測(cè)試，業(yè)界也稱WAT 為工藝控制監(jiān)測(cè)（Process Control M...

2024-11-25 標(biāo)簽：芯片測(cè)試晶圓 1461 0

參考曲線狀態(tài)評(píng)估指南

在使用OSI系列設(shè)備進(jìn)行應(yīng)變或溫度傳感測(cè)試時(shí)，取參考是尤為重要的一個(gè)步驟。參考曲線能為我們提供諸如光纖樣品鏈路狀態(tài)、長(zhǎng)度等關(guān)鍵信息。因此，準(zhǔn)確理解參考曲...

2024-11-23 標(biāo)簽：測(cè)試光纖溫度傳感 648 0

循環(huán)腐蝕試驗(yàn)（CCT）：一種評(píng)估材料耐久性的動(dòng)態(tài)測(cè)試方法

鹽霧試驗(yàn)的演變與應(yīng)用鹽霧試驗(yàn)作為評(píng)估材料耐腐蝕性能的重要手段，其發(fā)展歷程體現(xiàn)了對(duì)自然環(huán)境模擬的不斷深入。從最初的恒定鹽霧測(cè)試，到噴霧-干燥循環(huán)，再到循環(huán)...

2024-11-23 標(biāo)簽：測(cè)試 cct 664 0

CP測(cè)試與FT測(cè)試有什么區(qū)別

本文介紹了在集成電路制造與測(cè)試過(guò)程中，CP（Chip Probing，晶圓探針測(cè)試）和FT（Final Test，最終測(cè)試）的概念、流程、難點(diǎn)與挑戰(zhàn)。 ...

2024-11-22 標(biāo)簽：測(cè)試 FT TFT測(cè)試 2003 0

“LoRa模塊脫機(jī)測(cè)試套件”產(chǎn)品實(shí)操測(cè)試教程

資料介紹Exx-xxxT(M)Bx-SC系列產(chǎn)品操作教程，以下是以T系列產(chǎn)品E32-433TBH-SC作為示例。1.1資料的下載在收到產(chǎn)品后

2024-11-22 標(biāo)簽：測(cè)試開(kāi)發(fā)板 LoRa 641 0

CP測(cè)試和WAT測(cè)試有什么區(qū)別

本文詳細(xì)介紹了在集成電路的制造和測(cè)試過(guò)程中CP測(cè)試（Chip Probing）和WAT測(cè)試（Wafer Acceptance Test）的目的、測(cè)試對(duì)象...

2024-11-22 標(biāo)簽：集成電路測(cè)試晶圓 1125 0

IV測(cè)試助力解芯片失效原因

在芯片這個(gè)微觀而又復(fù)雜的世界里，失效分析如同一場(chǎng)解謎之旅，旨在揭開(kāi)芯片出現(xiàn)故障的神秘面紗。而 IV（電流-電壓）測(cè)試作為一種重要的分析手段，在芯片失效分...

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場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡（FESEM）與常規(guī)掃描電鏡（SEM）：技術(shù)對(duì)比及優(yōu)勢(shì)分析

場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡與SEM的比較及優(yōu)勢(shì)在微觀世界的研究中，掃描電鏡（SEM）一直是科學(xué)家們探索材料表面和內(nèi)部結(jié)構(gòu)的重要工具。隨著技術(shù)的進(jìn)步，場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡（...

2024-11-21 標(biāo)簽：測(cè)試 SEM 掃描電鏡 1289 0

硬件電路設(shè)計(jì)的一般思路

目錄： 1、根據(jù)需求，先去找參考電路 2、沒(méi)有參考設(shè)計(jì)，自主設(shè)計(jì) 3、樣品制作 4、電路調(diào)試與測(cè)試 1、根據(jù)需求，先去找參考電路若能找到那再好不過(guò)，比...

2024-11-21 標(biāo)簽：pcb 測(cè)試硬件電路 682 0

EMC整改的正確方法

EMC整改定義是指產(chǎn)品在功能調(diào)試或EMC測(cè)試過(guò)程中出現(xiàn)問(wèn)題后所采取的彌補(bǔ)手法。 ? ? ?

2024-11-19 標(biāo)簽：測(cè)試 emc 884 0

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ESD HBM測(cè)試結(jié)果差異較大的原因，通常包括設(shè)備/儀器差異、?校準(zhǔn)和維護(hù)水平不同、?環(huán)境條件差異、?測(cè)試樣本差異、?測(cè)試操作員技能和經(jīng)驗(yàn)差異以及測(cè)試方...

2024-11-18 標(biāo)簽：ESD 測(cè)試實(shí)驗(yàn)室 1158 0

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Proteus軟件是英國(guó)Lab Center Electronics公司出版的EDA工具軟件（該軟件中國(guó)總代理為廣州風(fēng)標(biāo)電子技術(shù)有限公司）。它不僅具有其它EDA工具軟件的仿真功能，還能仿真單片機(jī)及外圍器件。
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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導(dǎo)熱硅脂俗稱散熱膏，導(dǎo)熱硅脂以有機(jī)硅酮為主要原料，添加耐熱、導(dǎo)熱性能優(yōu)異的材料，制成的導(dǎo)熱型有機(jī)硅脂狀復(fù)合物，用于功率放大器、晶體管、電子管、CPU等電子元器件的導(dǎo)熱及散熱，從而保證電子儀器、儀表等的電氣性能的穩(wěn)定。

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