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標(biāo)簽 > 浪涌
浪涌也叫突波,顧名思義就是超出正常工作電壓的瞬間過電壓。本質(zhì)上講,浪涌是發(fā)生在僅僅幾百萬分之一秒時間內(nèi)的一種劇烈脈沖。可能引起浪涌的原因有:重型設(shè)備、短路、電源切換或大型發(fā)動機(jī)。而含有浪涌阻絕裝置的產(chǎn)品可以有效地吸收突發(fā)的巨大能量,以保護(hù)連接設(shè)備免于受損。
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不受管理的浪涌電壓可能會導(dǎo)致系統(tǒng)中斷或損壞,甚至對用戶和操作員造成危險。浪涌保護(hù)裝置 (SPD),也稱為瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS),通常用于通過限制或阻...
以太網(wǎng)成為工業(yè)通信的支柱,其基礎(chǔ)設(shè)施對電涌事件(如雷擊)的敏感性構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。這種事故會引起接地回路和磁耦合電壓,可能會使操作技術(shù)系統(tǒng)癱瘓。 為了保持...
據(jù)估計,電子產(chǎn)品的故障有75%是由于瞬變和浪涌造成的。電壓的瞬變和浪涌無處不在,電網(wǎng)、雷擊、爆破,就連人在地毯上行走都會產(chǎn)生上萬伏的靜電感應(yīng)電壓,這些都...
2023-01-15 標(biāo)簽:電子產(chǎn)品浪涌浪涌防護(hù) 1933 0
找到合適的設(shè)備并非難事。本文將逐步介紹選擇數(shù)字隔離器的一些關(guān)鍵步驟,從而簡化您的搜索。
2020-10-22 標(biāo)簽:德州儀器數(shù)字隔離器浪涌 1863 0
如果電子器件遭到破壞,且如果能發(fā)現(xiàn)燒灼痕跡等明顯的故障癥狀,則通常需要分析硅芯或電子元件。通過此類檢查,應(yīng)該能夠找出破壞事件的根本原因。最后應(yīng)總結(jié)出損壞...
同軸音頻接口(Coaxial)是用于傳輸高頻率數(shù)字訊號的75歐姆同軸線材作為搭配標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)備。其優(yōu)點是阻抗恒定,傳輸頻帶較寬,優(yōu)質(zhì)的同軸電纜頻寬可達(dá)幾百兆...
敏感部件可能會出現(xiàn)靜電損壞風(fēng)險。國際電工委員會IEC委員會定義了標(biāo)準(zhǔn),該標(biāo)準(zhǔn)定義了四種嚴(yán)重等級,對應(yīng)于四種電壓等級,有兩種放電、接觸和空氣類型。
1000M千兆以太網(wǎng)口浪涌靜電保護(hù)經(jīng)典方案
1000M(千兆)以太網(wǎng),又叫吉比特以太網(wǎng),是一個描述各種以吉比特每秒速率進(jìn)行以太網(wǎng)幀傳輸技術(shù)的術(shù)語,由IEEE 802.3-2005標(biāo)準(zhǔn)定義。該標(biāo)準(zhǔn)允...
管理電子系統(tǒng)浪涌,加強(qiáng)系統(tǒng)保護(hù)
避免電子產(chǎn)品出現(xiàn)電路系統(tǒng)故障及管理上電浪涌電流的方法已經(jīng)取得了長足發(fā)展,從簡單的保險絲或P通道FET發(fā)展成了更為高級的解決方案。本文將討論系統(tǒng)保護(hù)的增強(qiáng)...
電源浪涌(electrical surge)是指電源系統(tǒng)中瞬間出現(xiàn)超出穩(wěn)定值的峰值,它包括浪涌電壓和浪涌電流。以下是對電源浪涌的詳細(xì)解釋: 定...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路
在上一篇文章中,簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開始,將介紹針對所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對策。本文先介紹浪涌抑制電路。
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-負(fù)電壓浪涌對策
本文的關(guān)鍵要點?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極-源極間電壓的負(fù)電壓浪涌,來防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時,SiC MOSFET的HS誤...
浪涌保護(hù)元件可以分為開關(guān)元件類、限壓元件類和防過流和過熱保護(hù)元件類三大類,具體選用哪種應(yīng)當(dāng)根據(jù)具體的應(yīng)用進(jìn)行分析,合理選擇。
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