SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作

SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作

2023-12-07 標(biāo)簽：MOSFET柵極源極 854 0

源極接地放大電路設(shè)計(jì)(2)

電壓電源V1由最大輸出電壓決定。例如為了得到Vpp=3V的輸出電壓，電源電壓必須在3V以上，否則輸出信號(hào)會(huì)失真（削波）。為了確保源極偏置電流，在R4上需...

2023-06-23 標(biāo)簽：放大電路電路設(shè)計(jì)輸出電壓 851 0

SiC MOSFET：柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-什么是柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌？

MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開(kāi)關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFETIGBT源極 723 0

驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果：雙脈沖測(cè)試比較

驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果：雙脈沖測(cè)試比較

2023-12-05 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器源極 605 0

源極接地放大電路設(shè)計(jì)(1)

下圖是源極接地放大電路。分析它的直流點(diǎn)位是多少？此時(shí)交流信號(hào)是不存在的，即V2=0V。

2023-06-23 標(biāo)簽：MOSFET放大電路接地 601 0

如何精準(zhǔn)提取MOSFET溝道遷移率

溝道有效遷移率（μeff）是CMOS器件性能的關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)測(cè)量方法在高k介質(zhì)、漏電介質(zhì)與高速應(yīng)用中易出現(xiàn)誤差。本文介紹了UFSP（Ultra-Fast...

2025-05-19 標(biāo)簽：CMOSMOSFET半導(dǎo)體 555 0

mos管的源極和柵極短接

當(dāng)MOS管的源極與柵極意外短接時(shí)，可能導(dǎo)致電路失控，產(chǎn)生電流暴走、靜電隱形殺手等問(wèn)題。因此，必須嚴(yán)格遵守MOS管的操作規(guī)范，避免短接事故的發(fā)生。

2025-06-26 標(biāo)簽：柵極源極MOS器件 89 0