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漏極電流

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漏極電流技術(shù)

MOSFET導(dǎo)通電阻參數(shù)解讀

導(dǎo)通電阻（RDSON）指的是在規(guī)定的測(cè)試條件下，使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)（工作在線性區(qū)），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFE...

2025-05-26 標(biāo)簽：MOSFET 導(dǎo)通電阻漏極電流 801 0

mos管源極和漏極電流相等嗎

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛使用的半導(dǎo)體器件，它在電子電路中扮演著開(kāi)關(guān)和放大器的角色。MOSFET由四個(gè)主要部分組成：源極（S...

2024-09-18 標(biāo)簽：MOS管電子電路半導(dǎo)體器件 2440 0

mos管連續(xù)漏極電流是什么

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的連續(xù)漏極電...

2024-09-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管晶體管 3728 0

基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)

功率模塊從硅IGBT技術(shù)過(guò)渡到基于SiC MOSFET技術(shù)是不可避免的。然而，從硅IGBT時(shí)代留下來(lái)的外形尺寸偏好仍然阻礙著SiC技術(shù)的商業(yè)化，因?yàn)樗鼈?..

2024-05-08 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率模塊 1434 0

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)分指南

JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于，通過(guò) JFET 的電流通過(guò)反向偏置 PN 結(jié)上的電場(chǎng)引導(dǎo)，而在 MOSFET 中，導(dǎo)電性是由于嵌入在半...

2024-05-08 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 JFET 并聯(lián)電容 1.2萬(wàn) 0

晶體管入門(mén)基礎(chǔ)知識(shí)全面解析

基極電壓升高時(shí)，BJT的基極電流開(kāi)始流動(dòng)，集電極電流與基極電流成正比。大約從0.7V開(kāi)始發(fā)生電流流動(dòng)。這個(gè)電壓被稱為基極-發(fā)射極閾值電壓（VBE）。

2024-03-27 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 電阻器 4657 0

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理和種類特點(diǎn)

在普通的晶體管中，電流由電子與空穴搬運(yùn)，其“具有兩種極性”，所以被稱為雙極性晶體管。與此相比，N溝道FET是由電子來(lái)搬運(yùn)電流的，P溝道FET是由空穴來(lái)搬...

2024-02-05 標(biāo)簽：晶體管 MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2570 0

了解柵極-源極電壓浪涌

由于這種開(kāi)關(guān)工作，受開(kāi)關(guān)側(cè)LS電壓和電流變化的影響，不僅在開(kāi)關(guān)側(cè)的LS產(chǎn)生浪涌，還會(huì)在同步側(cè)的HS產(chǎn)生浪涌。

2024-01-24 標(biāo)簽：MOSFET SiC 同步升壓 1036 0

【科普小貼士】MOSFET的性能：漏極電流和功耗

2023-12-07 標(biāo)簽：MOSFET 漏極電流 1441 0

MOS管米勒效應(yīng)：感性負(fù)載和阻性負(fù)載差異點(diǎn)解析

通過(guò)AM1波形，我們能看到二極管上有電流流過(guò)（一部分的電感電流，續(xù)流），二極管處于正偏狀態(tài)。

2023-04-11 標(biāo)簽：二極管 MOS管漏極電流 3257 1

漏極電流帖子

CCG5的VBUS_C_CTRL引腳預(yù)計(jì)是漏極開(kāi)路輸出，但在這種情況下漏極電流有多大？

標(biāo)簽：漏極開(kāi)路漏極電流 VBUS 256 0

僅監(jiān)測(cè)ID的OTF方法有什么優(yōu)勢(shì)？

標(biāo)簽：VTH值漏極電流 1052 1

在Data Access Component（DAC）方面需要幫助

標(biāo)簽：dac 漏極電流 3173 1

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漏極電流資訊

辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新PowerTrench MOSFET MDDG03R01G

在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動(dòng)化及新能源領(lǐng)域，MOSFET的導(dǎo)通損耗與動(dòng)態(tài)響應(yīng)直接影響系統(tǒng)能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，結(jié)合屏蔽柵技術(shù)，...

2025-06-11 標(biāo)簽：MOSFET 導(dǎo)通電阻漏極電流 228 0

MO管在射頻放大器中的使用

在無(wú)線通信領(lǐng)域，射頻放大器是實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大的關(guān)鍵組件。隨著無(wú)線通信技術(shù)的發(fā)展，對(duì)射頻放大器的性能要求也越來(lái)越高。MO管因其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的電氣特性，在射...

2024-11-05 標(biāo)簽：無(wú)線通信射頻放大器漏極電流 674 0

增強(qiáng)型和耗盡型MOSFET的區(qū)別

功率 MOSFET 最常用于開(kāi)關(guān)模式應(yīng)用中，它們用作開(kāi)關(guān)。然而，在 SMPS 中的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護(hù)、反極性保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中，功率 MOS...

2022-09-11 標(biāo)簽：MOSFET 固態(tài)繼電器柵極電壓 1.0萬(wàn) 0

漏極電流數(shù)據(jù)手冊(cè)

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Verilog HDL是一種硬件描述語(yǔ)言（HDL:Hardware Description Language），以文本形式來(lái)描述數(shù)字系統(tǒng)硬件的結(jié)構(gòu)和行為的語(yǔ)言，用它可以表示邏輯電路圖、邏輯表達(dá)式，還可以表示數(shù)字邏輯系統(tǒng)所完成的邏輯功能。
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在 Maxim Integrated，我們正在解決工程問(wèn)題并支持設(shè)計(jì)創(chuàng)新，使我們的客戶能夠創(chuàng)造出塑造我們世界的產(chǎn)品。我們創(chuàng)新的高性能模擬和混合信號(hào)產(chǎn)品和技術(shù)使系統(tǒng)更小、更智能，同時(shí)增強(qiáng)了安全性并提高了能源效率。
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IO模塊是工業(yè)級(jí)遠(yuǎn)程采集與控制模塊，該模塊提供了無(wú)源節(jié)點(diǎn)的開(kāi)關(guān)量輸入采集，繼電器輸出，高頻計(jì)數(shù)器等功能。

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