漏電流

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漏電流分為四種，分別為：半導(dǎo)體元件漏電流、電源漏電流、電容漏電流和濾波器漏電流。PN結(jié)在截止時(shí)流過的很微小的電流。在D-S設(shè)在正向偏置，G-S反向偏置，導(dǎo)電溝道打開后，D到S才會有電流流過。但實(shí)際上由于自由電子的存在，自由電子的附著在SIO2和N+、導(dǎo)致D-S有漏電流。

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漏電流技術(shù)

別再把“泄露電流”與“耐壓漏電流”混淆了！

泄露電流相對比較小，一般零點(diǎn)幾毫安，比如220VAC/0.42ma，漏電流相對較大，一半幾毫安到幾十毫安，比如2000VAC/5ma，當(dāng)然也有漏電流有求...

2023-07-16 標(biāo)簽：電容電氣漏電流 5188 0

STM32單片機(jī)的應(yīng)用筆記奇怪的NRST 管腳異常復(fù)位問題

關(guān)鍵字：漏電流， ADC 目錄預(yù)覽 1 引言? 2 復(fù)位問題及排查 3 總結(jié) 1. 引言本文探討一個(gè)奇怪的MCU NRST 管腳異常復(fù)位現(xiàn)象。 2.?...

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高k柵介質(zhì)NMOSFET遠(yuǎn)程聲子散射對溝道遷移率的影響

器件溝道長度為1μm，HFO2柵介質(zhì)厚度為4.88nm；SiO2柵介質(zhì)厚度為2nm；P襯底摻雜濃度4E15cm^-3；柵電極為鋁金屬。

2023-07-05 標(biāo)簽：晶體管 TDD 漏電流 1223 0

非對稱晶閘管陰極短路點(diǎn)設(shè)計(jì)

該產(chǎn)品主要具有正向阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開通門限電壓高、陽極脈沖峰值電流大、斷態(tài)陽極電壓上升率（dv/dt）高、開通陽極電流上升率（di...

2023-07-05 標(biāo)簽：三極管晶閘管 NPN晶體管 836 0

非對稱晶閘管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)Ⅱ

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空調(diào)漏電能否用鉗表測量漏電流呢？

在空調(diào)安裝維修時(shí)，經(jīng)常使用鉗表測電流，使用方便快捷。在用鉗表測電流時(shí)，只需要將檔位打到適當(dāng)量程，然后鉗住被測電流的線路即可，如下圖就是測火線電流的示例。...

2023-06-29 標(biāo)簽：漏電保護(hù)器互感器漏電流 2047 0

PN結(jié)二極管的工作原理/特性和應(yīng)用

二極管是一種半導(dǎo)體器件，它具有特殊的特性，當(dāng)電流從一個(gè)方向流出時(shí)允許電流，如果電流方向相反，則阻塞電流。

2023-06-18 標(biāo)簽：二極管晶體管硅二極管 2866 0

耐壓和漏電流測試區(qū)別

在安規(guī)測試中，有耐壓測試和漏電流測試兩項(xiàng)，發(fā)現(xiàn)兩者的測試連接方式幾乎一致，一端接零火線，一端接外殼，而且耐壓合不合格看的就是電流有沒有小于要求值，兩者原...

2023-06-05 標(biāo)簽：地線漏電流耐壓測試 3574 0

BSIM4模型與BSIM3模型的區(qū)別

?2022年，集成電路半導(dǎo)體行業(yè)最熱的頭條是“EDA被全面封鎖”。如何突破EDA封鎖，成為行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵詞，也是群體焦慮。在全球市場，有人比喻EDA是“...

2023-05-24 標(biāo)簽：芯片模型漏電流 2936 0

如何降低驅(qū)動系統(tǒng)漏電流

驅(qū)動系統(tǒng)總漏電流由驅(qū)動器本身漏電流、電機(jī)電纜線漏電流、電機(jī)漏電流組成。驅(qū)動系統(tǒng)漏電流大小取決于驅(qū)動器逆變IGBT的開關(guān)頻率，逆變IGBT的開關(guān)的速度，直...

2023-05-17 標(biāo)簽：變頻器驅(qū)動系統(tǒng)漏電流 1778 0

驅(qū)動器漏電流產(chǎn)生原因

驅(qū)動器主電路普遍采用電壓型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，主電路如圖1所示，主要包括整流電路、濾波電路、逆變電路等部分，實(shí)現(xiàn)交－直－交變換。

2023-05-16 標(biāo)簽：驅(qū)動器濾波電路逆變電路 1413 0

從經(jīng)典電容到量子電容

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2023-05-04 標(biāo)簽：并聯(lián)二極管半導(dǎo)體 3773 0

了解短通道MOS晶體管中的漏電流元件

本文介紹了MOS晶體管的基礎(chǔ)知識，以期更好地了解此類晶體管中可能發(fā)生的漏電流。 MOS晶體管正在縮小，以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致了...

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MOS晶體管漏電流的6個(gè)原因

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2023-05-03 標(biāo)簽：晶體管 MOS 漏電流 1.4萬 0

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2023-04-17 標(biāo)簽：二極管電子電路半導(dǎo)體器件 3140 0

芯片功耗的IR分析

低功耗設(shè)計(jì)的重要性，從下圖可窺一斑，隨著工藝節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)演化，45nm工藝的動態(tài)功耗、靜態(tài)功耗相比90nm工藝分別增加到了2倍、6.5倍。

2023-04-04 標(biāo)簽：NMOS 低功耗設(shè)計(jì)漏電流 4646 0

小電流接地系統(tǒng)中為什么采用中性點(diǎn)經(jīng)消弧線圈接地呢？

中性點(diǎn)經(jīng)消弧線圈接地方式，是在中性點(diǎn)和大地之間接入一個(gè)電感消弧線圈，在系統(tǒng)發(fā)生單相接地故障時(shí)，利用消弧線圈的電感電流對接地電容電流進(jìn)行補(bǔ)償，使流過接地點(diǎn)...

2023-04-01 標(biāo)簽：電容器電力系統(tǒng)電感電流 7128 0

SS510是什么二極管？是用在開關(guān)電源的輸出二極管嗎？

SS510是肖特基二極管，由硅材料制成，具有較低的反向漏電流和快速的開關(guān)速度，通常被用于高速開關(guān)電路和高效能量轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用中。

2023-02-25 標(biāo)簽：開關(guān)電路轉(zhuǎn)換器肖特基二極管 9199 0

電容器漏電流是什么？如何測量漏電流？

　　在理想的情況下電容兩個(gè)極板間是不會有電流流過的，但是由于它們之間的電介質(zhì)并不能完全的絕緣，因此在直流電壓的作用下就會有少量的電流流過，就稱為漏電流。

2023-02-21 標(biāo)簽：串聯(lián)電容器電流 2.2萬 0

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加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會馬上發(fā)出警示。
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盡管最初傅里葉分析是作為熱過程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征?！叭我狻钡暮瘮?shù)通過一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對簡單的函數(shù)類，這一想法跟化學(xué)上的原子論想法何其相似！
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DMD是一種整合的微機(jī)電上層結(jié)構(gòu)電路單元，利用COMS SRAM記憶晶胞所制成。DMD上層結(jié)構(gòu)的制造是從完整CMOS內(nèi)存電路開始，再透過光罩層的使用，制造出鋁金屬層和硬化光阻層交替的上層結(jié)構(gòu)
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ov7620是一款CMOS攝像頭器件，是彩色CMOS型圖像采集集成芯片，提供高性能的單一小體積封裝，該器件分辨率可以達(dá)到640X480，傳輸速率可以達(dá)到30幀。
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凡是電流方向不隨時(shí)間變化的電流稱為直流電壓。電流值可以全為正值，也可以全為負(fù)值。在直流電流中又可分為兩種：穩(wěn)恒直流和脈動直流。直流輸電技術(shù)已經(jīng)由簡單的端對端工程朝著大規(guī)模多端輸電的方向發(fā)展，這些工程將是未來直流電網(wǎng)的組成部分，將相同電壓等級的直流工程連接成網(wǎng)遠(yuǎn)比不同電壓等級下的獨(dú)立工程更經(jīng)濟(jì)、便捷。
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buck是降壓型電路，boost是升壓型電路，可以分開單獨(dú)使用，buck-boost電路就是把2種電路合在一起，可升可降。buck-boost拓?fù)潆娐房梢詫?shí)現(xiàn)升降壓功能，常見的buck-boost電路有兩種，第一種是輸入與輸出電壓極性相反，只需采用一個(gè)開關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個(gè)開關(guān)管和兩個(gè)二極管，可實(shí)現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
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電磁繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應(yīng)用于自動控制電路中，它實(shí)際上是用較小的電流、較低的電壓去控制較大電流、較高的電壓的一種“自動開關(guān)”。故在電路中起著自動調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。
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漏電流

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