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標(biāo)簽 > 漏電流
漏電流分為四種，分別為：半導(dǎo)體元件漏電流、電源漏電流、電容漏電流和濾波器漏電流。PN結(jié)在截止時流過的很微小的電流。在D-S設(shè)在正向偏置，G-S反向偏置，導(dǎo)電溝道打開后，D到S才會有電流流過。但實際上由于自由電子的存在，自由電子的附著在SIO2和N+、導(dǎo)致D-S有漏電流。
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肖特基二極管和快恢復(fù)二極管都是半導(dǎo)體二極管的一種，但兩者在結(jié)構(gòu)、性能和應(yīng)用方面有明顯的差異。本文將詳細(xì)介紹肖特基和快恢復(fù)二極管的區(qū)別。 一、結(jié)構(gòu) 肖特基...
低溫對電子元器件影響是什么？電子元器件低溫失效原因有哪些？ 隨著科技的進(jìn)步和應(yīng)用范圍的不斷擴大，人們對于電子元器件的質(zhì)量和可靠性要求也越來越高，因為電子...
肖特基二極管是什么?肖特基二極管工作原理是什么 肖特基二極管（Schottky diode）是由物理學(xué)家沃爾特·肖特基（Walter H. Schott...
2023-08-29 標(biāo)簽：二極管整流器調(diào)制解調(diào)器 2691 0
減小開關(guān)電源的噪聲的方法 隨著現(xiàn)代電子產(chǎn)品的普及和需求的不斷增加，開關(guān)電源逐漸被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。開關(guān)電源具有高效、體積小、重量輕和可靠性高等優(yōu)...
2023-08-29 標(biāo)簽：開關(guān)電源濾波器電磁干擾 2707 0
y電容與漏電流的計算? 電容是電學(xué)中的一種重要的元件，它可以在電路中儲存電荷，并在需要時將其釋放。在許多應(yīng)用中，電容被用來濾波、穩(wěn)壓，以及作為時序電路的...
晶圓封裝測試什么意思？ 晶圓封裝測試是指對半導(dǎo)體芯片（晶圓）進(jìn)行封裝組裝后，進(jìn)行電性能測試和可靠性測試的過程。晶圓封裝測試是半導(dǎo)體芯片制造過程中非常重要...
開關(guān)電源常用mos管型號大全? 開關(guān)電源通常采用MOS管作為主要開關(guān)元件，MOS管具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度、可控硅響應(yīng)速度快等特點，能夠有效提高開關(guān)電...
2023-08-18 標(biāo)簽：開關(guān)電源場效應(yīng)管MOS管 2.3萬 0
新品 | 聯(lián)訊儀器全新推出低泄漏電流開關(guān)矩陣RM1010-LLC
在半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)研發(fā)或者半導(dǎo)體晶圓封測過程中需要進(jìn)行電性能參數(shù)的表征，這些測量需要將精密源表(Source/MeasureUnit），LCR表（LCR...
2023-05-21 標(biāo)簽：晶圓漏電流開關(guān)矩陣 1426 0
漏電流是鋁電解電容器最大的損壞問題之一，因為漏電流會造成電解液流失，導(dǎo)致鋁電解電容器過早干燥失效。鋁電解電容器在長時間無電壓儲存時，其電解液中的氯離子會...
FormFactor引領(lǐng)行業(yè)數(shù)據(jù)完整性
準(zhǔn)確，可重復(fù)的IV / CV測量 - 當(dāng)精確模型和數(shù)據(jù)變得關(guān)鍵時 最佳決策取決于最佳數(shù)據(jù)。 對于幾乎所有的器件類型和半導(dǎo)體技術(shù)， DC參數(shù)測量貫穿于半導(dǎo)...
2023-07-07 標(biāo)簽：電阻數(shù)據(jù)漏電流 1081 0
淺析UL標(biāo)準(zhǔn)充電樁漏電流保護(hù)及測試規(guī)范要求
目前，全球電動汽車行業(yè)正處在快速增長中。EV Sales公布的數(shù)據(jù)顯示，得益于美國、歐洲、尤其是中國市場的優(yōu)異表現(xiàn)，全球電動汽車銷量快速增長。2020年...
根據(jù)實際測量的柵極電流計算柵極漏電流是一項挑戰(zhàn)。柵極電容器的充電和放電瞬態(tài)過程支配著柵極電流。電感器引入了二階振鈴，這使得計算過程更加復(fù)雜。上述挑戰(zhàn)的解...
貼片電容的測試方法： 數(shù)字萬用表測試法 ?? 數(shù)字電橋測試法 ? ?? 電容量測試法 ? 耐壓及漏電流測試法 ? ? ? 注意事項 在測試前應(yīng)將電容上的...
漏電流測試儀是一種檢測漏電現(xiàn)象的工具，它是手持式的，體積小、重量輕，攜帶方便。 ? 使用方法： 接通儀器電源，熱機5-30分鐘； = 將隨機附給的兩條帶...
一般漏電流分為四種,分別為:半導(dǎo)體元件漏電流、電源漏電流、電容漏電流和濾波器漏電流。
直流漏電流采樣電路如圖所示，其計劃思維在于以鼓舞方波電壓為載體，經(jīng)過磁環(huán)在采樣電阻Rs上感應(yīng)出電壓，顯著該電壓值與鼓舞方波電壓和Rs電阻存在必定的聯(lián)絡(luò)。
DRAM存儲單元（圖1 （a））在電源關(guān)閉時會丟失已存儲的數(shù)據(jù)，因此必須不斷刷新。存儲單元在數(shù)據(jù)丟失前可存儲數(shù)據(jù)的時間， 即保留時間，是DRAM的一個關(guān)...
基于霍爾效應(yīng)的閉環(huán)傳感器在檢測漏電流中的應(yīng)用解析
霍爾器件和相關(guān)電子電路用于生成二次側(cè)（補償）電流是對一次電流的精確還原。磁感應(yīng)霍爾器件和所需的大部分電子元件都集成在單個CMOS ASIC中實現(xiàn)。與磁通...
2020-03-21 標(biāo)簽：漏電流霍爾效應(yīng)傳感器 2712 0
對于直流電來說，電容器的兩個引腳之間是絕緣的，在剛接入直流電源的瞬間流過電容器的電流（即電容器的充電電流）最大，約10個時間常數(shù)之后，流過電容器的電流便趨于零。
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