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標簽 > 熱設計
熱設計是隨著通訊和信息技術產(chǎn)業(yè)的發(fā)展而出現(xiàn)的一個較新的行業(yè),在通訊、安防、PC、汽車、LED以及逆變器等行業(yè)中越來越被重視,成為產(chǎn)品研發(fā)中不可缺少的重要領域。熱設計一般由前期的仿真和后期的測試驗證來完成。當前的主流的仿真軟件有Flotherm, Icepak,F(xiàn)loEFD, 6SigmaET等
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Simcenter Flotherm BCI-ROM技術:與邊界條件無關的降階模型可加速電子熱設計
優(yōu)勢比解算完整的3D詳細模型快40,000倍與完整的3D詳細模型相比,沒有有效精度損失適用于所有熱環(huán)境–用戶定義傳熱系數(shù)范圍可以在很長的持續(xù)時間內(nèi)進行瞬...
氮化鎵(GaN)功率器件系列能夠設計出體積更小,成本更低,效率更高的電源系統(tǒng),從而突破基于硅的傳統(tǒng)器件的限制。 這里我們給大家介紹一下GaNPX?和PD...
功率器件熱設計基礎(十三)——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息
/前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低...
功率器件熱設計基礎(十)——功率半導體器件的結(jié)構函數(shù)
樣品活動進行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計...
功率器件熱設計基礎(八)——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流
/前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低...
功率器件熱設計基礎(三)——功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...
功率器件的熱設計基礎(二)——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)
/前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低...
一.熱設計的重要性電源產(chǎn)品電子設備在工作期間所消耗的電能,除了有用功外,大部分轉(zhuǎn)化成熱量散發(fā)。電子設備產(chǎn)生的熱量,使內(nèi)部溫度迅速上升,如果不及時將該熱量...
熱設計專注于電子設備、系統(tǒng)和結(jié)構在熱環(huán)境下的性能。它涉及對產(chǎn)品或系統(tǒng)的熱效應進行分析、預測和控制,確保它們在安全和有效的溫度范圍內(nèi)運行。熱設計對于保障電...
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