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有源逆變是一種將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的技術(shù),廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。 一、有源逆變基本原理 1.1 有源逆變的概念 有源逆變是一種將直流電能轉(zhuǎn)換為交流...
推挽膽機與單端膽機的聲音區(qū)別是一個復雜且深入的話題,涉及到電子管(膽機)的工作原理、聲音特性以及音樂欣賞等多個方面。 1. 電子管(膽機)的基本原理 電...
基于二維材料的電子器件展現(xiàn)出巨大潛力,這些材料具有極低的剛度和幾乎為零的內(nèi)應(yīng)力,或許能夠完全擺脫傳統(tǒng)剛性三維材料在三維異質(zhì)集成技術(shù)中的物理限制。
整流輸出的電壓與直流電的區(qū)別是一個復雜且深入的話題,涉及到電力電子學、電路理論、電磁學等多個領(lǐng)域。 整流輸出電壓的基本概念 整流輸出電壓是指通過整流器將...
碳化硅是一種半導體材料,它具有優(yōu)異的電子特性,可以用于制造電子器件。它是由碳原子和硅原子組成的,具有高熔點、高熱穩(wěn)定性和高電阻率等特性。
任何電子器件的使用壽命均取決于其工作溫度。在較高溫度下器件會加快老化,使用壽命會縮短。但某些應(yīng)用要求電子產(chǎn)品工作在器件最大額定工作結(jié)溫下。以石油天然氣產(chǎn)...
寬禁帶半導體材料是指具有較寬的禁帶寬度(Eg>2.3eV)的半導體材料。這類材料具有許多獨特的物理和化學性質(zhì),使其在許多高科技領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。 在現(xiàn)...
理想運算放大器(Ideal Operational Amplifier,簡稱Op-Amp)是一種具有高增益、高輸入阻抗、低輸出阻抗等特性的電子器件,廣泛...
引言 碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是兩種具有重要應(yīng)用前景的第三代半導體材料。它們具有高熱導率、高電子遷移率、高擊穿場強等優(yōu)異的物理化學性質(zhì),被廣泛...
異質(zhì)外延單晶金剛石及其相關(guān)電子器件的研究進展
金剛石異質(zhì)外延已發(fā)展 30 年有余,而基于 Ir 襯底的大面積、高質(zhì)量的異質(zhì)外延單晶金剛石已取得較大進展。本文主要從關(guān)于異質(zhì)外延單晶金剛石及其電子器件兩...
GaN功率電子器件具有較高的工作電壓、較高的開關(guān)頻率、較低的導通電阻等優(yōu)點,能夠以極低的成本和較高的技術(shù)成熟度兼容硅基半導體集成電路工藝,在新一代高...
集成運算放大器(Integrated Operational Amplifier,簡稱OP-AMP)是一種常用的電子器件,在電路設(shè)計和信號處理中起到關(guān)鍵...
GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導體研究的前沿和熱點,是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料,并與SIC、金剛石等半導體材料一起,被譽為是繼第一...
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