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標簽 > 電容
電容器，通常簡稱其容納電荷的本領(lǐng)為電容，用字母C表示。定義1：電容器，顧名思義，是‘裝電的容器’，是一種容納電荷的器件。英文名稱：capacitor。電容器是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一，廣泛應(yīng)用于電路中的隔直通交，耦合，旁路，濾波，調(diào)諧回路， 能量轉(zhuǎn)換，控制等方面。定義2：電容器，任何兩個彼此絕緣且相隔很近的導(dǎo)體（包括導(dǎo)線）間都構(gòu)成一個電容器。
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電容接觸器是一種電氣控制元件，它利用電容效應(yīng)來控制電路的導(dǎo)通和斷開。電容接觸器廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)、工業(yè)自動化控制、電子設(shè)備等領(lǐng)域。不同型號的電容接觸器有...
在液位控制和檢測應(yīng)用中，油罐或容器的液面往往在很長一段時間內(nèi)，以緩慢但連續(xù)的速度不斷變化著。一旦當液位變得過高或過低，接近風險值時，液位監(jiān)控系統(tǒng)應(yīng)能及時...
人們根據(jù)生產(chǎn)實踐需要，實驗制造了各種功能的電容器來滿足各種電器的正常運行和新設(shè)備的運轉(zhuǎn)。隨著科學技術(shù)的發(fā)展和新材料的發(fā)掘，更優(yōu)質(zhì)、多樣化的電容器會不斷涌...
多層瓷介電容器(MLCC)，簡稱片式電容器，是由印好電極(內(nèi)電極)的陶瓷介質(zhì)膜片以錯位的方式疊合起來，經(jīng)過一次性高溫燒結(jié)形成陶瓷芯片，再在芯片的兩端封上...
云母電容器是一種常用的電容器，常用于電路中，具有很高的穩(wěn)定性和可靠性。云母電容器的結(jié)構(gòu)簡單，價格低廉，并且容量大，相對于電解電容器來說，具有更好的性能，...
薄膜電容是指將金屬膜或半導(dǎo)體薄膜沉積在絕緣基板上，然后制成電容器。這種電容器具有結(jié)構(gòu)簡單、體積小、重量輕、可靠性高等特點，被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備領(lǐng)域。本文...
沒有電容的單相電機，怎么測量它的好壞，具體方法如下： 測量單相電機的好壞，與電容器沒有關(guān)系，一般單相電機的引出線多為4根，主繞頭尾各一根，啟動...
單相電容電動機啟動轉(zhuǎn)矩大，啟動電流小，功率因數(shù)高，主要應(yīng)用于家用電器中，比如電風扇、洗衣機等上面。為了方便維修安裝，下面介紹下這種電動機的常用接線方法。
單相交流電機有四種類型，在工作時都離不開電容，以下介紹了四種單相交流電機電容的接法，為了使電容正確的接入電機，必須了解清楚四種電機的結(jié)構(gòu)和工作特點，下面...
220v電動機帶2個電容實現(xiàn)倒轉(zhuǎn)的方法
220V電機有2個電容器，為雙值電機，一個電容容量大的為啟動電容，另一個電容量小一些的為運行電容，這種結(jié)構(gòu)的電機功率比一個電容的電機的力量大很多。220...
我們在電源濾波電路上可以看到各種各樣的電容，100uF、10uF、100nF、10nF不同的容值，那么這些參數(shù)是如何確定的？
電容是一種以電場形式儲存能量的無源器件。在需要的時候，電容能夠把儲存的能量釋出至電路。電容由兩塊導(dǎo)電的平行板構(gòu)成，在板之間填充上絕緣物質(zhì)或介電物質(zhì)。下面...
集成電路IC1是一片555定時電路，接成單穩(wěn)態(tài)電路。平時觸摸片P端無感應(yīng)電壓，電容C1通過555第7腳放電完畢，第3腳輸出為低電平，繼電器KS釋放，電燈不亮。
我們一般按照在輸入電壓下，輸出的情況下，要求電解電容上的紋波電壓低于多少個百分點來計算。當然，如果有保持時間的要求，那么需要按照保持時間的要求重新計算，...
一般來說，電阻、電容、管子等器件的絲印，擺放的時候，不要使用四個方向，這樣會導(dǎo)致調(diào)試、維修、焊接的時候，看絲印看得很累（板子要轉(zhuǎn)幾個方向）。
開機的時候為什么為復(fù)位在電路圖中，電容的的大小是10uf，電阻的大小是10k。所以根據(jù)公式，可以算出電容充電到電源電壓的0.7倍（單片機的電源是5V，所...
開機的時候為什么為復(fù)位在電路圖中，電容的的大小是10uf，電阻的大小是10k。所以根據(jù)公式，可以算出電容充電到電源電壓的0.7倍（單片機的電源是5V，所...
2023-05-25 標簽：電容復(fù)位電路單片機系統(tǒng) 3093 0
復(fù)位電路由電容串聯(lián)電阻構(gòu)成,由圖并結(jié)合"電容電壓不能突變"的性質(zhì),可以知道,當系統(tǒng)一上電,RST腳將會出現(xiàn)高電平,并且,這個高電平持...
有據(jù)可查的是，與平面晶體管相比，從16nm/14nm開始的FinFET技術(shù)大大增加了必須提取的寄生值的數(shù)量。這些類似3D架構(gòu)的鰭片會產(chǎn)生許多電容值，必須...
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