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標(biāo)簽 > 電源電壓
所謂電源電壓,也就是電動(dòng)勢(shì),是由電源本身內(nèi)部可以對(duì)電荷做功的部分產(chǎn)生的(如干電池就是鋅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生的化學(xué)能做功),對(duì)電荷做功時(shí)電荷獲得電能,同時(shí)在電源兩極間形成了電壓,而電源對(duì)每1C電荷做功的數(shù)值即電動(dòng)勢(shì),也就是常說(shuō)的電源電壓。
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瞬態(tài)按捺二極管(瞬態(tài)電壓按捺器)(TVS)的工作原理與穩(wěn)壓二極管(穩(wěn)壓二極管又名齊納二極管)相同,但構(gòu)造上有差別。其最大的差別是通常穩(wěn)壓二極管構(gòu)成的PN...
2023-08-08 標(biāo)簽:穩(wěn)壓二極管電源電壓齊納二極管 696 0
穩(wěn)壓器確保設(shè)備在正常電壓范圍內(nèi)運(yùn)行,可以提高設(shè)備的性能和效率。一些設(shè)備對(duì)穩(wěn)定的電源供應(yīng)有更高的要求,例如計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、音頻設(shè)備等。
MMC半橋子模塊電磁暫態(tài)快速模型建模思路及其驗(yàn)證
柔性直流輸電(MMC-HVDC)技術(shù)具有有功無(wú)功獨(dú)立快速控制、方便的潮流反轉(zhuǎn)、不依靠交流電網(wǎng)換相、可為無(wú)源網(wǎng)絡(luò)供電等優(yōu)勢(shì),使其成為目前直流輸電技術(shù)的重要組成部分
圖中運(yùn)放的同向端接地Vp=0V,反向端和同向端虛短,所以也是0V,反向輸入端輸入電阻很高,虛斷,幾乎沒(méi)有電流注入和流出,那么R1和R2相當(dāng)于是串聯(lián)的,流...
i2c讀時(shí)序圖 i2c時(shí)序圖怎么看 i2c時(shí)序圖的詳細(xì)講解
SCL為高電平的時(shí)候,SDA由高電平向低電平跳變。結(jié)束信號(hào):SCL為高電平的時(shí)候,SDA由低電平向高電平跳變。
ttl電路輸出狀態(tài)有哪幾種 TTL與其他邏輯系列的比較
TTL電路的輸出狀態(tài)受到輸入信號(hào)、負(fù)載條件和電源電壓等因素的影響。因此,在實(shí)際應(yīng)用中,需要根據(jù)具體的電路和規(guī)格參數(shù)來(lái)判斷輸出狀態(tài),并確保電路的可靠性和正確操作。
高靈敏度數(shù)字雙極霍爾效應(yīng)傳感器-SC2402介紹
SC2402 是一種采用混合信號(hào) BiCMOS技術(shù)設(shè)計(jì)的霍爾效應(yīng)鎖存器。
2023-07-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器穩(wěn)壓器電源電壓 1370 0
簡(jiǎn)述i2c總線的工作原理 i2c通信過(guò)程 i2c通信協(xié)議原理
I2C是Inter-Intergrated Circuit的簡(jiǎn)稱,英文翻譯過(guò)來(lái)是:內(nèi)置集成電路。為什么I2C是內(nèi)置集成電路?
用Proteus告訴你什么是數(shù)模轉(zhuǎn)換器?
數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)將數(shù)字(用于計(jì)算機(jī),如微控制器)轉(zhuǎn)換為模擬電壓。它們與模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)相反。數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)有兩種主要類型:二進(jìn)制加權(quán)和R-2R
2023-07-19 標(biāo)簽:微控制器運(yùn)算放大器電源電壓 2035 0
電荷泵的工作原理是什么?電荷泵拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)介紹
電荷泵是一種增加或反轉(zhuǎn)直流電壓的電壓變換器。例如,+5V可以轉(zhuǎn)換為+10V或-5V(或更高/更低的值)。
過(guò)壓保護(hù)怎么恢復(fù)正常 典型的過(guò)壓保護(hù)電壓電路設(shè)計(jì)方案
當(dāng)輸入電壓小于穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電壓Uz時(shí),穩(wěn)壓二極管截止,這時(shí)三極管的Vbe=0,所以三極管截止,PMOS柵極和源極的壓差等于負(fù)的電源電壓,只要這個(gè)電壓...
2023-07-18 標(biāo)簽:三極管穩(wěn)壓二極管過(guò)壓保護(hù) 2.1萬(wàn) 0
在交流系統(tǒng)中,電源提供正弦電壓波形,負(fù)載則主導(dǎo)電流波形。在加熱器或白熾燈泡等最簡(jiǎn)單的“阻性”負(fù)載中,電流波形與電壓波形形狀一致,并且相位(時(shí)間軸)也保持一致。
超結(jié)MOSFET開(kāi)關(guān)特性2-理想二極管模型
寄生電容和開(kāi)關(guān)時(shí)間:功率MOS具有極快的開(kāi)關(guān)速度,器件導(dǎo)通或關(guān)斷前需要對(duì)寄生電容進(jìn)行充放電,而電容的充放電需要一定時(shí)間
寄生電容和開(kāi)關(guān)時(shí)間:功率MOS具有極快的開(kāi)關(guān)速度,器件導(dǎo)通或關(guān)斷前需要對(duì)寄生電容進(jìn)行充放電,而電容的充放電需要一定時(shí)間,其開(kāi)關(guān)速度要受器件的寄生電容限制。
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