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標(biāo)簽 > 砷化鎵

砷化鎵

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砷化鎵(gallium arsenide)是一種無(wú)機(jī)化合物,化學(xué)式為GaAs,為黑灰色固體,熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)5.65×10-10m,禁帶寬度1.4電子伏。

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砷化鎵資訊

河南澠池縣碳化硅半導(dǎo)體材料及砷化鎵襯底固廢綜合利用項(xiàng)目

5月9日,河南澠池縣舉行了化合物半導(dǎo)體碳化硅材料與固廢綜合利用砷化鎵襯底項(xiàng)目的簽約儀式。在儀式上,化合物半導(dǎo)體材料團(tuán)隊(duì)執(zhí)行總監(jiān)李有群對(duì)該項(xiàng)目做了詳細(xì)介紹。

2024-05-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體砷化鎵碳化硅 1530 0

三安集成于EDICON24展示新一代砷化鎵射頻器件制造工藝

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北京2024年4月10日 /美通社/ -- EDICON CHINA 2024 (電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì))于4月9日-10日在北京會(huì)議中心正式舉行,暌違三年有...

2024-04-10 標(biāo)簽:無(wú)線通信砷化鎵射頻器件 629 0

南京大學(xué)團(tuán)隊(duì)首次觀測(cè)到引力子激發(fā)現(xiàn)象

該科研成果已于北京時(shí)間2024年3月28日以“證據(jù)表明分?jǐn)?shù)量子霍爾液體中有手性黑格斯模”為題在國(guó)際頂尖學(xué)術(shù)期刊Nature上公開(kāi)發(fā)表。全球的引力子研究一...

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HTCVD法能通過(guò)控制源輸入氣體比例可以到達(dá)較為精準(zhǔn)的 Si/C比,進(jìn)而獲得高質(zhì)量、高純凈度的碳化硅晶體,但由于氣體作為原材料晶體生長(zhǎng)的成本很高,該法主...

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菏澤市牡丹區(qū)砷化鎵半導(dǎo)體晶片項(xiàng)目奠基儀式隆重舉行

首期項(xiàng)目斥資15億人民幣,致力開(kāi)發(fā)4/6英寸砷化鎵生產(chǎn)線。預(yù)計(jì)在2025年7月開(kāi)始試運(yùn)行,此階段主要專注于砷化鎵半導(dǎo)體表面發(fā)射型鐳射VCSEL產(chǎn)品的生產(chǎn)...

2024-02-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶片砷化鎵 2087 0

Sumitomo射頻應(yīng)用氮化鎵 (GaN) 器件該怎么選?

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氮化鎵器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電和其他應(yīng)用。

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上海伯東美國(guó) Gel- Pak VR 真空釋放盒, 非常適用于運(yùn)輸以及儲(chǔ)存砷化鎵芯片和 MMIC 的器件.

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GaAs器件在微波領(lǐng)域的應(yīng)用非常廣泛,器件分類齊全,包括徽波分立器件、微波混合集成電路、微波模擬和數(shù)字單芯片集成電路等。

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中國(guó)對(duì)鎵、鍺實(shí)施出口管制,短期內(nèi)會(huì)引起全球鎵、鍺的備貨潮,遭到相關(guān)企業(yè)瘋搶,推動(dòng)相關(guān)海外產(chǎn)品價(jià)格大幅上漲,國(guó)外企業(yè)AXT股價(jià)已大幅下跌。

2023-07-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)物聯(lián)網(wǎng)氮化鎵 2386 0

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衢州智造新城消息顯示,衢州先導(dǎo)集成電路關(guān)鍵材料與高端化合物半導(dǎo)體及器件模組項(xiàng)目總投資110億元,位于衢州智造新城高新片區(qū)及智造新城東港片區(qū),總用地面積約...

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商務(wù)部和海關(guān)總署發(fā)布公告,對(duì)鎵、鍺相關(guān)物限制出口

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集成電路產(chǎn)業(yè)鏈包括設(shè)計(jì)、制造和封測(cè)等關(guān)鍵步驟,其中半導(dǎo)體材料是集成電路上游關(guān)鍵原材料,按用途可分為晶圓制造材料和封裝材料。

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國(guó)內(nèi)砷化鎵2023年將迎來(lái)黃金機(jī)遇

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砷化鎵是發(fā)光材料,加上泵浦源和諧振腔,即可選頻制成激光器。650nm-1300nm波長(zhǎng)的低功率激光器都可以用砷化鎵材料設(shè)計(jì),典型代表是VCSEL(垂直腔...

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產(chǎn)生量子糾纏的設(shè)備通常體積龐大,且每次只能產(chǎn)生一對(duì)糾纏光子。現(xiàn)在,科學(xué)家們發(fā)明了一種厚度約為一便士三分之一的裝置,它不僅可以成對(duì)產(chǎn)生復(fù)雜的糾纏光子網(wǎng),還...

2022-10-18 標(biāo)簽:納米技術(shù)光子砷化鎵 4920 0

寬帶砷化鎵功率放大器AM06013033MD-3H介紹

AMCOM的AM06013033MD-3H是款寬帶砷化鎵功率放大器模塊,設(shè)計(jì)用作通用型應(yīng)用領(lǐng)域。AM06013033MD-3H工作頻率從6GHz到13G...

2022-09-26 標(biāo)簽:功率放大器砷化鎵 1032 0

砷化鎵是什么?砷化鎵的制造流程

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2022-04-25 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體砷化鎵 1.3萬(wàn) 0

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開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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