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標(biāo)簽 > 砷化鎵
砷化鎵(gallium arsenide)是一種無(wú)機(jī)化合物,化學(xué)式為GaAs,為黑灰色固體,熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)5.65×10-10m,禁帶寬度1.4電子伏。
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河南澠池縣碳化硅半導(dǎo)體材料及砷化鎵襯底固廢綜合利用項(xiàng)目
5月9日,河南澠池縣舉行了化合物半導(dǎo)體碳化硅材料與固廢綜合利用砷化鎵襯底項(xiàng)目的簽約儀式。在儀式上,化合物半導(dǎo)體材料團(tuán)隊(duì)執(zhí)行總監(jiān)李有群對(duì)該項(xiàng)目做了詳細(xì)介紹。
北京2024年4月10日 /美通社/ -- EDICON CHINA 2024 (電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì))于4月9日-10日在北京會(huì)議中心正式舉行,暌違三年有...
南京大學(xué)團(tuán)隊(duì)首次觀測(cè)到引力子激發(fā)現(xiàn)象
該科研成果已于北京時(shí)間2024年3月28日以“證據(jù)表明分?jǐn)?shù)量子霍爾液體中有手性黑格斯模”為題在國(guó)際頂尖學(xué)術(shù)期刊Nature上公開(kāi)發(fā)表。全球的引力子研究一...
2024-03-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)砷化鎵 789 0
HTCVD法能通過(guò)控制源輸入氣體比例可以到達(dá)較為精準(zhǔn)的 Si/C比,進(jìn)而獲得高質(zhì)量、高純凈度的碳化硅晶體,但由于氣體作為原材料晶體生長(zhǎng)的成本很高,該法主...
菏澤市牡丹區(qū)砷化鎵半導(dǎo)體晶片項(xiàng)目奠基儀式隆重舉行
首期項(xiàng)目斥資15億人民幣,致力開(kāi)發(fā)4/6英寸砷化鎵生產(chǎn)線。預(yù)計(jì)在2025年7月開(kāi)始試運(yùn)行,此階段主要專注于砷化鎵半導(dǎo)體表面發(fā)射型鐳射VCSEL產(chǎn)品的生產(chǎn)...
Sumitomo射頻應(yīng)用氮化鎵 (GaN) 器件該怎么選?
氮化鎵器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電和其他應(yīng)用。
上海伯東美國(guó) Gel- Pak VR 真空釋放盒, 非常適用于運(yùn)輸以及儲(chǔ)存砷化鎵芯片和 MMIC 的器件.
GaAs器件在微波領(lǐng)域的應(yīng)用非常廣泛,器件分類齊全,包括徽波分立器件、微波混合集成電路、微波模擬和數(shù)字單芯片集成電路等。
鎵、鍺元素為何會(huì)影響整個(gè)半導(dǎo)體領(lǐng)域?
中國(guó)對(duì)鎵、鍺實(shí)施出口管制,短期內(nèi)會(huì)引起全球鎵、鍺的備貨潮,遭到相關(guān)企業(yè)瘋搶,推動(dòng)相關(guān)海外產(chǎn)品價(jià)格大幅上漲,國(guó)外企業(yè)AXT股價(jià)已大幅下跌。
2023-07-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)物聯(lián)網(wǎng)氮化鎵 2386 0
鎵和鍺是新興的戰(zhàn)略關(guān)鍵礦產(chǎn),已被列入國(guó)家戰(zhàn)略性礦產(chǎn)名錄。中國(guó)在鎵和鍺的儲(chǔ)量和出口方面都處于全球領(lǐng)先地位。
2023-07-10 標(biāo)簽:衛(wèi)星通信半導(dǎo)體材料砷化鎵 1659 0
衢州先導(dǎo)集成電路關(guān)鍵材料與高端化合物半導(dǎo)體等項(xiàng)目開(kāi)工
衢州智造新城消息顯示,衢州先導(dǎo)集成電路關(guān)鍵材料與高端化合物半導(dǎo)體及器件模組項(xiàng)目總投資110億元,位于衢州智造新城高新片區(qū)及智造新城東港片區(qū),總用地面積約...
商務(wù)部和海關(guān)總署發(fā)布公告,對(duì)鎵、鍺相關(guān)物限制出口
該公告規(guī)定了涉及金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵、磷化鎵、砷化鎵、銦鎵砷、硒化鎵、銻化鎵,以及金屬鍺、區(qū)熔鍺錠、磷鍺鋅、鍺外延生長(zhǎng)襯底、二氧化鍺、四氯化鍺等相關(guān)物...
2023-07-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵砷化鎵 1606 0
半導(dǎo)體材料都有哪些?半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)分類狀況
集成電路產(chǎn)業(yè)鏈包括設(shè)計(jì)、制造和封測(cè)等關(guān)鍵步驟,其中半導(dǎo)體材料是集成電路上游關(guān)鍵原材料,按用途可分為晶圓制造材料和封裝材料。
2023-07-03 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體材料氮化鎵 3.3萬(wàn) 0
砷化鎵+ Si混合可編程線性霍爾IC-GS302SA-3產(chǎn)品說(shuō)明
GS302SA-3通過(guò)磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化,輸出等比例霍爾電勢(shì),從而感知電流及線性位移,廣泛用于電流傳感器、線性馬達(dá)等。由于GaAs的靈敏度比Si材料高1個(gè)數(shù)...
國(guó)內(nèi)砷化鎵2023年將迎來(lái)黃金機(jī)遇
占據(jù)強(qiáng)勢(shì)地位的IDM公司,比如Qorvo和Skyworks,持續(xù)丟失中國(guó)國(guó)內(nèi)和三星的射頻前端份額,必然會(huì)導(dǎo)致這類美系IDM公司縮小砷化鎵晶圓廠產(chǎn)出規(guī)模。
砷化鎵是不是金屬材料 砷化鎵屬于半導(dǎo)體材料。砷化鎵(化學(xué)式:GaAs)是鎵和砷兩種元素所合成的化合物,也是重要的IIIA族、VA族化合物半導(dǎo)體材料,用來(lái)...
2023-02-14 標(biāo)簽:砷化鎵 8675 0
砷化鎵GaAs在光電和射頻領(lǐng)域中的應(yīng)用與發(fā)展
砷化鎵是發(fā)光材料,加上泵浦源和諧振腔,即可選頻制成激光器。650nm-1300nm波長(zhǎng)的低功率激光器都可以用砷化鎵材料設(shè)計(jì),典型代表是VCSEL(垂直腔...
產(chǎn)生量子糾纏的設(shè)備通常體積龐大,且每次只能產(chǎn)生一對(duì)糾纏光子。現(xiàn)在,科學(xué)家們發(fā)明了一種厚度約為一便士三分之一的裝置,它不僅可以成對(duì)產(chǎn)生復(fù)雜的糾纏光子網(wǎng),還...
AMCOM的AM06013033MD-3H是款寬帶砷化鎵功率放大器模塊,設(shè)計(jì)用作通用型應(yīng)用領(lǐng)域。AM06013033MD-3H工作頻率從6GHz到13G...
砷化鎵可在一塊芯片上同時(shí)處理光電數(shù)據(jù),因而被廣泛應(yīng)用于遙控、手機(jī)、DVD計(jì)算機(jī)外設(shè)、照明等諸多光電子領(lǐng)域。另外,因其電子遷移率比硅高6倍,砷化鎵成為超高...
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