深入解析硅基光子芯片制造流程，揭秘科技奇跡！

在信息技術日新月異的今天，硅基光子芯片制造技術正逐漸成為科技領域的研究熱點。作為“21世紀的微電子技術”，硅基光子集成技術不僅融合了電子芯片與光子芯片的...

2025-03-19 標簽：芯片制造集成芯片硅基 591 0

了解半導體材料：硅

硅作為一種半導體的使用材料徹底改變了電子工業(yè)，開啟了數(shù)字時代。然而，許多人仍對這種重要的材料的性質(zhì)和用途一無所知。讓我們近距離地了解一下硅，它是什么，怎...

2023-12-09 標簽：半導體材料硅基 3325 0

為什么硅基MEMS激光雷達無法用作汽車主雷達

雖然硅基MEMS微振鏡區(qū)別于傳統(tǒng)的金屬機械結構部件（電機、轉(zhuǎn)子等），避免了機械式激光雷達因內(nèi)部旋轉(zhuǎn)的整體模塊體積和重量都較大引起受沖擊時慣量太大而容易致...

2023-10-08 標簽：mems激光雷達硅基 2118 0

硅基氮化鎵未來發(fā)展趨勢分析

GaN 技術持續(xù)為國防和電信市場提供性能和效率。目前射頻市場應用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化...

2023-09-14 標簽：射頻無線電氮化鎵 1607 0

硅基MCT紅外探測器的鈍化初步研究

碲鎘汞（MCT）材料的表面鈍化是紅外探測器制備中的關鍵工藝之一。高性能MCT器件需要穩(wěn)定且可重復生產(chǎn)的鈍化表面和符合器件性能要求的界面。因此，探究MCT...

2023-09-12 標簽：芯片探測器硅基 1257 0

基于SPAD的近紅外高分辨率dTOF探測器工藝設計

基于單光子雪崩二極管（SPAD）的光子直接飛行時間（dTOF）探測器通過測量發(fā)射光與反射光之間的時間間隔來計算所探測的距離，具有體積小、功耗低和分辨率高...

2023-08-23 標簽：集成電路紅外線探測器 3330 0

硅基外延量子點激光器及摻雜調(diào)控方面取得重要研究進展

? 硅基光電子集成芯片以成熟穩(wěn)定的CMOS工藝為基礎，將傳統(tǒng)光學系統(tǒng)所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上，極大提升芯片的信息傳輸和處理能力，可廣泛應...

2023-06-26 標簽：芯片激光器硅基 757 0

硅基氮化鎵工藝流程

硅基氮化鎵外延生長是在硅片上經(jīng)過各種氣體反應在硅片上層積幾層氮化鎵外延層，為中間產(chǎn)物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線路，縮小并制作在極...

2023-02-11 標簽：功率器件氮化鎵硅基 1.2萬 1

光刻膠中金屬雜質(zhì)對硅基基質(zhì)的吸附機理 南通華林科納分析

應用放射性示蹤技術研究了金屬雜質(zhì)(如鋇、銫、鋅和錳)從化學放大光刻膠中遷移和吸附到硅基底層襯底上的行為。評估了兩個重要的工藝參數(shù)，即烘烤溫度和襯底類型(...

2021-12-13 標簽：納米材料納米襯底 1368 0

闡述硅基負極材料粘結劑的研究進展并對不同類型粘結劑進行優(yōu)缺點對比

在鋰離子電池中，粘結劑是影響電極結構穩(wěn)定性的重要因素之一。根據(jù)分散介質(zhì)的性質(zhì)，鋰離子電池粘結劑可分為以有機溶劑為分散劑的油性粘結劑和以水為分散劑的水性粘...

2018-02-01 標簽：電池粘結劑硅基負極材料 1.9萬 0

SITRI發(fā)布8英寸硅基GaN外延晶圓產(chǎn)品 解決了困擾硅基GaN材料應用技術難題

該晶圓產(chǎn)品具備高晶體質(zhì)量、高材料均勻性、高耐壓與高可靠性等特點，同時實現(xiàn)材料有效壽命超過1百萬小時，成功解決了困擾硅基GaN材料應用的技術難題，適用于中...

2018-01-04 標簽：晶圓gan硅基 1.7萬 0

硅基近紅外光電轉(zhuǎn)換研究的進展情況

麥姆斯咨詢：紅外光電檢測對光譜、夜間監(jiān)控、紅外導引、光通信等應用領域具有重要意義。

2017-09-26 標簽：硅基 8241 0