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標(biāo)簽 > 硅晶圓
硅晶圓(wafer)用來制造集成電路(IC)的載板,在上面布滿晶粒,將晶粒切開后得到芯片,將芯片經(jīng)過封裝測(cè)試,制成集成電路。硅晶圓尺寸是它的直徑,目前較常見的有6、8、12英寸。
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本文主要詳細(xì)介紹了六家生產(chǎn)硅晶圓的上市公司。硅晶圓是硅元素進(jìn)行純化之后的一種化工材料,在制造電路的實(shí)驗(yàn)半導(dǎo)體當(dāng)中,經(jīng)常會(huì)使用到這種材料。簡(jiǎn)而言之,就是在...
眾所周知,半導(dǎo)體作為最重要的產(chǎn)業(yè)之一,每年為全球貢獻(xiàn)近五千億美金的產(chǎn)值,可以毫不夸張的說,半導(dǎo)體技術(shù)無處不在。
芯片做好后,用精細(xì)的切割器將芯片從晶圓上 切下來,焊接到基片上,裝殼密封。經(jīng)過測(cè)試 后就可以包裝銷售了
硅光子技術(shù)全面普及:體驗(yàn)硅發(fā)光技術(shù)的進(jìn)展
關(guān)于在硅晶圓上實(shí)現(xiàn)光傳輸?shù)摹肮韫庾印奔夹g(shù),其實(shí)用化和研發(fā)的推進(jìn)速度都超過了預(yù)期。其中,日本的進(jìn)展尤其顯著。日本在高密度集成技術(shù)和調(diào)制器等的小型化方面世界...
LED倒裝芯片的制備始于制備芯片的硅晶圓。晶圓通常是通過晶體生長(zhǎng)技術(shù),在高溫高壓的條件下生長(zhǎng)出具有所需電特性的半導(dǎo)體材料,如氮化鎵(GaN)。
濕法刻蝕利用化學(xué)溶液溶解晶圓表面的材料,達(dá)到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學(xué)反應(yīng)的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。
關(guān)于Intel生產(chǎn)量子芯片硅晶圓的性能介紹和應(yīng)用
一方面,量子位十分脆弱,任何噪音或者干擾都可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。英特爾指出,量子位要在極度低溫下運(yùn)行,約零下273攝氏度。
關(guān)于晶棒的常見知識(shí)點(diǎn)總結(jié)(8個(gè)基礎(chǔ)要點(diǎn))
晶棒的制備過程通常涉及液相或氣相生長(zhǎng)技術(shù)。通過控制溫度、壓力和其他參數(shù),使材料從熔融態(tài)或氣相重新結(jié)晶,逐漸生長(zhǎng)出大尺寸的晶體棒。生長(zhǎng)過程中,晶體結(jié)構(gòu)逐漸...
相對(duì)于塊體材料,膜一般為二維材料。薄膜和厚膜從字面上區(qū)分,主要是厚度。薄膜一般厚度為5nm至2.5μm,厚膜一般為2μm至25μm,但厚度并不是區(qū)分薄膜...
離子注入技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用
離子注入過程提供了比擴(kuò)散過程更好的摻雜工藝控制(見下表)。例如,摻雜物濃度和結(jié)深在擴(kuò)散過程中無法獨(dú)立控制,因?yàn)闈舛群徒Y(jié)深都與擴(kuò)散的溫度和時(shí)間有關(guān)。離子注...
一片硅晶圓對(duì)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的影響分析
作為百億美元級(jí)別的行業(yè),半導(dǎo)體材料的市場(chǎng)規(guī)模不算很大,但其內(nèi)部材料種類繁多,單一產(chǎn)品市場(chǎng)規(guī)模小、技術(shù)要求高、子行業(yè)之間差異較大。其中硅片占比半導(dǎo)體材料市...
芯片制造時(shí)長(zhǎng)揭秘:從原料到成品的完整周期
整個(gè)芯片制造的流程可以分為三大步驟:芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測(cè)試
2024-03-07 標(biāo)簽:芯片晶圓芯片設(shè)計(jì) 3014 0
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