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標(biāo)簽 > 硅材料
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有研硅科創(chuàng)板IPO上市 半導(dǎo)體龍頭企業(yè)助力產(chǎn)業(yè)發(fā)展
2022-10-24 標(biāo)簽:硅材料 2564 0
同時(shí),硅材料納米化使電極的振實(shí)密度(根據(jù)百度百科:對(duì)干粉末顆粒群施加振動(dòng)等外力后,達(dá)到極限的堆積密度)降低,活性物質(zhì)負(fù)載量降低(個(gè)人理解:因?yàn)檎駥?shí)密度降...
有研硅科創(chuàng)板IPO!刻蝕設(shè)備用硅材料收入翻倍漲,募資10億擴(kuò)充8英寸硅片等產(chǎn)能
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/劉靜)近日,一家由日本企業(yè)控股的半導(dǎo)體材料公司,有研硅在上海證券交易所提交IPO注冊(cè),有望在今年內(nèi)完成敲鐘上市。 ? 此次IPO,...
微型量子頻標(biāo)的MEMS堿蒸氣室技術(shù)開發(fā)
引言 本文介紹了用于微型量子頻標(biāo)的MEMS堿蒸氣室技術(shù)開發(fā)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。包含光學(xué)室、淺過(guò)濾通道和用于固態(tài)堿源的技術(shù)容器的兩室硅電池的經(jīng)典設(shè)計(jì)在濕法各向異性...
本文根據(jù)測(cè)量的OCP和平帶電壓,構(gòu)建了氫氧化鉀水溶液中n-St的定量能帶圖,建立了同一電解質(zhì)中p-St的能帶圖,進(jìn)行了輸入電壓特性的測(cè)量來(lái)驗(yàn)證這些能帶圖...
三維硅MEMS結(jié)構(gòu)的灰階微加工 光刻和深反應(yīng)離子蝕刻
摘要 微機(jī)電系統(tǒng)中任意三維硅結(jié)構(gòu)的微加工可以用灰度光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)以及干各向異性蝕刻。 在本研究中,我們研究了深反應(yīng)離子蝕刻(DRIE)的使用和蝕刻的裁剪精...
2022-03-08 標(biāo)簽:激光硅材料微機(jī)電技術(shù) 1324 0
HF/HNO3和氫氧化鉀溶液中深濕蝕刻對(duì)硅表面質(zhì)量的影響
引言 拋光液中的污染物和表面劃痕、挖掘和亞表面損傷(固態(tài)硬盤)等缺陷是激光損傷的主要前兆。我們提出了在拋光后使用HF/HNO3或KOH溶液進(jìn)行深度濕法蝕...
芯片主要由硅材料制成,其大小僅有手指甲的一半;一個(gè)芯片是由幾百個(gè)微電路連接在一起的,體積很小,在芯片上布滿了產(chǎn)生脈沖電流的微電路;它是微電子技術(shù)的主要產(chǎn)...
硅材料是一種產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料,主要以功率器件、微波器件為應(yīng)用和發(fā)展方向,一般用在各類半導(dǎo)體器件上的應(yīng)用。 硅材料的分類: 按純度分:工業(yè)硅...
電力電子產(chǎn)業(yè)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)之一便是使用更高的開關(guān)頻率以獲得更緊密的系統(tǒng)設(shè)計(jì),而在高開關(guān)頻率高功率的應(yīng)用中,SiC器件優(yōu)勢(shì)明顯,這就使得SiC MOSFE...
2021-08-13 標(biāo)簽:電荷硅材料SiC MOSFET 7950 0
一款基于硅材料的新型芯片實(shí)驗(yàn)室(lab-on-chip)檢測(cè)技術(shù)
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,這款名為“TriSilix”的芯片由倫敦帝國(guó)理工學(xué)院(Imperial College London)開發(fā),該芯片是一種“片上微型實(shí)驗(yàn)...
2021-03-26 標(biāo)簽:芯片檢測(cè)技術(shù)硅材料 3944 0
將電池技術(shù)與硅晶體管所推動(dòng)的數(shù)字革命相提并論或許有些夸大,但它們無(wú)疑是現(xiàn)代社會(huì)降低碳排放的核心技術(shù)之一。根據(jù)歐洲環(huán)境署(European Environ...
2020-06-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電池技術(shù)硅材料 2412 0
北京高壓科學(xué)中心: 硅材料在納米尺度的塑性機(jī)制
由于極小的樣品尺寸(往往小于100納米、甚至10納米),納米材料的力學(xué)性能一直是頗具挑戰(zhàn)的研究領(lǐng)域。以往對(duì)于硅納米材料的塑性形變的研究主要集中在理論計(jì)算...
國(guó)盛集團(tuán)攜手協(xié)鑫集團(tuán)共同設(shè)立新華半導(dǎo)體有限公司
據(jù)新華半導(dǎo)體發(fā)布公告,2019年1月3日,由國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、上海國(guó)盛集團(tuán)以及協(xié)鑫集團(tuán)共同發(fā)起的兩支基金決定集中優(yōu)勢(shì)資源,共同設(shè)立新華半導(dǎo)體控股...
阿爾卡特朗訊與CEA-Leti聯(lián)手研發(fā)III-V半導(dǎo)體與硅材料技術(shù)
阿爾卡特朗訊貝爾實(shí)驗(yàn)室、Thales與CEA-Letu日前聯(lián)合宣布,CEA-Leti已加入III-V實(shí)驗(yàn)室,增強(qiáng)研發(fā)中心的產(chǎn)業(yè)研發(fā)能力,該實(shí)驗(yàn)室居于全歐...
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