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標(biāo)簽 > 硅片

硅片

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 硅片,是制作集成電路的重要材料,通過(guò)對(duì)硅片進(jìn)行光刻、離子注入等手段,可以制成各種半導(dǎo)體器件。在米粒大的硅片上,已能集成16萬(wàn)個(gè)晶體管,這是科學(xué)技術(shù)進(jìn)步的又一個(gè)里程碑。

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硅片資訊

全球半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)發(fā)展情況分析

2021年全球半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)規(guī)模為113億美元。預(yù)計(jì)到2030 年將達(dá)到 150 億美元,復(fù)合年增長(zhǎng)率為 3.6%在預(yù)測(cè)期間(2022-2030 年)。...

2022-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓硅片 2750 0

了解國(guó)產(chǎn)硅片的現(xiàn)狀

近日,有媒體報(bào)道稱(chēng),某企業(yè)在互動(dòng)平臺(tái)回復(fù)投資者提問(wèn)時(shí)表示,用于28納米以下制程的12英寸硅片已納入《瓦森納協(xié)議》。隨后有媒體稱(chēng),其董秘在朋友圈做了相關(guān)解...

2022-09-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓硅片 1420 0

用于28nm以下制程的12英寸硅片納入瓦森納協(xié)定

就在不久前,美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局(BIS)宣布,將超寬帶隙基板半導(dǎo)體材料氧化鎵(Ga2O3),設(shè)計(jì)GAAFET架構(gòu)的先進(jìn)芯片EDA軟件工具等列入商業(yè)管...

2022-09-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體硅片14nm 2178 0

濕法刻蝕工藝操作規(guī)程

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通過(guò)化學(xué)反應(yīng)腐蝕掉硅片背面及四周的PN結(jié)以達(dá)到正面與背面絕緣的目的同時(shí)去除正面的磷硅玻璃層。

2022-09-06 標(biāo)簽:工藝硅片刻蝕 3037 0

硅片價(jià)格年內(nèi)九連漲,中國(guó)光伏龍頭海外被訴違約,光伏產(chǎn)業(yè)如何逆風(fēng)翻盤(pán)?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)近日,隸屬于華納旗下的《財(cái)富》雜志公布了2022年中國(guó)500強(qiáng),其中有82家能源企業(yè),13家光伏企業(yè)榜上有名。據(jù)國(guó)家能源局...

2022-07-29 標(biāo)簽:光伏產(chǎn)業(yè)硅片 2796 0

晶片清洗和表面處理的重要性 RCA清洗過(guò)程的詳細(xì)步驟

晶片清洗和表面處理的重要性 RCA清洗過(guò)程的詳細(xì)步驟

硅集成電路(IC)的制造需要500-600個(gè)工藝步驟,這取決于器件的具體類(lèi)型。在將完整的晶片切割成單個(gè)芯片之前,大多數(shù)步驟都是作為單元工藝來(lái)執(zhí)行的。大約...

2022-07-14 標(biāo)簽:集成電路硅片清洗 5455 0

濕法清洗中去除硅片表面的顆粒

濕法清洗中去除硅片表面的顆粒

用半導(dǎo)體制造中的清洗過(guò)程中使用的酸和堿溶液研究了硅片表面的顆粒去除。

2022-07-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶片硅片 2646 0

芯片是硅單質(zhì)還是二氧化硅

芯片的主要成分是硅。首先芯片的原料是晶圓,而晶圓的成分是硅,硅是由石英沙所提煉出來(lái)的,晶圓便是硅元素加以純化,然后將這些純化的硅制成硅晶棒,就成了制造集...

2022-06-23 標(biāo)簽:芯片晶圓硅片 2.5萬(wàn) 0

中環(huán)半導(dǎo)體榮獲“2022全球光伏20強(qiáng)”等四項(xiàng)大獎(jiǎng)

6月10日,中環(huán)半導(dǎo)體總經(jīng)理沈浩平受邀出席由365光伏主辦的全球新能源領(lǐng)袖企業(yè)高層論壇,與光伏領(lǐng)袖共話光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與技術(shù)發(fā)展路徑。

2022-06-12 標(biāo)簽:新能源光伏硅片 1605 0

寧夏回族自治區(qū)黨委書(shū)記一行到中欣晶圓調(diào)研

2022年4月16 日,寧夏回族自治區(qū)黨委書(shū)記梁言順一行調(diào)研疫情防控和經(jīng)濟(jì)發(fā)展工作時(shí)來(lái)到寧夏中欣晶圓半導(dǎo)體科技有限公司(下簡(jiǎn)稱(chēng)“寧夏中欣晶圓”)。

2022-04-19 標(biāo)簽:硅片中欣晶圓 2738 0

用于硅片減薄的濕法蝕刻工藝控制

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薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。 需要更薄的模具來(lái)適應(yīng)更薄的包裝。 使用最后的濕蝕刻工藝在背面變薄的晶圓與標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)械背面磨削相比,應(yīng)力更小。 ...

2022-04-07 標(biāo)簽:工藝蝕刻硅片 1142 0

詳解單晶硅的各向異性蝕刻特性

詳解單晶硅的各向異性蝕刻特性

為了形成膜結(jié)構(gòu),單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻,觀察到蝕刻速率強(qiáng)烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度,用于蝕刻實(shí)驗(yàn)的掩模圖案在硅晶片...

2022-03-25 標(biāo)簽:裝置蝕刻硅片 3940 0

200?C下使用紫外增強(qiáng)O2GPC去除聚乙EG的實(shí)驗(yàn)

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在襯底溫度、壓力和紫外暴露等不同工藝條件下,在200?C下使用紫外增強(qiáng)O2GPC去除聚乙EG的實(shí)驗(yàn),通過(guò)在200?C的襯底溫度下,在150秒內(nèi)去除約20...

2022-03-21 標(biāo)簽:工藝參數(shù)硅片 567 0

晶圓級(jí)自清潔反射硅表面的簡(jiǎn)單方法

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利用氫氧化鉀蝕刻和銀催化蝕刻,在晶體硅片上生成了錐體分層結(jié)構(gòu),經(jīng)氟化后表現(xiàn)出較強(qiáng)的抗反射和超疏水性,利用紫外輔助壓印光刻技術(shù)將分層硅結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到NOA63...

2022-03-17 標(biāo)簽:蝕刻硅片儀器 836 0

單晶硅片堿性溶液中的蝕刻速率

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本文研究了用金剛石線鋸切和標(biāo)準(zhǔn)漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時(shí)間的關(guān)系,目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因,...

2022-03-16 標(biāo)簽:光纖蝕刻硅片 997 0

關(guān)于刻蝕的重要參數(shù)報(bào)告

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刻蝕速率是指在刻蝕過(guò)程中去除硅片表面材料的速度通常用?/min表示, 刻蝕窗口的深度稱(chēng)為臺(tái)階高度。 為了高的產(chǎn)量, 希望有高的刻蝕速率。 在采用單片工藝...

2022-03-15 標(biāo)簽:材料硅片刻蝕 3872 0

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在半導(dǎo)體制造的干燥工藝中,水印抑制是重要的課題,對(duì)此,IPA直接置換干燥是有效的。水印的生成可以通過(guò)三相界面共存模型進(jìn)行說(shuō)明。另外就馬蘭戈尼效果進(jìn)行說(shuō)明。

2022-03-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體制造硅片 2529 0

用兆頻超聲波能量從有機(jī)溶劑中的硅片上去除顆粒的實(shí)驗(yàn)

用兆頻超聲波能量從有機(jī)溶劑中的硅片上去除顆粒的實(shí)驗(yàn)

本文介紹了用兆頻超聲波能量從有機(jī)溶劑中的硅片上去除顆粒的實(shí)驗(yàn)。納米粒子首先通過(guò)可控污染工藝沉積在硅晶片上。對(duì)于新沉積和老化的顆粒,研究了作為兆頻超聲波功...

2022-03-07 標(biāo)簽:晶圓超聲波硅片 1100 0

硅板法對(duì)于評(píng)估硅晶片表面上有機(jī)物質(zhì)的時(shí)間依賴性行為

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摘要 已開(kāi)發(fā)出一種稱(chēng)為硅板法的方法,該方法使用具有清潔簡(jiǎn)單過(guò)程的小型取樣裝置,以直接評(píng)估來(lái)自潔凈室空氣的硅晶片表面上的有機(jī)污染物。使用這種方法,首次通過(guò)...

2022-03-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體硅片 806 0

硅片表面有機(jī)污染物的吸附行為

硅片表面有機(jī)污染物的吸附行為

摘要 研究了吸附在硅片表面的有機(jī)污染物的吸附行為。污染物是由潔凈室環(huán)境和塑料儲(chǔ)物箱中存在的揮發(fā)性有機(jī)污染物引起的。晶片上的污染物通過(guò)將它們?nèi)芙庠谌軇┲衼?lái)...

2022-03-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體硅片 1879 0

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    電池
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    電池(Battery)指盛有電解質(zhì)溶液和金屬電極以產(chǎn)生電流的杯、槽或其他容器或復(fù)合容器的部分空間,能將化學(xué)能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。具有正極、負(fù)極之分。隨著科技的進(jìn)步,電池泛指能產(chǎn)生電能的小型裝置。如太陽(yáng)能電池。電池的性能參數(shù)主要有電動(dòng)勢(shì)、容量、比能量和電阻。
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    充電樁
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  • 羅德與施瓦茨
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