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碳化硅二極管

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碳化硅二極管技術(shù)

碳化硅介紹：三種SiC襯底制作方法對(duì)比

碳化硅的禁帶寬度是硅的2-3倍，在高溫下電子不易發(fā)生躍遷，可耐受更高的工作溫度，且碳化硅的熱導(dǎo)率是硅的4-5倍，使得器件散熱更容易，極限工作溫度更高。耐...

2023-07-07 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.7萬(wàn) 0

SiC碳化硅二極管功率器件有哪些封裝？

我們拿慧制敏造碳化硅半導(dǎo)體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來(lái)我們來(lái)看一下碳化硅二極管的貼片封裝，常見(jiàn)的有有TO-263和TO-252封裝，隨著近些...

2023-02-21 標(biāo)簽：封裝功率器件碳化硅二極管 2831 0

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開(kāi)說(shuō)明。碳和硅進(jìn)過(guò)化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末...

2023-02-21 標(biāo)簽：碳化硅MOSFET 碳化硅二極管 2473 0

碳化硅二極管優(yōu)勢(shì)有哪些？

碳化硅二極管的優(yōu)勢(shì) 　 1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性　　寬禁帶材料可提高器件的工作溫度，6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高...

2023-02-03 標(biāo)簽：功率器件 SiC 寬禁帶 765 0

基本半導(dǎo)體SMBF封裝碳化硅二極管你了解多少

自打百瓦快充大戰(zhàn)興起，充電器的功率密度不斷提升，氮化鎵和碳化硅第三代半導(dǎo)體的加入，使得PD快充可以做更小體積，縱使是百瓦也能做成一個(gè)非常小的尺寸。 ...

2023-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體充電器氮化鎵 1032 0

如何有效地檢測(cè)Sic MOSFETn方案

碳化硅二極管具有非?？焖俚幕謴?fù)時(shí)間，這可提高開(kāi)關(guān)速率，并減小磁性元件和其它無(wú)源元件的尺寸，從而使最終產(chǎn)品具有更高的功率密度。

2021-01-06 標(biāo)簽：肖特基二極管碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 2787 0

大功率碳化硅二極管有哪些應(yīng)用

長(zhǎng)期以來(lái)，在制造半導(dǎo)體器件的材料中，硅（Si）材料一直居于統(tǒng)治地位。隨著電子科技的不斷發(fā)展和進(jìn)步，半導(dǎo)體器件的性能也需要不斷提高，硅基器件的性能開(kāi)始逐漸...

2020-10-02 標(biāo)簽：大功率碳化硅二極管 3748 0

碳化硅二極管帖子

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碳化硅二極管資訊

SiC SBD/超結(jié)MOS在工業(yè)電源上的應(yīng)用

瑞森半導(dǎo)體在工業(yè)電源上的應(yīng)用上：主推碳化硅(SiC)二極管/超結(jié)MOS，助力廠家及品牌，打造高質(zhì)、高性能產(chǎn)品。

2023-12-11 標(biāo)簽：電源超結(jié)器件 PFC電源 816 0

國(guó)芯思辰｜圍繞基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D02120K設(shè)計(jì)的太陽(yáng)能逆變器，功耗僅77W，可替代科銳C4D02120A

太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)由太陽(yáng)能電池組、太陽(yáng)能控制器、蓄電池（組）、逆變器組成。逆變器能夠?qū)⑻?yáng)能發(fā)電系統(tǒng)輸出直流電源轉(zhuǎn)換為交流220V或110V。首先，光伏陣列...

2022-08-03 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體碳化硅二極管 892 0

解析！碳化硅肖特基二極管的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍（寬禁帶），達(dá)到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)為硅的5.3倍，高達(dá)3.2MV/cm，其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍，為49w/c...

2021-06-18 標(biāo)簽：肖特基二極管碳化硅二極管 1750 0

SiC碳化硅二極管、SiC碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管常用規(guī)格介紹

SiC碳化硅二極管起步電壓為650V，電流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動(dòng)工具、消費(fèi)類產(chǎn)品、工控。碳化硅二極管料號(hào)為：KN3D060...

2023-02-21 標(biāo)簽：碳化硅半導(dǎo)體碳化硅MOSFET 碳化硅二極管 3249 0

國(guó)外碳化硅大廠：產(chǎn)能瘋狂擴(kuò)張、豐富的產(chǎn)品組合

國(guó)外碳化硅大廠：產(chǎn)能瘋狂擴(kuò)張、豐富的產(chǎn)品組合 ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠(chéng)）碳化硅、氮化鎵這兩種新型半導(dǎo)體材料，憑借其耐高溫、耐高壓、高頻的特性在功率...

2021-11-11 標(biāo)簽：Infineon ROHM公司 Wolfspeed 4578 0

Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列，繼續(xù)擴(kuò)充寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品

工業(yè)級(jí)650V、10A SiC肖特基二極管樣品現(xiàn)已開(kāi)始供貨。還將計(jì)劃推出1200V/6-20A電流范圍部件和車規(guī)級(jí)部件。

2021-11-05 標(biāo)簽：碳化硅 Nexperia 車載充電器 903 0

森國(guó)科推出多款快充PFC電路專用碳化硅二極管（SiC JBS）

森國(guó)科針對(duì)大功率快充推出了兩款碳化硅二極管，賦能高功率密度快充產(chǎn)品。該兩款產(chǎn)品型號(hào)為：KS06065（650V/6A）、KS10065（650V/10A...

2021-03-10 標(biāo)簽：PFC 碳化硅二極管森國(guó)科 2928 0

森國(guó)科推出用于5G微基站電源的碳化硅二極管（SiC JBS）

微基站內(nèi)部電源系統(tǒng)系統(tǒng)中對(duì)交流接觸器的選用、斷路器熔斷器及空氣開(kāi)關(guān)的選用、保護(hù)電路的設(shè)計(jì)、交流電量檢測(cè)電路的設(shè)計(jì)、防雷及抗涌措施的選擇等要符合規(guī)范。

2021-03-10 標(biāo)簽：視頻監(jiān)控 5G 基站電源 1505 0

國(guó)產(chǎn)芯片真金質(zhì)！基本半導(dǎo)體挑戰(zhàn)極限高溫測(cè)試“火”力全開(kāi)

國(guó)家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心（簡(jiǎn)稱“國(guó)創(chuàng)中心”）邀請(qǐng)基本半導(dǎo)體等13家國(guó)內(nèi)整車和半導(dǎo)體企業(yè)的專家，實(shí)地開(kāi)展“中國(guó)車規(guī)半導(dǎo)體首批測(cè)試驗(yàn)證項(xiàng)目吐魯番高溫試驗(yàn)”...

2019-08-20 標(biāo)簽：芯片碳化硅MOSFET 碳化硅二極管 2021 0

碳化硅二極管-碳化硅二極管應(yīng)用及產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

2018-11-20 標(biāo)簽：碳化硅半導(dǎo)體碳化硅二極管 1672 0

碳化硅二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

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電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立，是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國(guó)電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國(guó)電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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提供全球最前沿?zé)o人駕駛科技趨勢(shì)，中國(guó)無(wú)人駕駛開(kāi)發(fā)者社區(qū)
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京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠(chéng)為現(xiàn)任代表取締役社長(zhǎng)。資本金為1，157億332萬(wàn)日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬(wàn)日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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eMMC （Embedded Multi Media Card）是MMC協(xié)會(huì)訂立、主要針對(duì)手機(jī)或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。
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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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電路過(guò)電流過(guò)電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動(dòng)機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過(guò)大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車在牽引、電阻制動(dòng)或自負(fù)載工況下，對(duì)主電路的過(guò)電流和過(guò)電壓均進(jìn)行保護(hù)。
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特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因?yàn)檫@是從“Tesla”這個(gè)英文名直接音譯過(guò)來(lái)的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬(wàn)伏的高頻電壓。
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過(guò)零檢測(cè)指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過(guò)零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測(cè)。可作開(kāi)關(guān)電路或者頻率檢測(cè)。漏電開(kāi)關(guān)的漏電檢測(cè)是檢測(cè)零序電流。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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AIoT

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AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）=AI（人工智能）+IoT（物聯(lián)網(wǎng)）。 AIoT融合AI技術(shù)和IoT技術(shù)，通過(guò)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)生、收集海量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于云端、邊緣端，再通過(guò)大數(shù)據(jù)分析，以及更高形式的人工智能，實(shí)現(xiàn)萬(wàn)物數(shù)據(jù)化、萬(wàn)物智聯(lián)化，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與人工智能追求的是一個(gè)智能化生態(tài)體系，除了技術(shù)上需要不斷革新，技術(shù)的落地與應(yīng)用更是現(xiàn)階段物聯(lián)網(wǎng)與人工智能領(lǐng)域亟待突破的核心問(wèn)題。
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功率放大器（英文名稱：power amplifier），簡(jiǎn)稱“功放”，是指在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動(dòng)某一負(fù)載（例如揚(yáng)聲器）的放大器。
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擬訂科創(chuàng)板股票上市審核規(guī)則、科創(chuàng)板上市公司并購(gòu)重組審核規(guī)則、上市委員會(huì)及科技創(chuàng)新咨詢委員會(huì)相關(guān)規(guī)則；負(fù)責(zé)科創(chuàng)板股票發(fā)行上市審核和科創(chuàng)板上市公司并購(gòu)重組審核工作，擬訂審核標(biāo)準(zhǔn)、審核程序等；對(duì)發(fā)行人、科創(chuàng)板上市公司及中介機(jī)構(gòu)進(jìn)行自律監(jiān)管等。

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