溝槽結(jié)構(gòu)碳化硅的外延填充方法

一、引言 溝槽結(jié)構(gòu)碳化硅的外延填充方法是指通過在碳化硅襯底上形成的溝槽內(nèi)填充高質(zhì)量的外延層，以實(shí)現(xiàn)器件的電學(xué)和熱學(xué)性能要求。這一過程中，不僅要保證外延層...

2024-12-30 標(biāo)簽：晶圓碳化硅測(cè)厚 493 0

全方位解析碳化硅：應(yīng)用廣泛的高性能材料！

碳化硅（SiC），又稱碳硅石，是當(dāng)代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種。它以其優(yōu)異的物理和化學(xué)性質(zhì)，在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)了不可替代的...

2024-12-30 標(biāo)簽：材料SiC碳化硅 911 0

優(yōu)化濕法腐蝕后碳化硅襯底TTV管控

一、濕法腐蝕在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn) 濕法腐蝕是碳化硅襯底加工中不可或缺的一步，主要用于去除表面損傷層、調(diào)整表面形貌、提高表面光潔度等。然而，濕法...

2024-12-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅硅襯底 459 0

用于切割碳化硅襯底TTV控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)

一、碳化硅襯底TTV控制的重要性 碳化硅襯底的TTV是指襯底表面各點(diǎn)厚度最高點(diǎn)與最低點(diǎn)之間的差值。TTV的大小直接影響后續(xù)研磨、拋光工序的效率和成本，以...

2024-12-26 標(biāo)簽：碳化硅硅襯底半導(dǎo)體晶圓 453 0

安森美碳化硅MOSFET的持續(xù)演進(jìn)

隨著電動(dòng)汽車動(dòng)力總成和能源基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)碳化硅(SiC)功率器件需求的增加，加速了市場(chǎng)的增長(zhǎng)。在這一過程中，終端用戶需求不斷提高以及日益增大的盈利壓力促使各...

2024-12-26 標(biāo)簽：MOSFET安森美碳化硅 497 0

降低碳化硅襯底TTV的磨片加工方法

一、碳化硅襯底的加工流程 碳化硅襯底的加工主要包括切割、粗磨、精磨、粗拋和精拋（CMP）等幾個(gè)關(guān)鍵工序。每一步都對(duì)最終產(chǎn)品的TTV有著重要影響。 切割...

2024-12-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 536 0

激光退火后，碳化硅襯底TTV變化管控

一、激光退火在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn) 激光退火是一種先進(jìn)的熱處理技術(shù)，通過局部高溫作用，能夠修復(fù)碳化硅襯底中的晶格缺陷，提高晶體質(zhì)量，優(yōu)化摻雜元素...

2024-12-24 標(biāo)簽：晶圓襯底碳化硅 470 0

碳化硅襯底修邊處理后，碳化硅襯底TTV變化管控

一、碳化硅襯底修邊處理的作用與挑戰(zhàn) 修邊處理是碳化硅襯底加工中的一個(gè)關(guān)鍵步驟，主要用于去除襯底邊緣的毛刺、裂紋和不規(guī)則部分，以提高襯底的尺寸精度和邊緣質(zhì)...

2024-12-23 標(biāo)簽：晶圓SiC碳化硅 474 0

為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位

各位小伙伴，不久前我們推送了“SiC科普小課堂”視頻課——《什么是米勒鉗位？為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位？》后反響熱烈，很多朋友留言詢問課件...

2024-12-19 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 1636 0

提高SiC晶圓平整度的方法

提高SiC（碳化硅）晶圓平整度是半導(dǎo)體制造中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，以下是一些提高SiC晶圓平整度的方法： 一、測(cè)量與分析 平整度檢測(cè)：首先，使用高精度的測(cè)量...

2024-12-16 標(biāo)簽：SiC碳化硅晶圓檢測(cè) 566 0

晶圓單面拋光的裝置及方法

晶圓單面拋光的裝置及方法主要涉及半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，以下是對(duì)其詳細(xì)的介紹： 一、晶圓單面拋光裝置 晶圓單面拋光裝置通常包含以下關(guān)鍵組件： 工作臺(tái)：作...

2024-12-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅晶圓檢測(cè) 552 0

單面磷化銦晶片的制備方法有哪些？

單面磷化銦晶片的制備方法主要包括以下步驟： 一、基本制備流程 研磨：采用研磨液對(duì)InP（磷化銦）晶片進(jìn)行研磨。研磨液通常包含水、Al2O3（氧化鋁）和...

2024-12-11 標(biāo)簽：晶片碳化硅晶圓檢測(cè) 395 0

控制12寸再生晶圓雙面拋光平坦度的方法有哪些？

控制12寸再生晶圓雙面拋光平坦度的方法主要包括以下幾種： 一、采用先進(jìn)的拋光設(shè)備和技術(shù) 雙面拋光設(shè)備： 使用雙面拋光設(shè)備對(duì)晶圓進(jìn)行加工，這種設(shè)備能同時(shí)...

2024-12-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 479 0

浮思特|如何通過設(shè)計(jì)SiC功率模塊優(yōu)化電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)熱管理效率?

提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的功率密度是提升電動(dòng)汽車性能的關(guān)鍵。特斯拉已經(jīng)使用的碳化硅(SiC)功率模塊，有可能將功率密度提高一倍。SiC器件具有高溫電阻性、低損耗...

2024-12-09 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車SiC碳化硅 722 0

碳化硅MOSFET柵極氧化層缺陷的檢測(cè)技術(shù)

碳化硅材料在功率器件中的優(yōu)勢(shì)碳化硅（SiC）作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，相較于傳統(tǒng)硅基器件，展現(xiàn)出了卓越的性能。SiC具有高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高的擊穿...

2024-12-06 標(biāo)簽：MOSFET檢測(cè)碳化硅 1141 0

基于石英玻璃外延GaN的工藝改進(jìn)方法有哪些？

基于石英玻璃外延GaN的工藝改進(jìn)方法主要包括以下幾個(gè)方面： 一、晶圓片制備優(yōu)化 多次減薄處理： 采用不同材料的漿液和磨盤對(duì)石英玻璃進(jìn)行多次減薄處理，可...

2024-12-06 標(biāo)簽：GaN石英玻璃碳化硅 514 0

大尺寸藍(lán)寶石晶圓平坦化的方法有哪些

大尺寸藍(lán)寶石晶圓平坦化的方法主要包括以下幾種： 一、傳統(tǒng)研磨與拋光方法 粗研磨 使用研磨墊配合綠碳化硅溶液對(duì)藍(lán)寶石晶圓進(jìn)行雙面粗研磨，以去除晶圓表面的...

2024-12-06 標(biāo)簽：測(cè)量碳化硅晶圓檢測(cè) 471 0

改善晶圓出刀TTV異常的加工方法有哪些？

改善晶圓出刀TTV（Total Thickness Variation，總厚度變化量）異常的加工方法主要包括以下幾種： 一、設(shè)備調(diào)整與優(yōu)化 主軸與承片...

2024-12-05 標(biāo)簽：碳化硅測(cè)厚半導(dǎo)體晶圓 571 0

SiC功率器件的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù)，其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)日益顯現(xiàn)。Wol...

2024-12-05 標(biāo)簽：晶體管功率器件SiC 906 0

磨料形貌及分散介質(zhì)對(duì)4H碳化硅晶片研磨質(zhì)量有哪些影響

磨料形貌及分散介質(zhì)對(duì)4H碳化硅（4H-SiC）晶片研磨質(zhì)量具有顯著影響。以下是對(duì)這一影響的詳細(xì)分析： 一、磨料形貌的影響 磨料形貌是研磨過程中影響4H...

2024-12-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅晶圓檢測(cè) 477 0