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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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直流快速電動(dòng)汽車(chē)充電器的設(shè)計(jì)技巧與解決方案
便捷高效的充電對(duì)于所有電池供電的電動(dòng)汽車(chē)(BEV)的成功至關(guān)重要,可用充電的地方越多,充電速度越快,消費(fèi)者就越有可能購(gòu)買(mǎi)純電動(dòng)汽車(chē)而不是化石燃料汽車(chē)。本...
2024-08-16 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)充電器碳化硅 549 0
碳化硅MOSFET的開(kāi)關(guān)尖峰問(wèn)題與TVS保護(hù)方案
在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET因其高效率、高頻率和高溫性能而備受青睞。然而,即使性能卓越,SiC MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中也可能面臨電壓尖...
在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中,集成功率模塊(IPM,IntegratedPowerModule)憑借其高集成度和優(yōu)良的性能,廣泛用于電力電子轉(zhuǎn)換系統(tǒng),如電機(jī)驅(qū)動(dòng)...
金剛石、碳化硅和晶體硅都是由碳元素構(gòu)成的晶體材料,它們具有不同的晶體結(jié)構(gòu)和化學(xué)性質(zhì)。 一、晶體結(jié)構(gòu) 金剛石 金剛石是一種具有四面體結(jié)構(gòu)的碳原子晶體。每個(gè)...
1.碳化硅和晶體硅的熔點(diǎn)比較,碳化硅的熔點(diǎn)更高。 具體來(lái)說(shuō),碳化硅的熔點(diǎn)大于2700℃,并且其沸點(diǎn)高于3500℃。而晶體硅的熔點(diǎn)則為1410℃(也有資料...
以下是關(guān)于碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有比硅(Si)更高的熱導(dǎo)率、電子遷移率和擊穿電場(chǎng)。這使...
2024-08-08 標(biāo)簽:晶圓逆變器半導(dǎo)體材料 2623 0
碳化硅器件的應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)是一種以碳和硅為主要成分的半導(dǎo)體材料,近年來(lái)在電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用迅速發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅材料,碳化硅具有更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率和...
了解半導(dǎo)體器件的失效模式是制定篩選、鑒定和可靠性測(cè)試的關(guān)鍵,這些測(cè)試可以確保器件在數(shù)據(jù)表規(guī)定的限制范圍內(nèi)運(yùn)行,并滿(mǎn)足汽車(chē)和其他電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中對(duì)每十億個(gè)部...
碳化硅晶體的生長(zhǎng)原理 在自然界中,晶體不勝枚舉,其分布及應(yīng)用都十分廣泛。例如日常生活中隨處可見(jiàn)的鹽、糖、鉆石、雪花都是晶體;此外,半導(dǎo)體晶體、激光晶體、...
使用SiC技術(shù)應(yīng)對(duì)能源基礎(chǔ)設(shè)施的挑戰(zhàn)
本文簡(jiǎn)要回顧了與經(jīng)典的硅 (Si) 方案相比,SiC技術(shù)是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個(gè)實(shí)際案例之前,先探討了 Si...
碳化硅(SiC)在功率電子學(xué)中相比傳統(tǒng)的硅工藝技術(shù)具有眾多優(yōu)勢(shì)。它結(jié)合了更高的電子遷移率、更寬的帶隙和更好的熱導(dǎo)率。得益于這些特性,SiC器件相比于同等...
基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用
隨著新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車(chē)載功率模塊封裝技術(shù)帶來(lái)了更嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。碳化硅憑借其優(yōu)異的材料特性,成為了下一代車(chē)...
2024-07-18 標(biāo)簽:功率模塊碳化硅基本半導(dǎo)體 649 0
SK Powertech 碳化硅MOSFET技術(shù)介紹與應(yīng)用潛力
碳化硅(SiC)器件在工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用中得到廣泛認(rèn)可,例如電動(dòng)汽車(chē)(EV)牽引逆變器和車(chē)載充電器、快速電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、光伏、儲(chǔ)能、固態(tài)變...
2024-07-15 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFET碳化硅 557 0
基于安森美碳化硅模塊的換電站中充電電路設(shè)計(jì)
在電動(dòng)車(chē)發(fā)展的過(guò)程當(dāng)中,充電和換電是兩個(gè)同時(shí)存在的方案。車(chē)載充電OBC可以通過(guò)兩相或三相電給汽車(chē)充電,但其無(wú)法滿(mǎn)足快充的需求?,F(xiàn)在充電樁發(fā)展迅速,已經(jīng)有...
隨著數(shù)據(jù)中心為了滿(mǎn)足人工智能計(jì)算的龐大處理需求而變得越來(lái)越耗電,提高能效變得至關(guān)重要。與一般的搜索引擎請(qǐng)求相比,搭載人工智能的引擎需要消耗超過(guò) 10 倍...
驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET使用米勒鉗位功能的必要性分析
相較于硅MOSFET和硅IGBT,碳化硅MOSFET具有更快的開(kāi)關(guān)速度、導(dǎo)通電阻更低、開(kāi)啟電壓更低的特點(diǎn),越來(lái)越廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、工業(yè)、交通、醫(yī)療等...
2024-06-21 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片碳化硅 2916 0
從理論上講,碳化硅(SiC)技術(shù)比硅(Si)具有優(yōu)勢(shì),這使得它看起來(lái)可以作為電力電子中現(xiàn)有MOSFET的直接替代品。這在一定程度上是正確的,但只要關(guān)注該...
硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)的主要區(qū)別
? 在功率轉(zhuǎn)換中,效率和功率密度至關(guān)重要。每一個(gè)造成能量損失的因素都會(huì)產(chǎn)生熱量,并需要通過(guò)昂貴且耗能的冷卻系統(tǒng)來(lái)去除。軟開(kāi)關(guān)技術(shù)與碳化硅(SiC)技術(shù)的...
2024-06-13 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器軟開(kāi)關(guān)碳化硅 2.4萬(wàn) 0
電驅(qū)逆變器模塊連續(xù)工作測(cè)溫系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)步驟和過(guò)程
摘要 本文提出一個(gè)用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內(nèi)并聯(lián)裸片之間的熱失衡問(wèn)題的解決方案,該分析方法是采用紅外熱像儀直接測(cè)量每顆...
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