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標(biāo)簽 > 脈沖測(cè)試
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關(guān)鍵詞:雙脈沖測(cè)試,上管測(cè)試,下管測(cè)試,電源完整性測(cè)試套件寬禁帶半導(dǎo)體作為第三代半導(dǎo)體功率器件的代表,正在電源處理領(lǐng)域發(fā)揮著日益重要的作用。這類(lèi)材料憑借...
功率器件在多次循環(huán)雙脈沖測(cè)試中的應(yīng)用
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率器件在電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。這些應(yīng)用對(duì)功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動(dòng)...
VCSEL常見(jiàn)測(cè)試參數(shù)特性分析VCSEL器件廣泛應(yīng)用于3D人臉識(shí)別和距離傳感。當(dāng)VCSEL陣列用于TOF模組,特別是激光雷達(dá)一類(lèi)的dTOF系統(tǒng)時(shí),VCS...
T型三電平雙脈沖測(cè)試及拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
雙脈沖測(cè)試系統(tǒng):該系統(tǒng)用于產(chǎn)生所需的雙脈沖信號(hào),以模擬實(shí)際工作中的開(kāi)關(guān)動(dòng)作。它能夠精確地控制脈沖的寬度、幅度和頻率,以滿(mǎn)足測(cè)試需求。
2024-03-11 標(biāo)簽:測(cè)試系統(tǒng)IGBT功率器件 3757 0
對(duì)于經(jīng)驗(yàn)豐富的專(zhuān)業(yè)人士來(lái)說(shuō),不言而喻的事情有時(shí)可能會(huì)給經(jīng)驗(yàn)不足的人帶來(lái)誤解。作為測(cè)試設(shè)備制造商,我們意識(shí)到用戶(hù)對(duì)雙脈沖測(cè)試有不同的看法。
如何利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置?
利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路,改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置,即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管(下文簡(jiǎn)稱(chēng)FRD)的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與評(píng)估。
IGBT雙脈沖測(cè)試的測(cè)量參數(shù)及波形分析
通過(guò)雙脈沖測(cè)試,可以得到IGBT的各項(xiàng)開(kāi)關(guān)參數(shù)。
2023-11-24 標(biāo)簽:IGBT直流母線(xiàn)脈沖測(cè)試 1.3萬(wàn) 0
IGBT雙脈沖測(cè)試的實(shí)測(cè)原理及電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
通常我們對(duì)某款I(lǐng)GBT的認(rèn)識(shí)主要是通過(guò)閱讀相應(yīng)的datasheet,數(shù)據(jù)手冊(cè)中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)條件測(cè)試得來(lái)的,而實(shí)際應(yīng)用中的外部...
驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果:雙脈沖測(cè)試比較
驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果:雙脈沖測(cè)試比較
2023-12-05 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器源極 543 0
進(jìn)行雙脈沖測(cè)試的主要目的是獲得功率半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)特性,可以說(shuō)它伴隨著功率器件從研發(fā)制造到應(yīng)用的整個(gè)生命周期。
2023-07-12 標(biāo)簽:示波器脈沖測(cè)試延時(shí)校準(zhǔn) 4967 0
類(lèi)別:電子元器件應(yīng)用 2011-04-09 標(biāo)簽:納米器件脈沖測(cè)試 900 0
同軸分流器SC-CS10在功率器件(IGBT、MOSFET等)動(dòng)態(tài)雙脈沖測(cè)試中的應(yīng)用
1. 產(chǎn)品概述 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 本同軸分流器SC-CS10是一種用于射頻/微波信號(hào)功率分配的無(wú)源器件,常用于功率器件(IGBT、MOSFET等)動(dòng)態(tài)雙脈沖測(cè)試...
為什么說(shuō)TS-AWG系列+外部衰減器是低幅脈沖測(cè)試的終極解決方案?
現(xiàn)實(shí)中毫伏級(jí)信號(hào)等需低幅度脈沖測(cè)試設(shè)備,德思特 TS-AWG4000、TS-AWG5000、TS-AWG7000 及 TS-PG1000 等在生成極低幅...
在電子工程領(lǐng)域,脈沖測(cè)試儀器是不可或缺的工具,它們幫助工程師評(píng)估和驗(yàn)證電子系統(tǒng)在各種脈沖條件下的性能。 1. 了解脈沖測(cè)試儀器的基本原理 在開(kāi)始使用脈沖...
2024-11-26 標(biāo)簽:電子系統(tǒng)測(cè)試儀器信號(hào)發(fā)生器 745 0
電磁兼容EFT群脈沖測(cè)試的實(shí)質(zhì)是什么?
? 電磁兼容性(EMC)是指電子設(shè)備在電磁環(huán)境中能夠正常工作而不對(duì)周?chē)钠渌O(shè)備或系統(tǒng)產(chǎn)生干擾,并且不被它們的干擾所影響。電磁兼容性測(cè)試是確保設(shè)備在這方...
電磁兼容EFT群脈沖測(cè)試的實(shí)質(zhì)是什么?
電磁兼容EFT群脈沖測(cè)試的實(shí)質(zhì)是什么?電磁兼容性(EMC)是指電子設(shè)備在電磁環(huán)境中能夠正常工作而不對(duì)周?chē)钠渌O(shè)備或系統(tǒng)產(chǎn)生干擾,并且不被它們的干擾所影...
季豐電子新增功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試方法
季豐電子ATE實(shí)驗(yàn)室最新引進(jìn)了兩臺(tái)雙脈沖測(cè)試儀DPT1000A和Edison,分別覆蓋功率單管和模塊。
雙脈沖測(cè)試是一種用于測(cè)量電子設(shè)備的重要方法,其通過(guò)發(fā)送兩個(gè)相互獨(dú)立且短暫的脈沖信號(hào)來(lái)分析設(shè)備的性能和可靠性。在進(jìn)行雙脈沖測(cè)試時(shí),我們需要注意一些重要事項(xiàng)...
2023-07-03 標(biāo)簽:脈沖測(cè)試 1349 0
通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性-什么是雙脈沖測(cè)試?
我們開(kāi)設(shè)了Si功率元器件的新篇章——“評(píng)估篇”。在“通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性”中,我們將通過(guò)雙脈沖測(cè)試來(lái)評(píng)估MOSFET體二極管的反...
光隔離探頭在第三代半導(dǎo)體雙脈沖測(cè)試的應(yīng)用
日前,基于SiC和GaN的第三代半導(dǎo)體技術(shù)蓬勃發(fā)展,其對(duì)應(yīng)的分立器件性能測(cè)試需求也隨之而來(lái)。其較高的dv/dt與di/dt給性能測(cè)試帶了不少困難。泰克的...
對(duì)器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行全面的測(cè)試對(duì)于后續(xù)充電器或者其他功能模塊的電路設(shè)計(jì)是十分重要的。那對(duì)于B150xA系列靜態(tài)參數(shù)分析儀,其實(shí)業(yè)界已經(jīng)有廣泛應(yīng)用;...
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