摻雜分布對太陽能電池薄膜方阻和接觸電阻的影響

在太陽能電池的研究中，提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率是至關(guān)重要的目標(biāo)。四點探針法和TLM傳輸法兩種測試方法在研究晶硅太陽能電池的薄膜方阻均一性和摻雜前后接觸電阻...

2024-08-30 標(biāo)簽：太陽能電池薄膜接觸電阻 961 0

超過額定電壓薄膜電容會壞嗎？

薄膜電容是電子元件重要成員，廣泛用于電路系統(tǒng)。雖留有余量，但長期超額定電壓會縮短其使用時長。需嚴(yán)控電壓，選合適型號和規(guī)格，做好維護，以保障電路系統(tǒng)正常運行。

2024-08-28 標(biāo)簽：薄膜電容電壓 719 0

薄膜電容告訴你不要貪小便宜

薄膜電容廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備，雖價格各異但質(zhì)量參差不齊。低價薄膜電容可能采用劣質(zhì)材料，性能大打折扣，影響設(shè)備穩(wěn)定性和可靠性。建議根據(jù)參數(shù)和使用場景選擇有品...

2024-08-20 標(biāo)簽：薄膜電容電子 712 0

Aigtek功率放大器應(yīng)用領(lǐng)域分享：微流控層流實現(xiàn)先進聚合物薄膜

微流控技術(shù)是一種通過微小的通道和微型裝置對流體進行精確操控和分析的技術(shù)，它是現(xiàn)代醫(yī)學(xué)技術(shù)發(fā)展過程中的一種重要的生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用前景和重要...

2024-08-20 標(biāo)簽：薄膜功率放大器微流控芯片 677 0

奇怪，薄膜電容容量為什么變少了？

薄膜電容廣泛用于電子設(shè)備，但長期使用薄膜電容容量減少，影響設(shè)備的正常工作。容量減少原因包括老化效應(yīng)、工作環(huán)境、電壓過高及生產(chǎn)工藝問題。需了解原因并采取措...

2024-08-12 標(biāo)簽：薄膜電容容量 584 0

薄膜電容不是配角而是主角

薄膜電容在電子設(shè)備中不可或缺，其結(jié)構(gòu)簡單、高頻特性好、容量范圍廣且穩(wěn)定性佳，廣泛應(yīng)用于多領(lǐng)域。選用正規(guī)廠家生產(chǎn)的合格薄膜電容，對電路性能提升和設(shè)備穩(wěn)定運...

2024-08-06 標(biāo)簽：薄膜電容設(shè)備 396 0

薄膜電容的頻率特性

薄膜電容以塑料薄膜為介質(zhì)，結(jié)合金屬電極制成，具有高頻特性好、體積小、容量大、穩(wěn)定性好等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于電子電路，其優(yōu)秀頻率特性源于介質(zhì)材料特性和精細(xì)制造工藝。

2024-07-24 標(biāo)簽：薄膜電容電子 797 0

怎么用薄膜電容你知道嗎？

薄膜電容是電子元件中重要的電容器類型，具有體積小、高頻特性好等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域。使用時需根據(jù)電路需求選擇合適的電容值、電壓等級和頻率特性，并注意...

2024-07-16 標(biāo)簽：薄膜電容電子 705 0

2024-07-05 標(biāo)簽：薄膜電容陶瓷電容 934 0

卷繞式薄膜電容與疊片式薄膜電容的區(qū)別

薄膜電容器是重要電子元器件，分為卷繞式和疊片式。卷繞式具有小體積、高電容密度和穩(wěn)定性能，適用于通信、計算機等領(lǐng)域；疊片式具有高電容值和溫度穩(wěn)定性，適用于...

2024-04-23 標(biāo)簽：薄膜電容薄膜電容 947 0

你知道疊片式薄膜電容嗎？

薄膜電容是金屬箔和塑料薄膜制成的電容器，具有多種優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于通訊、家用電器、醫(yī)療設(shè)備等行業(yè)。薄膜電容分為卷繞式和疊片式，疊片式因多層結(jié)構(gòu)和良好的高頻...

2024-04-09 標(biāo)簽：薄膜電容電子 813 0

什么是卷繞型薄膜電容？

卷繞型薄膜電容由金屬箔、塑料薄膜等卷繞制成，具有體積小、重量輕、高容量、低漏電流等優(yōu)點，適用于電力電子、通信設(shè)備等領(lǐng)域。不同型號的卷繞型薄膜電容應(yīng)用于不...

2024-03-28 標(biāo)簽：薄膜電容薄膜電容 806 0

薄膜電容的性能和內(nèi)部結(jié)構(gòu)有關(guān)嗎？

薄膜電容是電子領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的基礎(chǔ)元件，其性能與內(nèi)部結(jié)構(gòu)緊密相關(guān)。不同介質(zhì)材料、電極類型和封裝方式影響薄膜電容的電氣性能。選擇時需考慮應(yīng)用需求和環(huán)境條件，...

2024-03-21 標(biāo)簽：薄膜電容電子 629 0

ITO薄膜光學(xué)性能受退火工藝溫度的影響

ITO薄膜即銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜，主要優(yōu)點是其高透明度和導(dǎo)電性，可以作為透明電極應(yīng)用在光伏電池中。在TOPCon電池中，添加ITO薄膜可以有效提升...

2024-01-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體薄膜光伏電池 1680 0

一種用于調(diào)控Ga2O3薄膜的表面電子結(jié)構(gòu)的的熱重組工程

氧化鎵（Ga2O3）因其超寬的帶隙和高臨界擊穿電場，可滿足當(dāng)前器件大功率和微型化的發(fā)展需求，已成為新一代電力電子和光電器件的熱門材料。目前日盲紫外光電探...

2024-01-19 標(biāo)簽：薄膜大功率光電器件 1441 0

帶您深入了解ITO薄膜的方阻與影響方阻的因素

在太陽能電池的沉積工藝中，制備高性能的ITO薄膜是其首要任務(wù)。電池廠商在制備ITO薄膜時，往往需要考慮自身的方阻與影響ITO薄膜方阻的因素，從而在了解的...

2023-12-28 標(biāo)簽：太陽能電池薄膜ITO 3077 0

金屬納米顆粒通過水基剝離方案使用嵌段共聚物模板

隨著納米結(jié)構(gòu)表面和界面在廣泛的科學(xué)和技術(shù)應(yīng)用中變得越來越重要，確定可擴展和廉價的方法來實現(xiàn)這些變成了一個關(guān)鍵的挑戰(zhàn)。特別是有序、非密集、表面支撐的金屬納...

2023-10-26 標(biāo)簽：薄膜蝕刻PVA 576 0

一文了解分子束外延(MBE)技術(shù)

HVPE主要是利用生長過程中的化學(xué)反應(yīng)，如歧化反應(yīng)、化學(xué)還原反應(yīng)以及熱分解反應(yīng)等實現(xiàn)外延晶體薄膜的制備，具有生長溫度高、源爐通氣量大、生長速率大的特點，...

2023-10-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體薄膜電子顯微鏡 6178 0