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標(biāo)簽 > 負(fù)載電容
負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和,可看作晶振片在電路中串接電容。
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一般單片機(jī)的晶振工作于并聯(lián)諧振狀態(tài),也可以理解為諧振電容的一部分。它是根據(jù)晶振廠家提供的晶振要求負(fù)載電容選值的,換句話說,晶振的頻率就是在它提供的負(fù)載電...
這種模型是Synopsys提出的。提高了精確度。driver model變成了一個(gè)非線性的符合電流源,電流隨電壓和時(shí)間變化。receiver model...
2024-01-10 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路電流源負(fù)載電容 5855 0
上拉端接會(huì)拉高低電平,下拉端接會(huì)降低高電平,這兩種端接方式雖然都可以抑制過沖和振鈴,但同時(shí)也會(huì)減小信號(hào)裕量,如果使用不當(dāng)還會(huì)造成信號(hào)電平的誤觸發(fā)。
2023-11-03 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器阻抗匹配傳輸線 5420 0
單片機(jī)晶振旁邊兩個(gè)對(duì)地電容叫晶振的負(fù)載電容,分別接在晶振的兩個(gè)腳上和對(duì)地的電容,一般在幾十皮發(fā)。它會(huì)影響到晶振的諧振頻率和輸出幅度,一般訂購(gòu)晶振時(shí)候供貨...
說到“晶振”,或者晶體諧振器(Crystal resonator),你一定不陌生,很多電子產(chǎn)品中都有它的身影,網(wǎng)上隨便一搜就可看到很多
2023-09-07 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻LCRSTM32單片機(jī) 5058 0
一個(gè)運(yùn)放的STB仿真和AC仿真區(qū)別分析
以一個(gè)二級(jí)彌勒補(bǔ)償運(yùn)放為例,說明stb仿真和ac仿真的區(qū)別,vdd=3.3,Vcm=1.25V,ibias=5uA,負(fù)載電容是5pF,負(fù)載電阻是100K。
例如:你用的MCU是需要搭配一個(gè)負(fù)載電容為6PF、標(biāo)稱頻率為32.768KHz的晶振,結(jié)果你卻選用負(fù)載電容為12.5PF的,這樣負(fù)載電容參數(shù)不對(duì)肯定導(dǎo)致不起振。
2023-06-11 標(biāo)簽:晶振振蕩電路PCB設(shè)計(jì) 4712 0
影響放大電路高頻特性的主要因素是很多的,包括晶體管的頻率響應(yīng)、反饋電容、電感、布線、負(fù)載電容等。這些因素都會(huì)對(duì)放大電路的高頻特性產(chǎn)生不同程度的影響。 首...
解讀LM321集成運(yùn)放的數(shù)據(jù)規(guī)格書(2)
關(guān)于非理想特性的各個(gè)參數(shù)是體現(xiàn)運(yùn)放性能的關(guān)鍵,在這份數(shù)據(jù)規(guī)格書中,給出了這個(gè)運(yùn)放器件兩種不同電壓的供電條件下的測(cè)試數(shù)據(jù)表格
經(jīng)常遇到有人把晶振的負(fù)載電容與外接電容混淆,甚至還有人誤以為這是指同樣的參數(shù)。這里需要特別指出的是:若你這樣想,就大錯(cuò)特錯(cuò)了。
放大器自激是一個(gè)常見的問題,它會(huì)導(dǎo)致放大器輸出不穩(wěn)定的信號(hào)。
增益提高運(yùn)放中輔助運(yùn)放帶寬如何設(shè)計(jì)
在模擬集成電路中,常通過兩種方式實(shí)現(xiàn)高增益運(yùn)放,即增益提高運(yùn)放(Gain-Boosted)和兩級(jí)運(yùn)放。
UnCox和UpCox以及單個(gè)mos的Cox要通過仿真得到,發(fā)現(xiàn)這些參數(shù)是和MOS的W和L弱相關(guān)的,不影響計(jì)算,不會(huì)有數(shù)量級(jí)的差異的。
積分器和采樣保持器中單極和兩級(jí)運(yùn)放環(huán)路帶寬分析
積分器和采樣保持器(S/H)是數(shù)?;旌霞呻娐分幸粋€(gè)關(guān)鍵的模塊,常被用來進(jìn)行信號(hào)采樣或積分。
淺談芯片低功耗的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)
眾所周知,隨著芯片越來越大,功能越來越豐富,以及移動(dòng)市場(chǎng)的切實(shí)需求,低功耗的芯片設(shè)計(jì),越來越受到推崇。這里,結(jié)合多年的低功耗設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),把一些理念和方法,...
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