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鐵電存儲器

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　　鐵電存儲器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機存取存儲器，它將動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設備一樣，如只讀存儲器和閃存）結(jié)合起來。

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鐵電存儲器技術

新一代鐵電存儲器的發(fā)展勢頭正在形成，這將改變下一代存儲格局

不過，就研發(fā)階段而論，F(xiàn)eFET本身并不是一個新器件。對于FeFET，其主要原理是在現(xiàn)有的邏輯晶體管上采用基于氧化鉿基的High-K(高K)柵電介質(zhì)+M...

2018-01-10 標簽：內(nèi)存場效應晶體管鐵電存儲器 2.3萬 0

一文解析鐵電存儲器使用及工作原理

FRAM存儲器操作經(jīng)過設計，以使在開關電容器中感應出的電荷至少是未開關電容器可用電荷的兩倍。

2021-01-21 標簽：DRAM 存儲器 fram 2.2萬 0

鐵電存儲器在多MCU系統(tǒng)中應用(附fm24c16的作用FM24C16引腳圖及工作程序)

1、鐵電存儲器技術原理、特性及應用美國Ramtron公司鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料。這一特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體...

2021-01-13 標簽：單片機 mcu 存儲器 1.7萬 0

鐵電存儲器和flash的區(qū)別 FRAM工作原理解析

鐵電存儲器通常具有更快的隨機存取時間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲器相比較為遲鈍。

2024-01-23 標簽：FlaSh 存儲器 fram 8004 0

利用FRAM作為數(shù)據(jù)緩沖器的通信方式

鐵電存儲器是美國Ramtran公司推出的一種非易失性存儲器件，簡稱FRAM。

2019-08-12 標簽：緩沖器鐵電存儲器 3935 0

什么是FRAM？關于鐵電存儲器FRAM的特性介紹

FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。

2023-12-15 標簽：閃存 EEPROM fram 3752 0

鐵電存儲器的優(yōu)勢和發(fā)展趨勢分析

兩種最常見的商業(yè)存儲器位于頻譜的兩端。DRAM 速度很快，但需要持續(xù)供電來維持其信息。閃存是非易失性的，對于長期大容量存儲來說足夠穩(wěn)定，但速度不是特別快...

2023-01-30 標簽：MOSFET DRAM 存儲器 3707 0

鐵電存儲器和Flash的區(qū)別

鐵電存儲器（Ferroelectric RAM, FRAM）與閃存（Flash）是兩種不同類型的非易失性存儲器，它們在工作原理、性能特點、應用場景等方面...

2024-09-29 標簽：閃存 FlaSh 鐵電存儲器 3094 0

FM25V02A-GTR型號存儲器的產(chǎn)品介紹

　　FM25V02A-GTR型號元器件是一款鐵電存儲器，采用先進的鐵電工藝，可提供可靠的數(shù)據(jù)保留功能，可以保持151年，同時消除了復雜性，串行通信引起的...

2022-11-22 標簽：存儲器 EEPROM F-RAM 2542 0

鐵電存儲器有哪些優(yōu)缺點

鐵電存儲器（Ferroelectric RAM, FRAM）作為一種新興的非易失性存儲器技術，憑借其獨特的優(yōu)勢在存儲市場中占據(jù)了一席之地。然而，與任何技...

2024-09-29 標簽：FlaSh fram 鐵電存儲器 2304 0

為何電子式電能表需要使用鐵電存儲器(F-RAM)

　　自從1889年匈牙利工程師 Otto Blathy 發(fā)明全世界第一個電能表 (瓦特瓦時表)原型之后，電能表經(jīng)過一個世紀多的演進：由機械式電表到今日的...

2010-10-11 標簽：電能表鐵電存儲器 2303 0

鐵電存儲器的技術特點分析

如圖1所示，電子電能表的基本架構(gòu)包括下列各主要功能模塊：電壓電流取樣電路；16位以上分辨率的ADC；計量與控制單元；通信接口；操作界面；顯示器；存儲器。...

2010-10-18 標簽：鐵電存儲器 2152 0

鐵電存儲器FM18L08在DSP系統(tǒng)中的應用

給出了一種基于鐵電存儲器FM18L08和C5402接口的設計方案, 實現(xiàn)了基于并行引導裝載模式的DSP脫機獨立運行系統(tǒng)設計，并且該設計方案已成功的應用到...

2011-08-09 標簽：DSP 鐵電存儲器 FM18L08 2026 0

基于FPGA的PLC解決方案

PLC的主機部分由中央處理器、輸入/輸出接口（I/0接口）通信、擴展接口、儲存器、設備接口和電源等部分構(gòu)成。其中，基于京微齊力FPGA HME-M7和舜...

2023-05-06 標簽：fpga plc 鐵電存儲器 1798 0

國芯思辰|國產(chǎn)FRAM PB85RS2MC和Flash混合存儲方案的氨氣檢測儀

國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代

2023-07-03 標簽：存儲器鐵電存儲器國芯思辰 1791 0

國產(chǎn)FRAM PB85RS2MC可用于醫(yī)療CT掃描機，不用更換電池

國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代

2023-08-11 標簽：存儲器鐵電存儲器 CT機 1621 0

國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC可用于醫(yī)療生命監(jiān)護儀

國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代

2023-08-16 標簽：存儲器鐵電存儲器監(jiān)護儀 1568 0

使用國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC可以讓穿戴式設備更加省電

國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代

2023-08-24 標簽：鐵電存儲器穿戴式設備國芯思辰 1552 0

鐵電存儲器和憶阻器的區(qū)別

鐵電存儲器（Ferroelectric RAM, FRAM）與憶阻器（Memristor）是兩種不同類型的存儲技術，它們在工作原理、性能特點、應用場景以...

2024-09-29 標簽：存儲技術憶阻器鐵電存儲器 1448 0

2M大容量鐵電存儲器PB85RS2MC性能參數(shù)

PB85RS2MC應用框圖 PB85RS2MC芯片為低功耗9微安（待機），工作電壓2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的溫度范圍內(nèi)工作，芯片的數(shù)據(jù)...

2023-05-25 標簽：處理器 CMOS 鐵電存儲器 1344 0

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