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鐵電存儲(chǔ)器

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　　鐵電存儲(chǔ)器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的快速讀取和寫(xiě)入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器和閃存）結(jié)合起來(lái)。

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鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)

國(guó)產(chǎn)新型鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在汽車ADAS中可以起到關(guān)鍵型功能

汽車行業(yè)不斷集成具有更高分辨率和更快更新速率的更先進(jìn)傳感器，汽車安全應(yīng)用則是這種行業(yè)趨勢(shì)的縮影。

2023-05-11 標(biāo)簽：傳感器存儲(chǔ)器 EEPROM 382 0

電動(dòng)汽車核心組件之電池管理系統(tǒng)

在整個(gè)電池管理系統(tǒng)中，電池荷電狀態(tài)的預(yù)測(cè)和計(jì)算（即SOC）是其最重要的功能，因?yàn)橛辛司_的電池充電/放電狀態(tài)的預(yù)測(cè)/計(jì)算，才能進(jìn)行有效均衡管理。

2023-05-11 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車存儲(chǔ)器 SPI 1150 0

基于FPGA的PLC解決方案

PLC的主機(jī)部分由中央處理器、輸入/輸出接口（I/0接口）通信、擴(kuò)展接口、儲(chǔ)存器、設(shè)備接口和電源等部分構(gòu)成。其中，基于京微齊力FPGA HME-M7和舜...

2023-05-06 標(biāo)簽：fpga plc 鐵電存儲(chǔ)器 1798 0

應(yīng)用于電力監(jiān)測(cè)儀中的存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC

PB85RS2MC是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，對(duì)標(biāo)富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛，無(wú)污染。

2023-04-20 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器監(jiān)測(cè)儀鐵電存儲(chǔ)器 529 0

求一種國(guó)產(chǎn)拍字節(jié)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS128在無(wú)人機(jī)中應(yīng)用方案

無(wú)人機(jī)通過(guò)高清光學(xué)相機(jī)拍攝視頻、機(jī)載SAR成像系統(tǒng)采集SAR圖像，可以收集到人工原本無(wú)法獲得的信息，完成原本無(wú)法做到的事，而信息的采集離不開(kāi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的支持

2023-02-28 標(biāo)簽：鐵電存儲(chǔ)器無(wú)人機(jī)SAR成像 923 0

鐵電存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)和發(fā)展趨勢(shì)分析

兩種最常見(jiàn)的商業(yè)存儲(chǔ)器位于頻譜的兩端。DRAM 速度很快，但需要持續(xù)供電來(lái)維持其信息。閃存是非易失性的，對(duì)于長(zhǎng)期大容量存儲(chǔ)來(lái)說(shuō)足夠穩(wěn)定，但速度不是特別快...

2023-01-30 標(biāo)簽：MOSFET DRAM 存儲(chǔ)器 3707 0

應(yīng)用于音頻電話會(huì)議的PB85RS128C有哪些優(yōu)勢(shì)呢

音頻電話會(huì)議需記錄會(huì)議中的重要信息，所以其用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)模塊的存儲(chǔ)器要求具有安全、可靠的特性。

2023-01-12 標(biāo)簽：CMOS PCB板鐵電存儲(chǔ)器 322 0

新型3D鐵電存儲(chǔ)器(VFRAM)PB85RS128C在儀表設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

它的讀/寫(xiě)耐久性大大超過(guò)FLASH和EEPROM，且不會(huì)像FLASH或EEPROM那樣需要很長(zhǎng)的數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)間，而且它不需要等待時(shí)間。

2023-01-11 標(biāo)簽：EEPROM 鐵電存儲(chǔ)器 SRAM芯片 519 0

FM25V02A-GTR型號(hào)存儲(chǔ)器的產(chǎn)品介紹

　　FM25V02A-GTR型號(hào)元器件是一款鐵電存儲(chǔ)器，采用先進(jìn)的鐵電工藝，可提供可靠的數(shù)據(jù)保留功能，可以保持151年，同時(shí)消除了復(fù)雜性，串行通信引起的...

2022-11-22 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 EEPROM F-RAM 2541 0

鐵電存儲(chǔ)器在多MCU系統(tǒng)中應(yīng)用(附fm24c16的作用FM24C16引腳圖及工作程序)

1、鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)原理、特性及應(yīng)用美國(guó)Ramtron公司鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體...

2021-01-13 標(biāo)簽：單片機(jī)mcu 存儲(chǔ)器 1.7萬(wàn) 0

一文解析鐵電存儲(chǔ)器使用及工作原理

FRAM存儲(chǔ)器操作經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)，以使在開(kāi)關(guān)電容器中感應(yīng)出的電荷至少是未開(kāi)關(guān)電容器可用電荷的兩倍。

2021-01-21 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 fram 2.2萬(wàn) 0

利用FRAM作為數(shù)據(jù)緩沖器的通信方式

鐵電存儲(chǔ)器是美國(guó)Ramtran公司推出的一種非易失性存儲(chǔ)器件，簡(jiǎn)稱FRAM。

2019-08-12 標(biāo)簽：緩沖器鐵電存儲(chǔ)器 3935 0

新一代鐵電存儲(chǔ)器的發(fā)展勢(shì)頭正在形成，這將改變下一代存儲(chǔ)格局

不過(guò)，就研發(fā)階段而論，F(xiàn)eFET本身并不是一個(gè)新器件。對(duì)于FeFET，其主要原理是在現(xiàn)有的邏輯晶體管上采用基于氧化鉿基的High-K(高K)柵電介質(zhì)+M...

2018-01-10 標(biāo)簽：內(nèi)存場(chǎng)效應(yīng)晶體管鐵電存儲(chǔ)器 2.3萬(wàn) 0

鐵電存儲(chǔ)器FM18L08在DSP系統(tǒng)中的應(yīng)用

給出了一種基于鐵電存儲(chǔ)器FM18L08和C5402接口的設(shè)計(jì)方案, 實(shí)現(xiàn)了基于并行引導(dǎo)裝載模式的DSP脫機(jī)獨(dú)立運(yùn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)，并且該設(shè)計(jì)方案已成功的應(yīng)用到...

2011-08-09 標(biāo)簽：DSP 鐵電存儲(chǔ)器 FM18L08 2025 0

鐵電存儲(chǔ)器的技術(shù)特點(diǎn)分析

如圖1所示，電子電能表的基本架構(gòu)包括下列各主要功能模塊：電壓電流取樣電路；16位以上分辨率的ADC；計(jì)量與控制單元；通信接口；操作界面；顯示器；存儲(chǔ)器。...

2010-10-18 標(biāo)簽：鐵電存儲(chǔ)器 2152 0

為何電子式電能表需要使用鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)

　　自從1889年匈牙利工程師 Otto Blathy 發(fā)明全世界第一個(gè)電能表 (瓦特瓦時(shí)表)原型之后，電能表經(jīng)過(guò)一個(gè)世紀(jì)多的演進(jìn)：由機(jī)械式電表到今日的...

2010-10-11 標(biāo)簽：電能表鐵電存儲(chǔ)器 2303 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
LPDDR4

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合肥長(zhǎng)鑫

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
NOR flash

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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
nvme

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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
福建晉華

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3D NAND Flash

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Arasan

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SRAM存儲(chǔ)器

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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
SQL Server

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手機(jī)內(nèi)存

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嵌入式閃存

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快閃存儲(chǔ)器

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤(pán)

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云盤(pán)是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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鐵電存儲(chǔ)器

鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)

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