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標(biāo)簽 > 鎖存器
鎖存器(Latch)是一種對(duì)脈沖電平敏感的存儲(chǔ)單元電路,它們可以在特定輸入脈沖電平作用下改變狀態(tài)。鎖存,就是把信號(hào)暫存以維持某種電平狀態(tài)。
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納芯微推出超低功耗TMR開(kāi)關(guān)/鎖存器 NSM105x系列
2023年10月9日,上海 —— 納芯微宣布推出基于隧道磁阻 (TMR) 的超低功耗磁開(kāi)關(guān)/鎖存器NSM105x系列,為數(shù)字位置檢測(cè)提供高精度的解決方案...
Melexis推出延長(zhǎng)物聯(lián)網(wǎng)電池運(yùn)行時(shí)間的耗霍爾開(kāi)關(guān)MLX92216
Melexis推出超低功耗霍爾開(kāi)關(guān)MLX92216和MLX92217,具有功耗僅為1微瓦且誤差更小等優(yōu)勢(shì),有助于準(zhǔn)確預(yù)測(cè)電力成本并延長(zhǎng)電池運(yùn)行時(shí)間。
2023-10-07 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)鎖存器電池供電 1192 0
納芯微推出車規(guī)級(jí)耐高壓、三線霍爾開(kāi)關(guān)及鎖存器NSM101x系列
納芯微推出全新三線制車規(guī)霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)/鎖存器NSM101x系列,為數(shù)字位置檢測(cè)提供高精度的解決方案,可被廣泛應(yīng)用于汽車執(zhí)行器等的位置檢測(cè)。
2023-06-01 標(biāo)簽:鎖存器霍爾開(kāi)關(guān)納芯微 1178 0
這是可能有點(diǎn)主觀的領(lǐng)域之一,具體取決于一個(gè)人的背景,術(shù)語(yǔ)隨著時(shí)間的推移而演變的事實(shí)進(jìn)一步混淆了這一點(diǎn)。
納芯微推出超低功耗TMR開(kāi)關(guān)/鎖存器NSM105x系列
納芯微宣布推出基于隧道磁阻 (TMR) 的超低功耗磁開(kāi)關(guān)/鎖存器NSM105x系列,為數(shù)字位置檢測(cè)提供高精度的解決方案,可被廣泛應(yīng)用于工業(yè)與消費(fèi)領(lǐng)域的位置檢測(cè)。
D 觸發(fā)器是一個(gè)電路,存儲(chǔ) 1bit 數(shù)據(jù),并定期地根據(jù)觸發(fā)器的輸入(d)更新這 1 bit 數(shù)據(jù),更新通常發(fā)生在時(shí)鐘上升沿(clk)。存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)會(huì)通過(guò)...
Diodes推出高電壓、符合汽車規(guī)格的霍爾效應(yīng)鎖存器
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 將 AH371xQ 系列高電壓霍爾效應(yīng)鎖存器加入產(chǎn)品組合。
Melexis推出可靠的高性能通用型霍爾效應(yīng)鎖存器IC,面向成本敏感型應(yīng)用
除了簡(jiǎn)化關(guān)鍵的應(yīng)用設(shè)計(jì)部分,MLX 92214 還可以提高高品質(zhì)設(shè)備的耐用性。6 kV (HBM) 的 ESD 耐受能力可提高諸如手動(dòng)工具等應(yīng)用的可靠性。
2020-09-25 標(biāo)簽:鎖存器霍爾效應(yīng)電壓傳感器 882 0
對(duì)于天窗頂電機(jī)位置,升降門電機(jī),車窗升降電機(jī)和電子駐車制動(dòng)(EPB)系統(tǒng)等應(yīng)用,透過(guò)使用單個(gè)2D磁性速度和方向傳感器,可以簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)和生產(chǎn),減少BOM...
2024-09-27 標(biāo)簽:鎖存器allegro霍爾效應(yīng) 785 0
Allegro推出一款用于汽車、消費(fèi)和工業(yè)等應(yīng)用的鎖存器APS12202
Allegro 的 APS12202 為單硅片解決方案,每個(gè)芯片上都包括一個(gè)電壓穩(wěn)壓器、一個(gè)霍爾電壓發(fā)生器、一個(gè)小信號(hào)放大器、斬波器穩(wěn)定、一個(gè)施密特觸發(fā)...
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