提高3D NAND閃存存儲密度的四項基本技術(shù)

增加3D（三維）NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因為支持傳統(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計將在不久的將來達(dá)到其極限。2025 年至 2030 年間，新...

2023-11-30 標(biāo)簽：芯片閃存NAND 1371 0

PY25Q64HA串行接口閃存設(shè)備產(chǎn)品概述

PY25Q64HA是一種串行接口閃存設(shè)備，設(shè)計用于各種大容量的基于消費(fèi)者的應(yīng)用程序，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進(jìn)行執(zhí)行。該設(shè)備靈活的擦...

2023-11-29 標(biāo)簽：閃存FlaSh串行接口 1729 0

關(guān)于半導(dǎo)體存儲的最強(qiáng)入門科普

關(guān)于半導(dǎo)體存儲的最強(qiáng)入門科普

2023-11-30 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體閃存 1852 0

三季度智能手機(jī)需求反彈 NAND明年將現(xiàn)缺貨潮

2023年第三季度全球智能手機(jī)出貨量約為2.90億部，同比下降約1.6%，中國大陸市場出貨量約為6640萬部，同比下降約1.8%，不管是全球還是中國大陸...

2023-11-22 標(biāo)簽：智能手機(jī)閃存NAND 791 0

深度解析存儲系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)

NAND FLASH是一種非易失性隨機(jī)訪問存儲介質(zhì)， 基于浮柵(Floating Gate)晶體管設(shè)計,通過浮柵來鎖存電荷,電荷被儲 存在浮柵中，在無...

2023-11-19 標(biāo)簽：閃存NANDSSD 604 0

閃存是如何存儲數(shù)據(jù)的？

計算機(jī)是處理數(shù)字格式信息的電子機(jī)器。他們不像人們那樣理解單詞和數(shù)字，而是將這些單詞和數(shù)字更改為由零和一組成的字符串，稱為二進(jìn)制（有時稱為“二進(jìn)制代碼”）。

2023-11-15 標(biāo)簽：MOSFET閃存存儲器 1367 0

NAND閃存市場分析 閃存控制器行業(yè)玩家分析

2021年至2027年，以百萬計為單位的NAND晶圓復(fù)合年均增長率（CAGR）為3%（見圖3），其中，汽車應(yīng)用增長最快，CAGR為20%；其次則是數(shù)據(jù)中...

2023-11-06 標(biāo)簽：閃存控制器NAND 1089 0

長江存儲首款4TB固態(tài)硬盤致態(tài)TiPlus 7100評測

致態(tài)TiPlus 7100固態(tài)硬盤采用晶棧Xtacking 3.0架構(gòu)閃存，高達(dá)2400MT/s的閃存接口帶寬，對比上一代速度提高了50%。 四通...

2023-11-02 標(biāo)簽：pcb閃存固態(tài)硬盤 3842 0

長江存儲232層閃存揭秘

長江存儲1Tb TLC芯片的存儲密度已達(dá)15.47Gb每平方毫米，1Tb QLC更是高達(dá)19.8Gb每平方毫米，在兩種閃存類型中都無出其右者。

2023-11-02 標(biāo)簽：芯片閃存TLC 3150 0

3線串行數(shù)據(jù)通訊EEPROM的使用

EEPROM（帶電可擦可編程只讀存儲器）是用戶可更改的只讀存儲器，可通過高于普通電壓的作用來擦除和重編程（重寫）。不像EPROM芯片，EEPROM不需從...

2023-10-23 標(biāo)簽：芯片閃存存儲器 1749 0

什么是存算一體芯片？存算一體芯片的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

存算一體片上學(xué)習(xí)在實現(xiàn)更低延遲和更小能耗的同時，能夠有效保護(hù)用戶隱私和數(shù)據(jù)。該芯片參照仿生類腦處理方式，可實現(xiàn)不同任務(wù)的快速“片上訓(xùn)練”與“片上識別”，...

2023-10-23 標(biāo)簽：芯片閃存FlaSh 6437 0

計算機(jī)SSD行業(yè)分類及產(chǎn)業(yè)鏈分析

固態(tài)驅(qū)動器（SSD）是一種由固態(tài)電子存儲芯片陣列構(gòu)成的存儲設(shè)備，由控制單元和存儲單元組合而成。其接口規(guī)范、功能和使用方法與傳統(tǒng)硬盤完全一致，外形和尺寸也...

2023-10-12 標(biāo)簽：閃存SSD數(shù)據(jù)中心 2921 0

探索閃存內(nèi)存如何應(yīng)對“內(nèi)存墻”的可行性

首先，內(nèi)存請求與閃存內(nèi)存之間存在顆粒度不匹配。這導(dǎo)致了在閃存上需要存在明顯的流量放大，除了已有的閃存間接性需求[23,33]之外：例如，將64B的緩存行...

2023-10-09 標(biāo)簽：閃存DRAMgpu 1365 0

基于FPGA實現(xiàn)NVME控制器

NVM Express ( NVMe ) 或 Non-Volatile Memory Host Controller Interface Specifi...

2023-09-19 標(biāo)簽：fpga閃存控制器 3630 0

Data flash在CS+的應(yīng)用

Data flash，直譯數(shù)據(jù)閃存，閃存有可執(zhí)行程序的“代碼閃存”和數(shù)據(jù)保存區(qū)的“數(shù)據(jù)閃存”，這里講的數(shù)據(jù)閃存，其實就是單片機(jī)留給用戶存儲自己數(shù)據(jù)的地方...

2023-09-13 標(biāo)簽：單片機(jī)閃存FlaSh 2731 0

新款旗艦手機(jī)中的存儲器技術(shù)解析

從絲印上可以看出分別為：H58GG6MK6GX037 和 HN8T25DEHKX077（由于屏蔽罩遮擋，按照海力士命名規(guī)則第一個字母應(yīng)該是H）。 在海力...

2023-09-08 標(biāo)簽：閃存存儲器海力士 3253 0

3D NAND層數(shù)“爭霸賽”，300層雖遲但到

眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤...

2023-08-30 標(biāo)簽：閃存數(shù)據(jù)傳輸固態(tài)硬盤 843 0