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標簽 > 閃存
閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位(注意:NOR Flash 為字節(jié)存儲。),區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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基于RISC-V內(nèi)核的K1986BK025微控制器的功能和系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
目前,基于開放標準指令集架構(gòu)RISC-V的解決方案在市場上的占有率越來越高。今天我們?yōu)榇蠹医榻B一款俄羅斯初創(chuàng)公司Milandr剛剛推出的RISC-V處理...
長江存儲基于Xtacking架構(gòu)的3D NAND顆粒打造的首款消費級固態(tài)品牌——致鈦存儲于日前正式與我們見面,并獲得眾多用戶的支持。而在網(wǎng)上呼聲較高的問...
現(xiàn)在在MCU上實現(xiàn)固件升級(OTA)功能變得越來越普遍,今天我們就來探討一下MCU固件升級(OTA)的幾種閃存(Flash)劃分方式。
NAND閃存是一種大眾化的非易失性存儲器,主要是因為小型,低功耗且堅固耐用。 盡管此技術(shù)適合現(xiàn)代存儲,但在將其列入較大系統(tǒng)的一部分時,需要考慮許多重要特...
采用可編程邏輯器件ISPLSI1032E對閃存芯片實現(xiàn)控制
存儲器的發(fā)展具有容量更大、體積更小、功耗更低、價格更低的趨勢,這在閃速存儲器行業(yè)表現(xiàn)得淋漓盡致。隨著半導體制造工藝的發(fā)展,主流閃速存儲器廠家采用90nm...
如果不出意外,本月我們將看到很多武裝驍龍865移動平臺的年度Android旗艦,比如三星Galaxy S11系列、小米10系列、OPPO Find X2...
閃存設備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)包含芯片、芯片控制器、存儲處理器、緩存、控制器內(nèi)存以及接口。目前主流的接口包括 UFS、SATA、PCIe 等
2020-07-15 標簽:閃存存儲系統(tǒng)UFS 2542 0
以前,各類CPU的應用場所相對明確。除了少數(shù)幾個廠家采用ASIC芯片應用于特定的計算場合之外,Intel憑借著超強的算力、充足的PCI-e帶寬、穩(wěn)定的設...
NOR閃存器件的發(fā)展特點及實現(xiàn)低成本存儲器解決方案
SPI串行結(jié)構(gòu)的EEPROM最早出現(xiàn)于20世紀80年代中期,由摩托羅拉在其MC68HC系列中首先引入,MicroWire是由國半制定的總線標準,它和SP...
除了設計沒有DRAM的SSD或USB磁盤驅(qū)動器的成本外,還有其他原因。 閃存控制器的設計要么具有外部DRAM(動態(tài)隨機存取內(nèi)存)接口,要么就沒有具備。一...
常見NAND閃存有哪些?5G的出現(xiàn)會使QLC大規(guī)模使用嗎
我們都知道固態(tài)硬盤采用閃存顆粒NAND Flash作為存儲介質(zhì),所以它是固態(tài)硬盤中最重要的構(gòu)成部分,其好壞也就決定著固態(tài)硬盤質(zhì)量的好壞,而我們目前常見的...
基于NOR Flash的數(shù)據(jù)運算方法專利揭秘
Computing in Memroy是在DRAM中嵌入邏輯電路,打造“存算一體”架構(gòu),存算一體架構(gòu)會大幅降低資料在存儲器與處理器之間往返的負擔,降低芯...
通常我們看一部手機的性能如何,首先看的就是處理器,其次就是運行內(nèi)存大小,至于閃存的一直不是那么重視,覺得能裝就行,64G不夠那就128,128G不行那就...
四級單元(QLC)NAND正在進入企業(yè)領(lǐng)域,它可幫助降低價格,低于目前領(lǐng)先的三級單元(TLC)NAND。四級單元應該會讓NAND閃存在未來幾年保持主流地...
UEFI Boot與GPT分區(qū)表已經(jīng)不算是新生事物了,不過長期以來感覺不到Legacy+MBR有何不便,很多人還在守舊。隨著AMD第三代銳龍的問世,學會...
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