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閃存

閃存

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閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位(注意:NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。),區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。

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閃存資訊

三星西安廠計(jì)劃將NAND工藝升級(jí)為236層 明年初更換設(shè)備

據(jù)業(yè)界2日透露,三星電子計(jì)劃對(duì)中國西安nand閃存工廠進(jìn)行改造,將目前正在生產(chǎn)的128段(v6) nand閃存生產(chǎn)線擴(kuò)大到236段(v8)。三星決定從明...

2023-11-03 標(biāo)簽:閃存NAND三星電子 2051 0

推出A31M223-搭載Cortex-M0+內(nèi)核、80MHz主頻和64KB閃存的少引腳電機(jī)控制MCU

ADC可與運(yùn)放和比較器混合使用,支持內(nèi)置/外置Oscillator和PLL以及DMA。它還提供UART、SPI和I2C的多種接口,以及16位定時(shí)器和32...

2023-11-01 標(biāo)簽:閃存adc定時(shí)器 1525 0

西部數(shù)據(jù)合并案陷入僵局 閃存業(yè)務(wù)拆分成兩家公司

西部數(shù)據(jù)(Western Digital)宣布計(jì)劃將其閃存業(yè)務(wù)與硬盤驅(qū)動(dòng)器業(yè)務(wù)分拆為兩家獨(dú)立上市的公司。這一決定是為了滿足激進(jìn)投資者埃利奧特(Ellio...

2023-11-01 標(biāo)簽:閃存閃存芯片硬盤驅(qū)動(dòng)器 1198 0

京東“開門紅”換新正當(dāng)時(shí) 致態(tài)固態(tài)硬盤“Ti惠玩”

10月31日晚8點(diǎn),2023年京東雙11正式進(jìn)入狂歡購物模式,直接現(xiàn)貨開賣,“真低價(jià) 閉眼入”的購物體驗(yàn)激發(fā)了大批消費(fèi)者的購買欲望,硬盤等品類銷售紀(jì)錄不...

2023-10-31 標(biāo)簽:閃存存儲(chǔ)固態(tài)硬盤 1044 0

NetApp在INSIGHT 2023推出唯一跨本地和公共云的統(tǒng)一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方案,強(qiáng)化其存儲(chǔ)領(lǐng)先地位和創(chuàng)新能力

以云為主導(dǎo)、以數(shù)據(jù)為中心的全球軟件公司NetApp? (NASDAQ: NTAP) 今天宣布,對(duì)業(yè)界唯一的統(tǒng)一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案進(jìn)行多項(xiàng)更新,包括推動(dòng)無與...

2023-10-25 標(biāo)簽:閃存數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 842 0

合并在即,西部數(shù)據(jù)和鎧俠控股獲127億美元融資

被協(xié)是世界第三大閃存公司,西部數(shù)據(jù)公司第四位。目前正在推進(jìn)的合并實(shí)體可能會(huì)達(dá)到和世界第一大企業(yè)三星電子相似的水平。

2023-10-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體閃存三星電子 1025 0

泛林回應(yīng)美國AI芯片出口管制新規(guī):預(yù)計(jì)不會(huì)產(chǎn)生實(shí)質(zhì)性影響

泛林集團(tuán)因?yàn)槿ツ臧l(fā)表的美國最近的出口限制規(guī)定,遭受了約20億美元的銷售損失。泛林集團(tuán)認(rèn)為,公司在中國的事業(yè)在第二季度和未來將繼續(xù)保持強(qiáng)勁勢(shì)頭。首席財(cái)務(wù)官...

2023-10-19 標(biāo)簽:閃存AI芯片泛林集團(tuán) 894 0

第四季度DRAM和NAND全面漲價(jià),成本上漲約30%

從2024年第四季度開始,DRAM和NAND閃存的價(jià)格將全面上漲,這已經(jīng)導(dǎo)致國內(nèi)存儲(chǔ)器下游企業(yè)的閃存采購成本上漲了近20%,而內(nèi)存采購成本上漲了約30%。

2023-10-17 標(biāo)簽:閃存DRAMNAND 1706 0

內(nèi)存、閃存全面漲價(jià)!1TB、12/16GB大內(nèi)存手機(jī)且買且珍惜

內(nèi)存、閃存全面漲價(jià)!1TB、12/16GB大內(nèi)存手機(jī)且買且珍惜

隨之而來的影響,即從今年四季度開始,存儲(chǔ)元器件成本上漲所帶來的影響將逐漸傳導(dǎo)至消費(fèi)端,筆記本電腦、手機(jī)等終端產(chǎn)品可能面臨漲價(jià)局面。

2023-10-16 標(biāo)簽:閃存DRAM供應(yīng)鏈 1142 0

三星西安工廠將引進(jìn)236層NAND芯片生產(chǎn)設(shè)備

 三星決定升級(jí)西安工廠的原因大致有兩個(gè)。第一,在nand閃存市場(chǎng)尚未出現(xiàn)恢復(fù)跡象的情況下,在nand閃存市場(chǎng)保持世界領(lǐng)先地位。受從去年年底開始的it景氣...

2023-10-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體閃存NAND 1663 0

韓國NAND閃存芯片出口額恢復(fù)增長

據(jù)韓國貿(mào)易部16日公布的資料顯示,韓國9月份的nand閃存出口額比去年同期增加了5.6%,但8月份減少了8.9%。存儲(chǔ)器半導(dǎo)體業(yè)界的另一個(gè)支柱——3.3...

2023-10-16 標(biāo)簽:閃存DRAMNAND 719 0

有媒體報(bào)道稱,內(nèi)存和閃存價(jià)格將分別上漲30%、20%

日前有媒體報(bào)道稱,受三星等存儲(chǔ)原廠減產(chǎn)以及國內(nèi)閃存龍頭存儲(chǔ)顆粒產(chǎn)能不足的影響,內(nèi)存和閃存元器件采購成本逐步上漲。

2023-10-16 標(biāo)簽:閃存內(nèi)存三星 941 0

英睿達(dá)發(fā)布移動(dòng)SSD X9QLC閃存 寫入速度未公開

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據(jù)悉,YR S900采用英韌自研第三代ECC糾錯(cuò)引擎,協(xié)同優(yōu)化4K LDPC編解碼及數(shù)字信號(hào)處理技術(shù),新型混合自適應(yīng)糾錯(cuò)方案,配合鎧俠XL-FLASH,...

2023-10-11 標(biāo)簽:閃存LDPCSSD 772 0

HK-ATTO 光纖通道卡利用FC-NVMe 提升全閃存存儲(chǔ)陣列性能

HK-ATTO 光纖通道卡利用FC-NVMe 提升全閃存存儲(chǔ)陣列性能

1虹科ATTO光纖通道HBA隨著對(duì)高速數(shù)據(jù)訪問和低延遲存儲(chǔ)解決方案的需求日益增長,虹科ATTO最新的光纖通道創(chuàng)新技術(shù)帶來了改變游戲規(guī)則的突破。原生光纖通...

2023-09-21 標(biāo)簽:閃存光纖存儲(chǔ) 987 0

DRAM芯片價(jià)格有望隨NAND溫和上漲

據(jù)消息人士透露,nand閃存價(jià)格從第三季度初的最低點(diǎn)開始逐漸反彈,到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示:“nand價(jià)格上漲將為dram價(jià)格上漲營造有利...

2023-09-20 標(biāo)簽:閃存DRAMNAND 1051 0

三星固態(tài)硬盤獲評(píng)“優(yōu)秀產(chǎn)品”稱號(hào)

9月13日, 由開放數(shù)據(jù)中心委員會(huì) (ODCC) 主辦的“2023開放數(shù)據(jù)中心峰會(huì)”在北京國際會(huì)議中心順利召開。三星電子副總裁,存儲(chǔ)器新事業(yè)企劃部門負(fù)責(zé)...

2023-09-13 標(biāo)簽:閃存存儲(chǔ)器軟件 1441 0

NAND Flash第四季價(jià)格有望止跌回升,最高上漲5%

NAND Flash第四季價(jià)格有望止跌回升,最高上漲5%

業(yè)內(nèi)人士說:“nand閃存價(jià)格將比dram快反彈”,“nand閃存供應(yīng)商們的赤字繼續(xù)擴(kuò)大,因此銷售價(jià)格正在接近生產(chǎn)成本,供應(yīng)商們?yōu)榱司S持運(yùn)營,擴(kuò)大減產(chǎn),...

2023-09-11 標(biāo)簽:芯片閃存NAND 959 0

慧榮科技MonTitanTM平臺(tái)亮相FMW 2023閃存峰會(huì),為企業(yè)級(jí)SSD開發(fā)提速

近日,每年一度的國內(nèi)閃存峰會(huì)Flash Memory World 2023于杭州蕭山完美落幕。峰會(huì)圍繞“芯存儲(chǔ) AI未來”為主題,匯集了行業(yè)相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)...

2023-09-06 標(biāo)簽:閃存存儲(chǔ)SSD 1106 0

三星將在2024年升級(jí)NAND設(shè)備供應(yīng)鏈

三星業(yè)績近期表現(xiàn)非常差,三星為了增強(qiáng)NAND閃存競(jìng)爭(zhēng)力計(jì)劃在2024年升級(jí)其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈。

2023-08-30 標(biāo)簽:閃存NANDNAND閃存 653 0

單片機(jī)內(nèi)存優(yōu)化的重要性

單片機(jī)內(nèi)存資源通常包括ram(隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器)和Flash存儲(chǔ)器。ram用于運(yùn)行時(shí)數(shù)據(jù)和堆棧,而Flash存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)程序代碼和只讀數(shù)據(jù)。這兩者的資源...

2023-08-30 標(biāo)簽:單片機(jī)閃存FlaSh 718 0

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    HDD
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    HDD,Hard Disk Drive的縮寫,即硬盤驅(qū)動(dòng)器的英文名。最基本的電腦存儲(chǔ)器,電腦中常說的電腦硬盤C盤、D盤為磁盤分區(qū)都屬于硬盤驅(qū)動(dòng)器。硬盤一般常見的磁盤容量為80G、128G、160G、256G、320G、500G、750G、1TB、2TB等等。
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    microSD
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    Micro SD卡是一種極細(xì)小的快閃存儲(chǔ)器卡,其格式源自SanDisk創(chuàng)造,原本這種記憶卡稱為T-Flash,及后改稱為Trans Flash;而重新命名為Micro SD的原因是因?yàn)楸籗D協(xié)會(huì)(SDA)采立。另一些被SDA采立的記憶卡包括Mini SD和SD卡。其主要應(yīng)用于移動(dòng)電話,但因它的體積微小和儲(chǔ)存容量的不斷提高,已經(jīng)使用于GPS設(shè)備、便攜式音樂播放器和一些快閃存儲(chǔ)器盤中。
  • 存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)
    存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)
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microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語音識(shí)別 萬用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門狗
CAN CSI DSI DVI Ethernet HDMI I2C RS-485
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