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標(biāo)簽 > 集成電路

集成電路

集成電路

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集成電路是一種微型電子器件或部件。把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上,然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi),成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu);其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個(gè)整體,使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。

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集成電路技術(shù)

EDA探索之新型垂直互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(CFET)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

集成電路密度的提升是一個(gè)業(yè)界持續(xù)追求的方向,也是“集成”的含義所在。提升集成電路器件密度有多種方式,其中降低器件的單位面積是最根本也是最有效的途徑。

2023-02-16 標(biāo)簽:集成電路振蕩器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1497 0

一文詳解存儲(chǔ)器測(cè)試技術(shù)

內(nèi)存包含數(shù)百萬的狀態(tài) 測(cè)試內(nèi)存是非常困難的 徹底的測(cè)試需要更多的時(shí)間 宇宙的時(shí)代??! 需要特殊的故障模型

2023-02-16 標(biāo)簽:集成電路存儲(chǔ)器內(nèi)存 777 0

穩(wěn)壓二極管電路常應(yīng)用的電路介紹

電源開關(guān)S1正常接通時(shí),+V通過Rl加到VD1上的電壓不夠大,不足以使VD1導(dǎo)通,所以VD1處于截止?fàn)顟B(tài),不影響電路正常工作。

2023-02-15 標(biāo)簽:集成電路穩(wěn)壓二極管過壓保護(hù) 1353 0

常用電子元器件的劃分與識(shí)別

集成電路(ic,integrated circuit)是一種把一類電路中所需的晶體管、阻容感等元件及布線互連一起,制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基...

2023-02-15 標(biāo)簽:集成電路電子元器件晶體管 3958 0

555曾被稱為有史以來最偉大的芯片之一

乏味地打磨環(huán)氧樹脂封裝以露出芯片(下圖),并確定芯片是 555 定時(shí)器。Signetics 在 1972 年年中發(fā)布了 555 定時(shí)器,下面的芯片有一個(gè)...

2023-02-13 標(biāo)簽:集成電路定時(shí)器鎖存器 2249 0

半導(dǎo)體制造之外延工藝詳解

外延工藝是指在襯底上生長完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來講,外延工藝是在單晶襯底上生長一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導(dǎo)體制造,...

2023-02-13 標(biāo)簽:集成電路工藝晶體管 1.7萬 0

***的簡(jiǎn)易工作原理圖 掩模版都有哪些種類?

光刻掩模版,別稱“掩模版”、“光刻板”、“光罩”、“遮光罩”,一般使用玻璃或者石英表面覆蓋帶有圖案的金屬圖形,實(shí)現(xiàn)對(duì)光線的遮擋或透過功能,是微電子光刻工...

2023-02-13 標(biāo)簽:集成電路光刻機(jī) 2744 0

電源管理IC的幾種類型

電源管理集成電路包括很多種類別,大致又分成電壓調(diào)整和接口電路兩方面。電壓凋整器包含線性低壓降穩(wěn)壓器(即LDO),以及正、負(fù)輸出系列電路,此外不有脈寬調(diào)制...

2023-02-11 標(biāo)簽:集成電路電源管理調(diào)整器 1410 0

集成電路封裝的分類與演進(jìn)

集成電路封測(cè)是集成電路產(chǎn)品制造的后道工序,包含封裝與測(cè)試兩個(gè)主要環(huán)節(jié)。集成電路封裝是指將集成電路與引腳相連接以達(dá)到連接電信號(hào)的目的,并使用塑料、金屬、陶...

2023-02-11 標(biāo)簽:集成電路封裝 2973 0

萬字講述汽車電子電氣架構(gòu)演進(jìn)

大規(guī)模集成電路的發(fā)展讓汽車電子得以快速發(fā)展,發(fā)動(dòng)機(jī)定時(shí)點(diǎn)火控制系統(tǒng)、電控燃油噴射系統(tǒng)、自動(dòng)變速箱控制系統(tǒng)、牽引力控制系統(tǒng)、電控懸架系統(tǒng)、電控座椅、電控車...

2023-02-10 標(biāo)簽:集成電路汽車電子架構(gòu) 3718 0

集成電路傳統(tǒng)封裝的定義及其作用

狹義的封裝定義是指安裝集成電路芯片外殼的過程;廣義的封裝定義應(yīng)包括將制備合格的芯片、元件等裝配到載體(Carrier)上,采用適當(dāng)?shù)倪B接技術(shù)形成電氣連接...

2023-02-10 標(biāo)簽:集成電路PCB板功率電路 4698 0

基于FPGA典型SOC開發(fā)設(shè)計(jì)方案

FPGA是可編程芯片,因此FPGA的設(shè)計(jì)方法包括硬件設(shè)計(jì)和軟件設(shè)計(jì)兩部分。硬件包括FPGA芯片電路、存儲(chǔ)器、輸入輸出接口電路以及其他設(shè)備,軟件即是相應(yīng)的...

2023-02-10 標(biāo)簽:fpga集成電路嵌入式 2056 0

多極碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)單片微波集成電路(MMIC)器件

多極碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)單片微波集成電路(MMIC)器件

四款新型多極碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)單片微波集成電路(MMIC)器件。進(jìn)一步擴(kuò)展射頻(RF)解決方案范圍,適用于包括海事、氣象監(jiān)測(cè)和新興的...

2023-02-10 標(biāo)簽:集成電路氮化鎵相控陣 1015 0

封裝熱分析計(jì)算器教程

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封裝熱分析計(jì)算器 (PTA) 是為 HP 50g 計(jì)算器編寫的程序,有助于分析 IC 封裝熱。使用數(shù)據(jù)表參數(shù),從芯片(結(jié)點(diǎn))、外殼到環(huán)境跟蹤熱量和耗散。...

2023-02-10 標(biāo)簽:芯片集成電路封裝 1373 0

什么是氮化鎵(GaN)?什么是高電子遷移率晶體管?

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氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體,用于高效功率晶體管和集成電路。在GaN晶體的頂部生長氮化鋁鎵(AlGaN)薄層并在界面施加應(yīng)力,從而產(chǎn)生二維電子氣(...

2023-02-10 標(biāo)簽:集成電路晶體管氮化鎵 5628 0

嵌入式、單片機(jī)和PLC哪個(gè)前景好一些?

嵌入式、單片機(jī)和PLC哪個(gè)前景好一些?

我們國內(nèi)教育普遍是把可編程控制芯片按照芯片的功能強(qiáng)弱進(jìn)行分層,功能較強(qiáng)的一類稱為嵌入式,特別是適合跑WINCE、安卓之類輕量級(jí)系統(tǒng)的處理器或FPGA、D...

2023-02-09 標(biāo)簽:dspfpga集成電路 5599 0

利用USB至JTAG接口板編程MAX1441

利用USB至JTAG接口板編程MAX1441

MAX1441為信號(hào)調(diào)理集成電路(IC),支持電容式接近檢測(cè)傳感器設(shè)計(jì),適用于汽車無源遙控門禁(PKE)及其它系統(tǒng)。MAX1441具有兩個(gè)獨(dú)立的接觸/接...

2023-02-09 標(biāo)簽:集成電路usbJTAG 1317 0

全球封測(cè)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)

隨著芯片技術(shù)的發(fā)展,封裝具有了新的作用,如功能集成和系統(tǒng)測(cè)試。從封裝類型的發(fā)展來看,早期的封裝主要是金屬晶體管外形 (Transistor Out-li...

2023-02-09 標(biāo)簽:集成電路產(chǎn)業(yè)鏈封測(cè) 1975 0

氮化鎵晶體管的優(yōu)點(diǎn)

法國和瑞士科學(xué)家首次使用氮化鎵在(100)-硅(晶體取向?yàn)?00)基座上,成功制造出了性能優(yōu)異的高電子遷徙率晶體管(HEMTs)。

2023-02-08 標(biāo)簽:集成電路MOSFET晶體管 1153 0

5至1.8V轉(zhuǎn)換器無需磁性元件即可工作

5至1.8V轉(zhuǎn)換器無需磁性元件即可工作

要從1V獲得8.5V電壓,可以考慮使用開關(guān)模式穩(wěn)壓器。開關(guān)穩(wěn)壓器效率很高,但需要電感器。線性穩(wěn)壓器很簡(jiǎn)單,但效率僅為40%。該電路的效率超過70%(圖2...

2023-02-08 標(biāo)簽:集成電路轉(zhuǎn)換器電感器 888 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    +關(guān)注
    光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的,在2009年10月1日天安門廣場(chǎng)舉行的國慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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    光模塊
    +關(guān)注
    光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成,光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡(jiǎn)單的說,光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換,發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào),通過光纖傳送后,接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
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  • STM32單片機(jī)
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    STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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