偏置電路的工作原理

由于流過(guò)發(fā)射極偏置電阻（Re）的電流IR遠(yuǎn)大于基極的電流Ib（Ie》》Ib），因此，可以認(rèn)為基極電位Vb只取決于分壓電阻Re的阻值大小，與三極管參數(shù)無(wú)關(guān)...

2019-09-09 標(biāo)簽：放大電路集電極偏置電路 1.8萬(wàn) 0

三極管的工作狀態(tài)

當(dāng)加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓大于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓，并處于某一恰當(dāng)?shù)闹禃r(shí)，三極管的發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置，這時(shí)基極電流對(duì)集電極電流起著控制作用，使三極...

2019-06-18 標(biāo)簽：三極管PN結(jié)集電極 1.7萬(wàn) 0

詳解三極管的電流放大作用

　這期的內(nèi)容是接繼上一篇三極管文章展開(kāi)的，上期主要講了如何判斷三極管的三個(gè)工作區(qū)，通過(guò)上節(jié)內(nèi)容，我想大家應(yīng)該能判斷三極管的截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)了吧。那...

2023-03-10 標(biāo)簽：三極管電流電壓源 1.7萬(wàn) 0

電力晶體管結(jié)構(gòu)和工作原理

電力晶體管有與一般雙極型晶體管相似的結(jié)構(gòu)、工作原理和特性。它們都是3層半導(dǎo)體，2個(gè)PN結(jié)的三端器件，有PNP和NPN這2種類型，但GTR多采用NPN型。...

2019-09-02 標(biāo)簽：集電極GTR電力晶體管 1.6萬(wàn) 0

三極管的常用電路及極限參數(shù)

三極管的基本結(jié)構(gòu)：三個(gè)區(qū)、三個(gè)極、兩個(gè)結(jié)；分為NPN型和PNP型兩大類。

2023-02-22 標(biāo)簽：三極管二極管集電極 1.5萬(wàn) 0

偏置電路的類型有哪些？?

因?yàn)橐粋€(gè)三極管有三種工作狀態(tài)，即放大、截止、飽和。通過(guò)不同的偏執(zhí)電路，就可以使三極管工作在不同的狀態(tài)下。下面是一個(gè)典型的共射極偏置電路。

2019-09-09 標(biāo)簽：三極管集電極偏置電路 1.4萬(wàn) 0

電力晶體管GTR的驅(qū)動(dòng)電路

優(yōu)化驅(qū)動(dòng)特性就是以理想的基極驅(qū)動(dòng)電流波形去控制器件的開(kāi)關(guān)過(guò)程，保證較高的開(kāi)關(guān)速度，減少開(kāi)關(guān)損耗。優(yōu)化的基極驅(qū)動(dòng)電流波形與GTO門極驅(qū)動(dòng)電流波形相似。

2019-09-02 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)電路集電極驅(qū)動(dòng)電流 1.3萬(wàn) 0

共射極放大電路的波形和基本公式

放大電路的作用是將小信號(hào)放大為大信號(hào)。下圖是用三極管組成的放大電路。基極是信號(hào)輸入，集電極是信號(hào)輸出，發(fā)射極是公共端（地）。此電路稱為共發(fā)射極放大電路。

2023-10-21 標(biāo)簽：三極管放大電路晶體管 1.3萬(wàn) 0

NPN三極管驅(qū)動(dòng)繼電器原理

繼電器線圈需要流過(guò)較大的電流（約50mA）才能使繼電器吸合，一般的集成電路不能提供這樣大的電流，因此必須進(jìn)行擴(kuò)流，即驅(qū)動(dòng)。

2019-09-05 標(biāo)簽：繼電器集電極NPN三極管 1.1萬(wàn) 0

阻容耦合兩級(jí)放大電路的直流分析和交流分析

從前面的學(xué)習(xí)中，了解到基本共射極放大電路常用于各種放大器，但是它的放大能力一般。而在實(shí)際中，經(jīng)常需要將微弱的電信號(hào)進(jìn)行放大，基本放大電路是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。因...

2023-06-02 標(biāo)簽：放大器放大電路信號(hào) 1.1萬(wàn) 0

分享幾種直流偏置電路

集電極偏置電路，也叫電壓并聯(lián)負(fù)反饋電路，根據(jù)電壓并聯(lián)負(fù)反饋原理，可得表達(dá)式Ib=（Uc-Vbe）/Rb。

2023-04-24 標(biāo)簽：并聯(lián)反饋電路集電極 9404 0

抑制IGBT集電極過(guò)壓尖峰的方法

IGBT關(guān)斷時(shí)，集電極電流Ic迅速減小到0，急劇變化的di/dt流經(jīng)在系統(tǒng)雜散電感，產(chǎn)生感應(yīng)電壓ΔV。ΔV疊加在母線電壓上，使IGBT承受高于平常的電壓...

2022-08-23 標(biāo)簽：IGBT集電極 9205 0

什么是BCD工藝？BCD工藝與CMOS工藝對(duì)比

BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝技術(shù)是將雙極型晶體管、CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）和DMOS（雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管技術(shù)組合...

2024-03-18 標(biāo)簽：CMOS晶體管電磁干擾 8746 0