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標(biāo)簽 > 非易失性存儲器
非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存,非易失性存儲器(英語:non-volatile memory,縮寫為NVM)是指當(dāng)電流關(guān)掉后,所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中,依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn),可分為二大類產(chǎn)品,即ROM和Flash memory。
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Everspin?MRAM解決方案供應(yīng)商推出了用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統(tǒng)的EMxxLX xSPI MRAM 非易失性存儲器解決方案。該解決方案可以替代S...
MRAM芯片MR4A16BMA35是一款適用于自動化控制器的存儲器芯片
Everspin了解客戶在工業(yè)市場中對長期數(shù)據(jù)保留和極端溫度支持等功能在通常惡劣的工業(yè)環(huán)境中非常重要。該技術(shù)的固有耐用性通過避免使用其他非易失性存儲器技...
英飛凌推出全球首款采用后量子加密技術(shù)進(jìn)行固件更新的TPM安全芯片
英飛凌科技推出了全新的OPTIGA? TPM(可信平臺模塊)SLB 9672,旨在進(jìn)一步提升系統(tǒng)的安全性。
東芝推出無霍爾傳感器正弦波驅(qū)動3相直流無刷電機(jī)控制預(yù)驅(qū)IC,助力降低振動與噪聲
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出一款3相直流無刷電機(jī)控制預(yù)驅(qū)IC---“TC78B011FTG”,該產(chǎn)品適用于服務(wù)器風(fēng)扇和鼓風(fēng)機(jī)...
Everspin非易失性MRAM-MR0D08BMA45R的特征
MR0D08BMA45R是一款雙電源1Mbit的磁阻隨機(jī)存取存儲器(MRAM)器件。支持+1.6~+3.6V的I/O電壓。提供SRAM兼容的45ns讀/...
HIRO 部署新一代可擴(kuò)展邊緣微型數(shù)據(jù)中心
與匈牙利創(chuàng)新硬件設(shè)計公司 PCB Design Ltd.密切合作,開發(fā)了一個堅固耐用的高性能通信與計算解決方案。
2021-12-15 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)人工智能機(jī)器學(xué)習(xí) 1351 0
貿(mào)澤電子即日起開售Fujitsu Semiconductor Memory Solution產(chǎn)品
貿(mào)澤電子宣布即日起開售Fujitsu Semiconductor Memory Solution的鐵電隨機(jī)存取存儲器 (FRAM) 和高密度電阻式隨機(jī)存...
FRAM在便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)的應(yīng)用
隨著系統(tǒng)復(fù)雜性不斷增加,包括多個數(shù)學(xué)函數(shù)和算法的復(fù)雜代碼也隨之增加,片上存儲器內(nèi)存容量可能不足。因此便攜式醫(yī)療系統(tǒng)通常需要額外的存儲空間,以便設(shè)計人員使...
Microchip推出八通道12位數(shù)模轉(zhuǎn)換器,支持體積更小或空間受限的系統(tǒng)
八通道12位數(shù)模轉(zhuǎn)換器將非易失性存儲器與集成參考電壓源相結(jié)合,降低上電期間的處理器開銷,同時支持體積更小或空間受限的系統(tǒng)。
2020-10-22 標(biāo)簽:混合信號microchip數(shù)模轉(zhuǎn)換器 1174 0
特斯拉電動汽車對于任何存儲應(yīng)用都是一個充滿挑戰(zhàn)的環(huán)境,這不僅是因為汽車質(zhì)量對溫度和功能安全性的要求,而且因為每輛汽車的使用方式都不同。
ReRAM技術(shù)將成嵌入式人工智能重要關(guān)鍵
Dialog半導(dǎo)體已將其導(dǎo)電橋接電阻RAM非易失性存儲器(NVM)技術(shù)授權(quán)給Globalfoundries,但生產(chǎn)計劃要等到2022年。 Globalf...
切換(或場驅(qū)動)MRAM包括大部分的獨立MRAM設(shè)備。然而切換MRAM的規(guī)模不足以取代大多數(shù)其他記憶。STT-MRAM產(chǎn)品將擴(kuò)展到更高的密度,需要更低的...
武漢新芯50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品全線量產(chǎn)
XM25QWxxC系列產(chǎn)品在1.65V至3.6V電壓范圍內(nèi)讀取速度可達(dá)133MHz(在所有單/雙/四通道和QPI模式下均支持),工作溫度范圍可達(dá)-40℃...
非易失性存儲器是指當(dāng)電流關(guān)掉后,所存儲的數(shù)據(jù)不會消失者的電腦存儲器。非易失性存儲器中,依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn),可分為二大類產(chǎn)品...
X-FAB在180nm BCD-on-SOI平臺上新增非易失性存儲器功能
基于公司成熟的SONOS技術(shù),新增的Flash和EEPROM為汽車,醫(yī)療和工業(yè)領(lǐng)域帶來了許多新的可能性。
到目前為止,新興的非易失性存儲器(eNVM),如自旋轉(zhuǎn)矩磁阻RAM(STT-MRAM)、可變電阻式存儲器(ReRAM) 和相變存儲器(PCM),由于可擴(kuò)...
非易失性存儲器是指當(dāng)電流關(guān)掉后,所存儲的數(shù)據(jù)不會消失者的電腦存儲器。非易失性存儲器中,依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn),可分為二大類產(chǎn)品...
富士通分享三大存儲技術(shù) 各具獨特堪稱黑馬技術(shù)
“FRAM(鐵電存儲器)用于數(shù)據(jù)記錄;NRAM(碳納米管存儲)用于數(shù)據(jù)記錄和電碼儲存, 還可替代NOR Flash;ReRAM(電阻式記憶體)可替代大容...
賽普拉斯推出全新Excelon?F-RAM?高速、高可靠性的非易失性存儲器系列
先進(jìn)嵌入式解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票代碼:CY)近日宣布推出新型串行非易失性存儲器系列,為關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)采集提供卓越性能和高可靠性。...
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