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標(biāo)簽 > 22nm
制造工藝的微米是指IC內(nèi)電路與電路之間的距離。制造工藝的趨勢(shì)是向密集度愈高的方向發(fā)展,密度愈高的IC電路設(shè)計(jì),意味著在同樣大小面積的IC中,可以擁有密度更高、功能更復(fù)雜的電路設(shè)計(jì)。
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據(jù)英特爾的首席財(cái)政官 Stacy Smith 在一次新聞發(fā)布會(huì)上討論公司的第一季度財(cái)務(wù)情況時(shí)稱(chēng),英特爾的22nm制造工藝技術(shù)的FinFET晶體管將占英特...
下一代晶體管王牌:何種技術(shù)領(lǐng)跑22nm時(shí)代?
在22nm,或許是16nm節(jié)點(diǎn),我們將需要全新的晶體管。而在這其中,爭(zhēng)論的焦點(diǎn)在于究竟該采用哪一種技術(shù)。這場(chǎng)比賽將關(guān)乎到晶體管的重新定義。在22/20n...
采用英特爾22nm工藝技術(shù)的FPGA開(kāi)發(fā)
Achronix半導(dǎo)體公司宣布:該公司已經(jīng)戰(zhàn)略性地獲得了英特爾公司22納米工藝技術(shù)的使用權(quán),并計(jì)劃開(kāi)發(fā)最先進(jìn)的現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)
22nm后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域 平面型FD-SOI元件與基于立體
22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域,靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細(xì)化會(huì)越來(lái)越困難的,為此,人們關(guān)注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件與基于立體...
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