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      標簽　>　HyperRAM

      HyperRAM

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      HYPERRAM 系列產(chǎn)品提供了比傳統(tǒng)pseudo-SRAM 更為先進的替代選擇，適用于電池和空間受限且需要片外RAM的物聯(lián)網(wǎng)應用。

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      HyperRAM簡介

      　　HYPERRAM 系列產(chǎn)品提供了比傳統(tǒng)pseudo-SRAM 更為先進的替代選擇，適用于電池和空間受限且需要片外RAM的物聯(lián)網(wǎng)應用。

      　　HYPERRAM 3.0 在 1.8V 工作電壓下的最高運行頻率為200MHz，與 HYPERRAM 2.0 和 OCTAL xSPI RAM 相同，但數(shù)據(jù)傳輸速率提高至 800MBps，是以往產(chǎn)品的兩倍。新一代 HYPERRAM 配備了具有 22個引腳的擴展IO HyperBus 接口。

      　　HYPERRAM的三大關鍵功能是低引腳數(shù)、低功耗和易于控制，可顯著提升物聯(lián)網(wǎng)終端設備的性能。

      　　與低功耗DRAM、SDRAM和CRAM/PSRAM相比，HYPERRAM大幅簡化了PCB布局設計，延長了移動設備的電池壽命。此外HYPERRAM的處理器體積更小且具備更少的引腳數(shù)，同時數(shù)據(jù)傳輸速率也得到提高。

      　　HYPERRAM 是一種高速、低引腳數(shù)、低功耗的pseudo-SRAM，適用于需要擴展內存以用于緩存或緩沖的高性能嵌入式系統(tǒng)。低引腳數(shù)架構使HYPERRAM更適用于電源和電路板空間受限且需要片外RAM的應用。此項技術最早由英飛凌（當時的賽普拉斯）于 2015 年推出，現(xiàn)已獲得眾多領先MCU、MPU 和 FPGA 伙伴廠商和客戶的認可與支持，生態(tài)系統(tǒng)逐漸成熟。此外，已有多家公司推出了優(yōu)化的HyperBus內存控制IP。

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      hyperram知識

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