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      標(biāo)簽　>　SiGe

      SiGe

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      sige技術(shù)

      ADF41513 26.5GHz整數(shù)N/小數(shù)N PLL頻率合成器技術(shù)手冊(cè)

      ADF41513 26.5GHz整數(shù)N/小數(shù)N PLL頻率合成器技術(shù)手冊(cè)

      ADF41513 是一款超低噪聲頻率合成器，可用于在無線接收器和變送器的升頻轉(zhuǎn)換和降頻轉(zhuǎn)換部分實(shí)施高達(dá) 26.5 GHz 的本地振蕩器 (LO)。 ...

      2025-04-25 標(biāo)簽：振蕩器頻率合成器SiGe 81 0

      ADF41510 10GHz、整數(shù)N/小數(shù)N分頻PLL頻率合成器技術(shù)手冊(cè)

      ADF41510 10GHz、整數(shù)N/小數(shù)N分頻PLL頻率合成器技術(shù)手冊(cè)

      ADF41510 是一種超低噪聲頻率合成器，可以 用于實(shí)現(xiàn)高達(dá) 10 GHz 的本振 （LO） 無線接收器的上變頻和下變頻部分 和發(fā)射器。

      2025-04-25 標(biāo)簽：頻率合成器SiGepll 53 0

      MAX2066 50MHz至1000MHz高線性度、可串行/并行控制的數(shù)字VGA技術(shù)手冊(cè)

      MAX2066 50MHz至1000MHz高線性度、可串行/并行控制的數(shù)字VGA技術(shù)手冊(cè)

      MAX2066高線性度、數(shù)字調(diào)節(jié)可變?cè)鲆娣糯笃?VGA)是采用SiGe BiCMOS工藝的單芯片衰減器和放大器，針對(duì)50MHz至1000MHz頻率范圍的...

      2025-04-21 標(biāo)簽：SiGeVGABiCMOS 120 0

      MAX2067 50MHz至1000MHz高線性度、可通過串口 模擬控制的VGA技術(shù)手冊(cè)

      MAX2067 50MHz至1000MHz高線性度、可通過串口 模擬控制的VGA技術(shù)手冊(cè)

      MAX2067高線性度、模擬調(diào)節(jié)可變?cè)鲆娣糯笃?VGA)是采用SiGe BiCMOS工藝的單芯片衰減器和放大器，針對(duì)50MHz至1000MHz頻率范圍的...

      2025-04-21 標(biāo)簽：SiGeVGABiCMOS 130 0

      MAX2090 50MHz至1000MHz模擬VGA，集成門限報(bào)警電路和誤差放大器，用于電平控制技術(shù)手冊(cè)

      MAX2090 50MHz至1000MHz模擬VGA，集成門限報(bào)警電路和誤差放大器，用于電平控制技術(shù)手冊(cè)

      MAX2090高線性度、模擬可變?cè)鲆娣糯笃?VGA)是一款單芯片SiGe BiCMOS衰減器、放大器、誤差放大器、報(bào)警電路，用于連接工作在50MHz至1...

      2025-04-19 標(biāo)簽：SiGe增益放大器VGA 175 0

      HMC905LP3E 6GHz低噪聲可編程分頻器，采用SMT封裝技術(shù)手冊(cè)

      HMC905LP3E 6GHz低噪聲可編程分頻器，采用SMT封裝技術(shù)手冊(cè)

      HMC905LP3E是一款SiGe BiCMOS低噪聲可編程分頻器，采用3x3 mm無引腳表貼封裝。 在400 MHz至6 GHz 輸入頻率范圍內(nèi)，該電...

      2025-04-18 標(biāo)簽：SiGe分頻器BiCMOS 103 0

      ADCLK925超快型SiGe ECL時(shí)鐘/數(shù)據(jù)緩沖器技術(shù)手冊(cè)

      ADCLK925超快型SiGe ECL時(shí)鐘/數(shù)據(jù)緩沖器技術(shù)手冊(cè)

      ADCLK905（單輸入/單輸出）、ADCLK907（雙通道單輸入/單輸出）和ADCLK925（單輸入/雙輸出）為超高速時(shí)鐘/數(shù)據(jù)緩沖器，采用ADI公司...

      2025-04-14 標(biāo)簽：SiGe時(shí)鐘數(shù)據(jù)緩沖器 134 0

      ADCLK907超快型SiGe ECL時(shí)鐘/數(shù)據(jù)緩沖器技術(shù)手冊(cè)

      ADCLK907超快型SiGe ECL時(shí)鐘/數(shù)據(jù)緩沖器技術(shù)手冊(cè)

      ADCLK905（單輸入/單輸出）、ADCLK907（雙通道單輸入/單輸出）和ADCLK925（單輸入/雙輸出）為超高速時(shí)鐘/數(shù)據(jù)緩沖器，采用ADI公司...

      2025-04-14 標(biāo)簽：SiGe時(shí)鐘數(shù)據(jù)緩沖器 138 0

      ADCLK905超快型SiGe ECL時(shí)鐘/數(shù)據(jù)緩沖器技術(shù)手冊(cè)

      ADCLK905超快型SiGe ECL時(shí)鐘/數(shù)據(jù)緩沖器技術(shù)手冊(cè)

      ADCLK905（單輸入/單輸出）、ADCLK907（雙通道單輸入/單輸出）和ADCLK925（單輸入/雙輸出）為超高速時(shí)鐘/數(shù)據(jù)緩沖器，采用ADI公司...

      2025-04-14 標(biāo)簽：SiGe時(shí)鐘數(shù)據(jù)緩沖器 155 0

      ADCLK914超快型SiGe開集HVDS時(shí)鐘/數(shù)據(jù)緩沖器技術(shù)手冊(cè)

      ADCLK914超快型SiGe開集HVDS時(shí)鐘/數(shù)據(jù)緩沖器技術(shù)手冊(cè)

      ADCLK914是一款采用ADI公司專利的互補(bǔ)雙極性(XFCB-3)硅鍺(SiGe)工藝技術(shù)制造的超快型時(shí)鐘/數(shù)據(jù)緩沖器。ADCLK914具備高壓差分信...

      2025-04-11 標(biāo)簽：SiGe時(shí)鐘adclk914 182 0

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      SiGe與Si選擇性刻蝕技術(shù)

      SiGe與Si選擇性刻蝕技術(shù)

      文章來源：半導(dǎo)體與物理 原文作者：jjfly686 本文簡(jiǎn)單介紹了兩種新型的選擇性刻蝕技術(shù)——高氧化性氣體的無等離子體刻蝕和原子層刻蝕。 全環(huán)繞柵極晶體...

      2024-12-17 標(biāo)簽：SiGe刻蝕 884 0

      Si/SiGe多層堆疊的干法蝕刻

      Si/SiGe多層堆疊的干法蝕刻

      引言 近年來，硅/硅鍺異質(zhì)結(jié)構(gòu)已成為新型電子和光電器件的熱門課題。因此，人們對(duì)硅/硅鍺體系的結(jié)構(gòu)制造和輸運(yùn)研究有相當(dāng)大的興趣。在定義Si/SiGe中的不...

      2023-12-28 標(biāo)簽：晶圓SiGe蝕刻 937 0

      基于SiGe HBT工藝的240GHz芯片的介紹和應(yīng)用

      基于SiGe HBT工藝的240GHz芯片的介紹和應(yīng)用

      最近合作伙伴發(fā)布了基于SiGe HBT工藝的240GHz芯片，在這里給大家介紹一下參數(shù)和指標(biāo)，針對(duì)應(yīng)用會(huì)在文末給大家一些方向性參考。 雷達(dá)前端TRA?2...

      2023-11-16 標(biāo)簽：芯片功率放大器振蕩器 1691 0

      深入探討封裝基板

      來源：內(nèi)容來自「馭勢(shì)資本」，謝謝。 半導(dǎo)體封裝基礎(chǔ) 半導(dǎo)體制造工藝流程 半導(dǎo)體制造的工藝過程由晶圓制造（Wafer Fabr ication）、晶圓測(cè)試...

      2021-10-19 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體SiGe 9689 0

      得捷新品Nexperia小型化高效SiGe整流器和PUI微型移動(dòng)揚(yáng)聲器介紹

      本期Digi-Key Daily向大家推介兩款產(chǎn)品——Nexperia的CFP封裝SiGe整流器和PUI 12mm x 6mm移動(dòng)系列揚(yáng)聲器。 1 產(chǎn)品...

      2021-10-11 標(biāo)簽：整流器SiGe揚(yáng)聲器 3517 0

      關(guān)于SiGe HBT 技術(shù)和應(yīng)用的未來分析和介紹

      關(guān)于SiGe HBT 技術(shù)和應(yīng)用的未來分析和介紹

      在雷達(dá)應(yīng)用這塊， 除了早已上市的77-78，79-81GHz雷達(dá)，主用于ADAS。同時(shí)94GHz雷達(dá)應(yīng)用也已成熟，用于惡劣天氣，機(jī)場(chǎng)地面監(jiān)測(cè)等。 同時(shí)最...

      2019-09-06 標(biāo)簽：SiGe分辨率晶體管 1.8萬 0

      格芯公布了針對(duì)一系列技術(shù)平臺(tái)而制訂的愿景和路線圖

      格芯（GLOBALFOUNDRIES）公布了針對(duì)一系列技術(shù)平臺(tái)而制訂的愿景和路線圖，這些技術(shù)平臺(tái)旨在幫助客戶過渡到下一代5G無線網(wǎng)絡(luò)。格芯為多種5G應(yīng)用...

      2018-05-03 標(biāo)簽：cmossige5g 1217 0

      美高森美推出世界首款單晶片硅鍺RF前端器件LX5586

      美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC）日前推出世界首款單晶片硅鍺（SiGe）RF前端（FE）器件L...

      2018-04-27 標(biāo)簽：sigewifife 1496 0

      下一代高性能晶體管——納米線能否繼任FinFET

      據(jù)IEEE報(bào)道，來自IMEC的Hans Mertens研究小組，使用8納米寬的密集型納米線堆棧在傳統(tǒng)硅表面上成功制作了環(huán)柵式晶體管，未來經(jīng)過技術(shù)改進(jìn)有可...

      2016-11-23 標(biāo)簽：SiGe晶體管FinFET 4288 0

      格羅方德推出性能增強(qiáng)型130nm硅鍺射頻技術(shù)，以促進(jìn)下一代無線網(wǎng)絡(luò)通信發(fā)展

      格羅方德半導(dǎo)體（GlobalFoundries）于今日宣布針對(duì)硅鍺（SiGe）高性能技術(shù)組合，推出新一代射頻芯片解決方案。該項(xiàng)技術(shù)專為需要更優(yōu)性能解決方...

      2016-06-08 標(biāo)簽：SiGe射頻芯片格羅方德 1751 0

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      sige數(shù)據(jù)手冊(cè)

      型號(hào) 描述 數(shù)據(jù)手冊(cè) 參考價(jià)格
      SE7351L-T SE7351L-T - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc.
      SE7351L-AK3 SE7351L-AK3 - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc.
      SE7265L-R SE7265L-R - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc.
      SE7265L-EK1 SE7265L-EK1 - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc.
      SE7262L-EK1 SE7262L-EK1 - 2.5-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier - SiGe Semiconductor, Inc.

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        工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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        Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個(gè)國家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實(shí)現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉市。
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        以無人駕駛來說，城市中將建造一個(gè)巨大的交通共享網(wǎng)，只要拿出手機(jī)就能隨時(shí)呼叫無人駕駛汽車服務(wù)；交警能精準(zhǔn)判斷每一輛汽車去向，更有效地管理交通……
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        OpenWrt 可以被描述為一個(gè)嵌入式的 Linux 發(fā)行版。（主流路由器固件有 dd-wrt，tomato，openwrt，padavan四類）對(duì)比一個(gè)單一的、靜態(tài)的系統(tǒng)，OpenWrt的包管理提供了一個(gè)完全可寫的文件系統(tǒng)，從應(yīng)用程序供應(yīng)商提供的選擇和配置，并允許您自定義的設(shè)備，以適應(yīng)任何應(yīng)用程序。
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        OMAPL138
        +關(guān)注
        OMAP-L138是美國德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器 ，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器 （DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計(jì)對(duì)高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長(zhǎng)電池使用壽命的需求。
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