什么是先進(jìn)封裝？先進(jìn)封裝技術(shù)包括哪些技術(shù)

半導(dǎo)體產(chǎn)品在由二維向三維發(fā)展，從技術(shù)發(fā)展方向半導(dǎo)體產(chǎn)品出現(xiàn)了系統(tǒng)級封裝（SiP）等新的封裝方式，從技術(shù)實(shí)現(xiàn)方法出現(xiàn)了倒裝（FlipChip），凸塊（Bu...

2023-10-31 標(biāo)簽：三極管memsBGA 2821 0

微電子封裝技術(shù)簡介

微電子封裝基本類型每15年左右變更一次。

2023-10-26 標(biāo)簽：集成電路封裝技術(shù)BGA 1120 0

解耦系統(tǒng)的局部阻抗不連續(xù)膚淺風(fēng)險(xiǎn)評估方法

今天看了一篇很有意思的文章《Utilizing Fine Line PCBs with High Density BGAs》，講的是PCB BGA高密度...

2023-10-25 標(biāo)簽：阻抗封裝BGA 1051 0

pcb電路板散熱技巧有哪些方法

通過PCB板本身散熱目前廣泛應(yīng)用的PCB板材是覆銅/環(huán)氧玻璃布基材或酚醛樹脂玻璃布基材，還有少量使用的紙基覆銅板材。

2023-10-23 標(biāo)簽：集成電路pcb元器件 470 0

闡述DDR3讀寫分離的方法

DDR3是2007年推出的，預(yù)計(jì)2022年DDR3的市場份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文...

2023-10-18 標(biāo)簽：芯片DDR3封裝 1335 0

無鉛BGA混裝焊接工藝質(zhì)量控制方案

PCB熱分布設(shè)計(jì)，為了減少焊接過程中印制電路板表面的溫升，應(yīng)仔細(xì)考慮散熱設(shè)計(jì)，元器件及銅箔分布應(yīng)均勻，優(yōu)化印制電路板的布局。

2023-10-18 標(biāo)簽：pcbSMDBGA 3379 0

BGA焊盤設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)交流分享

引起B(yǎng)GA焊盤可焊性不良的原因: 1.綠油開窗比BGA焊盤小 2. BGA焊盤過小 3. 白字上BGA焊盤 4. BGA焊盤盲孔未填平 5. ...

2023-10-17 標(biāo)簽：BGA焊盤焊盤設(shè)計(jì) 769 0

HIP失效分析、HIP解決對策及實(shí)戰(zhàn)案例

本文涵蓋HIP失效分析、HIP解決對策及實(shí)戰(zhàn)案例。希望您在閱讀本文后有所收獲，歡迎在評論區(qū)發(fā)表您的想法。

2023-10-16 標(biāo)簽：BGAHIP失效分析 880 0

PCB電路板短路，6種檢查方法

電路板維修中，如果碰到公共電源短路的故障往往頭大，因?yàn)楹芏嗥骷脊灿猛浑娫?，每一個(gè)用此電源的器件都有短路的嫌疑，如果板上元件不多，采用“鋤大地”的方式...

2023-10-11 標(biāo)簽：pcbICBGA 2986 0

電子元器件SMD的封裝分類

PCBA電子產(chǎn)品焊接導(dǎo)入無鉛制程后，由于無鉛焊料的特性，如熔點(diǎn)高、潤濕性差、工藝窗口窄等，焊接過程出現(xiàn)了無鉛焊接特有的缺陷及不良，如錫珠、焊點(diǎn)粗糙、漏焊...

2023-10-11 標(biāo)簽：封裝技術(shù)smtBGA 2406 0

詳細(xì)解析電源完整性去耦電容原理及選型

電源完整性在現(xiàn)今的電子產(chǎn)品中相當(dāng)重要。有幾個(gè)有關(guān)電源完整性的層面：芯片層面、芯片封裝層面、電路板層面及系統(tǒng)層面。

2023-10-11 標(biāo)簽：電磁干擾電磁兼容性BGA 1811 0

BGA/CSP器件封裝類型及結(jié)構(gòu)

　　BGA （Ball Grid Array）即“焊球陣列”，是在器件基板的下面按陣列方式引出球形引腳，在基板_上面裝配LSI （ large Scal...

2023-10-10 標(biāo)簽：芯片集成電路BGA 1590 0

使用Altium Designer21軟件對BGA器件進(jìn)行扇出操作

BGA fanout操作是PCB設(shè)計(jì)中，利用EDA軟件（如AD,CADENCE等）對BGA器件進(jìn)行的一種引腳（pin）引出操作

2023-10-09 標(biāo)簽：PCB設(shè)計(jì)BGAPCB封裝 8957 0

AMD的Phoenix SoC核心技術(shù)詳解

AMD的移動(dòng)和小型化之路曾一度艱辛。早在2010年代初期，英特爾在能效方面取得了巨大的進(jìn)步，而AMD的基于Bulldozer的CPU核心在這方面沒有機(jī)會。

2023-10-07 標(biāo)簽：amdcpusoc 1199 0

碳化硅功率器件的封裝—三大主流技術(shù)

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。

2023-09-27 標(biāo)簽：BGASiC芯片封裝 893 0

碳化硅功率器件封裝技術(shù)解析

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些...

2023-09-24 標(biāo)簽：封裝技術(shù)BGA功率器件 906 0

球柵陣列(BGA) &芯片尺寸封裝(CSP)對比

定義:它是在基板的下邊按面陣方式引出球形引腳，在基板上面貼裝LSI芯片，是LSI芯片常用的-種表面貼裝型封裝形式。

2023-09-22 標(biāo)簽：芯片LSIBGA 5281 0

微型片式元件立碑缺陷的機(jī)理、影響因素及解決措施

0201、01005微型片式元件立碑是SMT焊接過程常見的工藝缺陷，特別是隨著電子產(chǎn)品的微型化，立碑問題越來越突出，本文系統(tǒng)介紹了片式元件立碑的機(jī)理及主...

2023-09-20 標(biāo)簽：元器件封裝smt 2290 0