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      bjt

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      bjt技術(shù)

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      2024-02-27 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 3655 0

      共基放大電路的直流分析

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      輸入端口vi和輸出端口vo共用BJT的基極端子，VEE和RE構(gòu)成發(fā)射結(jié)的偏置電壓，VCC和RC構(gòu)成集電結(jié)的偏置電壓。和上小節(jié)的共基組態(tài)相比，輸入端和輸出...

      2023-02-13 標(biāo)簽：放大器放大電路晶體管 3628 0

      晶體管的主要類型有哪些

      晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件，它通過(guò)控制電流的流動(dòng)來(lái)實(shí)現(xiàn)電子信號(hào)的放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。根據(jù)其結(jié)構(gòu)和工作原理的不同，晶體管可以分為多種類型。

      2024-08-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管BJT 3620 1

      為什么用PTAT電流來(lái)偏置亞閾值導(dǎo)通的MOS管或BJT？

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      公式表明Vt與絕對(duì)溫度T成正比（PTAT）。Vt在寬范圍溫度內(nèi)是線性的。如果用PTAT 電流來(lái)偏置亞閾值區(qū)的MOS管，可以消除Vt對(duì)gm的影響。

      2023-09-28 標(biāo)簽：二極管MOSFETMOS管 3618 0

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      IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種三端子的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件，它結(jié)合了MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的高輸入阻抗和BJT（雙極型晶體管）...

      2024-05-01 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體IGBT 3574 0

      使用BJT晶體管實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)

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      用BJT晶體管實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)功能是經(jīng)常會(huì)用到的實(shí)用電路。和邏輯門電路類似，當(dāng)BJT用于開(kāi)關(guān)電路時(shí)，也只工作于飽和區(qū)和截止區(qū)。

      2023-02-14 標(biāo)簽：繼電器開(kāi)關(guān)電路發(fā)光二極管 3520 0

      如何熟練掌握CMOS模擬集成電路-BJT模型

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      Bipolar Junction Transistor，雙極性晶體管又稱為三極管，其由兩個(gè)pn結(jié)構(gòu)成，理想的結(jié)構(gòu)模型如圖，有兩種類型npn和pnp。 ...

      2023-02-02 標(biāo)簽：三極管晶體管PN結(jié) 3502 0

      三極管器件介紹與仿真

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      本推文簡(jiǎn)述三極管即BJT器件，具體包括NPN和PNP的仿真相關(guān)內(nèi)容。

      2023-11-27 標(biāo)簽：三極管仿真BJT 3451 0

      推挽電路兩種模型詳解:上P下N、上N下P

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      推挽電路（push-pull）就是兩個(gè)不同極性晶體管間連接的輸出電路。

      2023-05-25 標(biāo)簽：MOSFET晶體管BJT 3430 0

      絕緣柵雙極型晶體管IGBT工藝仿真

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      MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管部分載流子累積又使得此復(fù)合結(jié)構(gòu)中 BJT 部分的基極驅(qū)動(dòng)電流顯著增加，二者協(xié)同工作，從而改善了整個(gè)器件的特性。

      2023-04-24 標(biāo)簽：IGBTMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3256 0

      學(xué)子專區(qū)—ADALM2000實(shí)驗(yàn)：將BJT連接為二極管

      本次實(shí)驗(yàn)的目的是研究將雙極性結(jié)型晶體管（BJT）連接為二極管時(shí)的正向/反向電流與電壓特性。

      2020-03-25 標(biāo)簽：二極管adiBJT 3256 0

      推挽電路兩種模型詳解：上P下N、上N下P

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      推挽電路（push-pull）就是兩個(gè)不同極性晶體管間連接的輸出電路。推挽電路采用兩個(gè)參數(shù)相同的功率BJT管或MOSFET管，以推挽方式存在于電路中，各...

      2023-05-25 標(biāo)簽：原理圖MOSFET晶體管 3224 0

      為什么說(shuō)IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件？它們有何區(qū)別和聯(lián)系？

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)...

      2023-11-24 標(biāo)簽：MOSFETIGBTBJT 3212 0

      BJT中的通用基本配置，如何配置共基極放大器電路？

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      在本節(jié)中，我們將分析BJT共基構(gòu)型，了解其驅(qū)動(dòng)點(diǎn)特性、反向飽和電流、基極至發(fā)射極電壓，并通過(guò)實(shí)際求解示例評(píng)估參數(shù)。在后面的部分中，我們還將分析如何配置共...

      2023-07-24 標(biāo)簽：BJTBJT管共基極放大電路 3171 0

      設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路該使用MOS管還是三極管？（文末領(lǐng)BJT和MOSFET對(duì)比資料）

      晶體管 BJT 和MOSFET 都適用于放大和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。然而，它們具有顯著不同的特征。 ? 雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 雙極結(jié)型晶體管，通常稱為 BJT...

      2022-06-22 標(biāo)簽：三極管MOSFETMOS管 3109 0

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      2023-06-28 標(biāo)簽：BJT雙極晶體管 3076 0

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      2023-11-29 標(biāo)簽：晶閘管IGBTBJT 3031 0

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      我們知道PN結(jié)半導(dǎo)體具有單相導(dǎo)電的性能，但是由PN結(jié)構(gòu)成的各種二極管（Diode）器件的單相導(dǎo)電性是沒(méi)辦法進(jìn)行主動(dòng)控制的，因此這類器件也稱為 **被動(dòng)器...

      2023-02-02 標(biāo)簽：二極管晶體管PN結(jié) 2944 0

      開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)：何時(shí)選擇BJT優(yōu)于MOSFET？

      開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)：何時(shí)選擇BJT優(yōu)于MOSFET？

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      2015-11-08 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源BJT 2889 0

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        四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡(jiǎn)稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過(guò)改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
      • 基站測(cè)試
        基站測(cè)試
        +關(guān)注
        802.11ac與11基站測(cè)試（base station tests） 在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
      • SDK
        SDK
        +關(guān)注
        　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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